TH13183EX - อิเล็กโทรดสำหรับทรานส์ซิสเตอร์ชนิดสนามไฟฟ้าแนวดิ่งและวิธีการผลิตสิ่งนั้น - Google Patents
อิเล็กโทรดสำหรับทรานส์ซิสเตอร์ชนิดสนามไฟฟ้าแนวดิ่งและวิธีการผลิตสิ่งนั้นInfo
- Publication number
- TH13183EX TH13183EX TH9101000748A TH9101000748A TH13183EX TH 13183E X TH13183E X TH 13183EX TH 9101000748 A TH9101000748 A TH 9101000748A TH 9101000748 A TH9101000748 A TH 9101000748A TH 13183E X TH13183E X TH 13183EX
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- semiconductor
- area
- electrodes
- vertical
- produced
- Prior art date
Links
Abstract
ได้มีการถูกจัดเตรียมให้เกิดมีอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำพร้อมด้วยชิ้นส่วนทำตามหน้าที่ที่มีขนาดเล็กมาก ซึ่งสามารถจะถู กสร้างขึ้นด้วยส่วนประกอบน้อยที่สุดเท่าที่จำเป็นโดยไม่มีพื้นที่ผิวหน้าที่ไม่จำเป็นใด ๆ ดังนั้นจะสามารถทำการลดอย่างมีนัยสำคัญให้พื้นที่ผังขอบเขตน้อยลงและถูกปรับแปลงเพื่อให้ได้ผลเป็นรูปทรงทางเรขาคณิตที่ประณีต และระดับที่สูงของการประมวลรวมกัน อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำถูกจัดเตรียมไว้ด้วยพื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับแรกแบบชนิดเชิงความนำอันดับแรก (ดังเช่น p- เวล) และ พื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับสองซึ่งถูกทำขึ้นรูปไว้บนหรือใต้พื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับแรก และมีแบบชนิดเชิงความนำอันดับสองซึ่งแตกต่างไปจากแบบชนิดเชิงความนำอันดับแรก (ดังเช่นพื้นที่ซอร์สหรือเครน) อันเป็นที่ซึ่งอิเล็กโทรดที่ถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้ากับพื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับแรกถูกทำขึ้นรูปผ่านพื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับสอง และพื้นที่สารกึ่งตัวนำอันดับแรกและอันดับสองจะถูกลัดวงจรไว้ด้วยอิเล็กโทรดดังที่กล่าวไว้ข้างต้น
Claims (1)
1.อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่มีลำตัวสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้าแนวดิ่งซึ่งประกอบด้วย; บริเวณสารกึ่งตัวนำอันดับแรกและอันดับที่สอง (53 และ 51 หรือ 201 และ 203) ที่เป็นแบบชนิดเชิงความนำที่หนึ่ง เพื่อจัดเตรียมบริเวณเดรนและซอร์สตามลำดับ; บริเวณสารกึ่งตัวนำอันดับที่สาม (52 หรือ 202 ) ที่เป็นแบบชนิดเชิงความนำที่สองที่แตกต่างจากแบบชนิดเชิงความที่หนึ่ง ซึ่งจัดวางไว้บนบริเวณสารกึ่งตัวนำอันดับที่
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH13183EX true TH13183EX (th) | 1993-09-10 |
| TH13183A TH13183A (th) | 1993-09-10 |
| TH15643B TH15643B (th) | 2003-10-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2104668T3 (es) | Electrodo para transistor vertical con efecto de campo y metodo para la fabricacion del mismo. | |
| WO2005020279A3 (en) | Semiconductor device having electrical contact from opposite sides and method therefor | |
| DE69322963D1 (de) | Eine integrierte Vorrichtung mit einem bipolaren Transistor und einem MOSFET Transistor in Emittorschaltungsanordnung | |
| KR850000804A (ko) | 반도체 장치 | |
| DE602006011595D1 (de) | Parallele feldeffekt-transistorstruktur mit body-kontakt | |
| EP0339962A3 (en) | Field effect semiconductor device | |
| JPS5226181A (en) | Semi-conductor integrated circuit unit | |
| TH13183EX (th) | อิเล็กโทรดสำหรับทรานส์ซิสเตอร์ชนิดสนามไฟฟ้าแนวดิ่งและวิธีการผลิตสิ่งนั้น | |
| KR880006782A (ko) | 접합 파괴방지 반도체장치 | |
| JPS5248475A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5358780A (en) | Field effect type transistor | |
| JPS56150849A (en) | Semiconductor integratd circuit device | |
| JPS5283078A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS6433943A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS5784180A (en) | Semiconductor device | |
| JPS57118675A (en) | Semiconductor device | |
| JPS56158479A (en) | Semiconductor device | |
| KR890001201A (ko) | 집적회로 | |
| JPS5610956A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| KR830003969A (ko) | 유도성부하를 사용하는 전력출력장치용 랫치방지회로 | |
| JPS5269585A (en) | Semiconductor device | |
| JPS5715456A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPS57206062A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPS55166953A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| Meindl et al. | A high voltage MOS switch |