TH16484A - อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ - Google Patents

อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ

Info

Publication number
TH16484A
TH16484A TH9401000564A TH9401000564A TH16484A TH 16484 A TH16484 A TH 16484A TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 16484 A TH16484 A TH 16484A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
yttrium
ppm
weight
calcium
gold
Prior art date
Application number
TH9401000564A
Other languages
English (en)
Other versions
TH10597B (th
Inventor
โมระ นายเคนจิ
ฟูกูดา นายทาคาโนริ
โตคิตา นายมาซาโนริ
Original Assignee
ทัทซูทา อีเลคทริค ไวร์ แอนด์ เคเบิล โค
นายธเนศ เปเรร่า
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by ทัทซูทา อีเลคทริค ไวร์ แอนด์ เคเบิล โค, นายธเนศ เปเรร่า, นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า filed Critical ทัทซูทา อีเลคทริค ไวร์ แอนด์ เคเบิล โค
Publication of TH16484A publication Critical patent/TH16484A/th
Publication of TH10597B publication Critical patent/TH10597B/th

Links

Abstract

อัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว ธาตุเหล่านี้มี อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม = คัลเซียม = บอริลเลียม = ตะกั่ว = 1 : 0.5 ถึง 2.0 : 0.1 ถึง 1.0 : 0.1 ถึง 1.0 ปริมาณต่ำสุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก และที่เหลือคือสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ หรืออัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว มันจะ อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม : คัลเซียม = บอริลเลียม : ตะกั่ว = 1 : 0.7 ถึง 1.5 : 0.2 ถึง 0.6 : 0.1 ถึง 0.5 มีอิทเทรียมอยู่ในปริมาณ 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดย น้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก และที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ โดยที่ได้มีการปรับปรุงการต้านทานความร้อนและความแข็งแรงที่อุณหภูมิ ปกติและอุณหภูมิสูง ยังได้ลดความสูงของห่วงที่ใช้เชื่อมกัน ตลอดจนยังไม่ทำให้เกิดการไหล ของเส้นลวดในการปิดด้วยเรซินอีกด้วย และรูปร่างของลูกบอลยังน่าพอใจ ดังนั้นจึงสามารถ ทำให้บรรลุผลการเชื่อมยึดที่ทนทาน

Claims (4)

1. อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในองค์ประกอบกึ่งตัวนำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริล เลียม และตะกั่ว ที่มีลักษณะสำคัญที่ว่าธาตุเหล่านี้มีอยู่ในสัดส่วนของ Y : Ca : Be : Pb = 1 : 0.5 ถึง 2.0 : 0.1 ถึง 1.0 : 0.1 ถึง 1.0 ปริมาณน้อยที่สุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้ง หมดของธาตุดังกล่าวเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก สิ่งที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อนที่ติด มาและทองคำ
2. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งสัดส่วนของ Y : Ca : Be : Pb เป็น 1 : 0.7 ถึง 1.5 : 0.2 ถึง 0.6 : 0.1 ถึง 0.5
3. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งปริมาณของอิท เทรียม เป็น 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
4. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งก่อนหน้านี้ ซึ่งปริมาณทั้งหมด ของธาตุดังกล่าวเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
TH9401000564A 1994-03-25 อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ TH10597B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH16484A true TH16484A (th) 1995-08-29
TH10597B TH10597B (th) 2001-06-20

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0858859A4 (en) WELDING FOR ELECTRONIC PART CONNECTION ELECTRODES, AND WELDING METHOD
JPS6120693A (ja) ボンデイングワイヤ−
WO2002011203A3 (en) Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance
KR970077400A (ko) 금 합금 와이어 및 범프 제조 방법
TH10597B (th) อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ
JPS6152333A (ja) ボンデイングワイヤ−
JP4022013B2 (ja) ダイボンディング用Zn合金
SG44586A1 (en) Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements
JPS60223149A (ja) 半導体装置
JPS5841782B2 (ja) Ic用リ−ド材
Mori et al. Gold alloy for use in semiconductor element
GB2276632B (en) Gold alloy for use in semiconductor element
GB2146937B (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JPH11126788A5 (ja) 振動破断特性に優れたicチップ接続用金合金線
MY110389A (en) Gold alloy for use in semiconductor element
JPS6035552A (ja) 半導体装置
EP0647722A4 (en) GOLD ALLOY WIRE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT.
JPS5696844A (en) Semiconductor element
KR950021441A (ko) 반도체 bga(ball grid array) 패키지
Hashizume et al. MF 224, a New Copper Alloy for IC Lead Frames
EP0142447A3 (en) Semiconductor package
JPS56169341A (en) Bonding wire for semiconductor element
JPS61174344A (ja) リ−ドフレ−ム用銅合金
GB2229859B (en) Bonding wire for semiconductor elememt
Uno et al. Gold alloy wire for bonding semiconductor device