TH10597B - อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ - Google Patents
อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH10597B TH10597B TH9401000564A TH9401000564A TH10597B TH 10597 B TH10597 B TH 10597B TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 10597 B TH10597 B TH 10597B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- yttrium
- ppm
- weight
- gold
- calcium
- Prior art date
Links
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract 5
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 title claims abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 abstract 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract 1
Abstract
อัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว ธาตุเหล่านี้มี อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม = คัลเซียม = บอริลเลียม = ตะกั่ว = 1 0.5 ถึง 2.0 : 0.1 ถึง 1.0 : 0.1 ถึง 1.0 ปริมาณต่ำสุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก และที่เหลือคือสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ หรืออัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว มันจะ อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม : คัลเซียม = บอริลเลียม : ตะกั่ว = 1 : 0.7 ถึง 1.5 : 0.2 ถึง 0.6 : 0.1 ถึง 0.5 มีอิทเทรียมอยู่ในปริมาณ 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดย น้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก และที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ โดยที่ได้มีการปรับปรุงการต้านทานความร้อนและความแข็งแรงที่อุณหภูมิ ปกติและอุณหภูมิสูง ยังได้ลดความสูงของห่วงที่ใช้เชื่อมกัน ตลอดจนยังไม่ทำให้เกิดการไหล ของเส้นลวดในการปิดด้วยเรซินอีกด้วย และรูปร่างของลูกบอลยังน่าพอใจ ดังนั้นจึงสามารถ ทำให้บรรลุผลการเชื่อมยึดที่ทนทาน:
Claims (4)
1.1.1 ถึง 1.0 ปริมาณน้อยที่สุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้ง หมดของธาตุดังกล่าวเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก สิ่งที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อนที่ติด มาและทองคำ
2. 1.1 ถึง 0.5
3. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งปริมาณของอิท เทรียม เป็น 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
4. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งก่อนหน้านี้ ซึ่งปริมาณทั้งหมด ของธาตุดังกล่าวเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH16484A TH16484A (th) | 1995-08-29 |
| TH10597B true TH10597B (th) | 2001-06-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4806309A (en) | Tin base lead-free solder composition containing bismuth, silver and antimony | |
| WO2002011203A3 (en) | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance | |
| KR970077400A (ko) | 금 합금 와이어 및 범프 제조 방법 | |
| TH10597B (th) | อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ | |
| NO821238L (no) | Gullfarget myntmateriale. | |
| TH16484A (th) | อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ | |
| SG44586A1 (en) | Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements | |
| GB2146937B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US4859240A (en) | Dental amalgam alloy | |
| GB2276632B (en) | Gold alloy for use in semiconductor element | |
| JPH11126788A5 (ja) | 振動破断特性に優れたｉｃチップ接続用金合金線 | |
| Mori et al. | Gold alloy for use in semiconductor element | |
| Hashizume et al. | MF 224, a New Copper Alloy for IC Lead Frames | |
| JPS57207160A (en) | Low thermal expansion invar type fe-ni alloy with superior rust resistance | |
| GB2220956B (en) | Ultrafine wires made of copper alloy and semiconductor devices using same | |
| JPS5696844A (en) | Semiconductor element | |
| EP0647722A4 (en) | GOLD ALLOY WIRE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. | |
| JPS56122140A (en) | Gold wire for bonding semiconductor element and semiconductor element | |
| JPS54103764A (en) | Brazing material | |
| EP0142447A3 (en) | Semiconductor package | |
| JPS6482554A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| Uno et al. | Gold alloy wire for bonding semiconductor device | |
| Girard | Nylon 6 Blends and Their Applications | |
| Sekiguchi et al. | Effects of SME Cycle on the Mechanical Properties of TiNi Alloys | |
| JPS56115544A (en) | Gold wire for bonding semiconductor element and semiconductor element |