TH10597B - อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ - Google Patents
อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH10597B TH10597B TH9401000564A TH9401000564A TH10597B TH 10597 B TH10597 B TH 10597B TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 9401000564 A TH9401000564 A TH 9401000564A TH 10597 B TH10597 B TH 10597B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- yttrium
- ppm
- weight
- calcium
- gold
- Prior art date
Links
Abstract
อัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว ธาตุเหล่านี้มี อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม = คัลเซียม = บอริลเลียม = ตะกั่ว = 1 : 0.5 ถึง 2.0 : 0.1 ถึง 1.0 : 0.1 ถึง 1.0 ปริมาณต่ำสุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก และที่เหลือคือสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ หรืออัลลอยด์ทองคำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริลเลียม และตะกั่ว มันจะ อยู่ในสัดส่วนของอิทเทรียม : คัลเซียม = บอริลเลียม : ตะกั่ว = 1 : 0.7 ถึง 1.5 : 0.2 ถึง 0.6 : 0.1 ถึง 0.5 มีอิทเทรียมอยู่ในปริมาณ 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดย น้ำหนัก ปริมาณทั้งหมดของมันเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก และที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อน ที่ติดมาและทองคำ โดยที่ได้มีการปรับปรุงการต้านทานความร้อนและความแข็งแรงที่อุณหภูมิ ปกติและอุณหภูมิสูง ยังได้ลดความสูงของห่วงที่ใช้เชื่อมกัน ตลอดจนยังไม่ทำให้เกิดการไหล ของเส้นลวดในการปิดด้วยเรซินอีกด้วย และรูปร่างของลูกบอลยังน่าพอใจ ดังนั้นจึงสามารถ ทำให้บรรลุผลการเชื่อมยึดที่ทนทาน
Claims (4)
1. อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในองค์ประกอบกึ่งตัวนำที่มีอิทเทรียม คัลเซียม เบอริล เลียม และตะกั่ว ที่มีลักษณะสำคัญที่ว่าธาตุเหล่านี้มีอยู่ในสัดส่วนของ Y : Ca : Be : Pb = 1 : 0.5 ถึง 2.0 : 0.1 ถึง 1.0 : 0.1 ถึง 1.0 ปริมาณน้อยที่สุดของอิทเทรียมเป็น 5 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก ปริมาณทั้ง หมดของธาตุดังกล่าวเป็น 80 พีพีเอ็ม หรือน้อยกว่านั้นโดยน้ำหนัก สิ่งที่เหลือเป็นสิ่งปนเปื้อนที่ติด มาและทองคำ
2. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งสัดส่วนของ Y : Ca : Be : Pb เป็น 1 : 0.7 ถึง 1.5 : 0.2 ถึง 0.6 : 0.1 ถึง 0.5
3. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือข้อถือสิทธิที่ 2 ซึ่งปริมาณของอิท เทรียม เป็น 10 ถึง 30 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
4. อัลลอยด์ทองคำตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งก่อนหน้านี้ ซึ่งปริมาณทั้งหมด ของธาตุดังกล่าวเป็น 20 ถึง 60 พีพีเอ็มโดยน้ำหนัก
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH16484A TH16484A (th) | 1995-08-29 |
| TH10597B true TH10597B (th) | 2001-06-20 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0858859A4 (en) | WELDING FOR ELECTRONIC PART CONNECTION ELECTRODES, AND WELDING METHOD | |
| WO2002011203A3 (en) | Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance | |
| KR970077400A (ko) | 금 합금 와이어 및 범프 제조 방법 | |
| TH16484A (th) | อัลลอยด์ทองคำที่ใช้ในธาตุกึ่งตัวนำ | |
| JPS6152333A (ja) | ボンデイングワイヤ− | |
| JP4022013B2 (ja) | ダイボンディング用Ｚｎ合金 | |
| SG44586A1 (en) | Palladium alloy thin wire for wire bonding semiconductor elements | |
| JPS60223149A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5841782B2 (ja) | Ｉｃ用リ−ド材 | |
| Mori et al. | Gold alloy for use in semiconductor element | |
| GB2276632B (en) | Gold alloy for use in semiconductor element | |
| GB2146937B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH11126788A5 (ja) | 振動破断特性に優れたｉｃチップ接続用金合金線 | |
| MY110389A (en) | Gold alloy for use in semiconductor element | |
| JPS6035552A (ja) | 半導体装置 | |
| EP0647722A4 (en) | GOLD ALLOY WIRE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT. | |
| JPS5696844A (en) | Semiconductor element | |
| KR950021441A (ko) | 반도체 bga(ball grid array) 패키지 | |
| Hashizume et al. | MF 224, a New Copper Alloy for IC Lead Frames | |
| EP0142447A3 (en) | Semiconductor package | |
| JPS56169341A (en) | Bonding wire for semiconductor element | |
| JPS61174344A (ja) | リ−ドフレ−ム用銅合金 | |
| US6232651B1 (en) | Lead frame for semiconductor device | |
| GB2229859B (en) | Bonding wire for semiconductor elememt | |
| Uno et al. | Gold alloy wire for bonding semiconductor device |