TH11143EX - กรรมวิธีสำหรับจัดรูปแบบฟิล์ม ซึ่งถูกฝากสะสมโลหะที่มีอาลูมีอาลูมิเนียมเป็นส่วนประกอบหลักโดยการใช้อัลคีน อาลูมินัม ไฮไดรด์ - Google Patents

กรรมวิธีสำหรับจัดรูปแบบฟิล์ม ซึ่งถูกฝากสะสมโลหะที่มีอาลูมีอาลูมิเนียมเป็นส่วนประกอบหลักโดยการใช้อัลคีน อาลูมินัม ไฮไดรด์

Info

Publication number
TH11143EX
TH11143EX TH9101000196A TH9101000196A TH11143EX TH 11143E X TH11143E X TH 11143EX TH 9101000196 A TH9101000196 A TH 9101000196A TH 9101000196 A TH9101000196 A TH 9101000196A TH 11143E X TH11143E X TH 11143EX
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
alumea
film
deposited
hydride
alkenaluminum
Prior art date
Application number
TH9101000196A
Other languages
English (en)
Inventor
นายโอซามุ อิเคดะ นายชิเกยุกิ มัทสึโมโต
Original Assignee
แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา
Filing date
Publication date
Application filed by แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา filed Critical แคนนอน คาบูชิกิ ไกชา
Publication of TH11143EX publication Critical patent/TH11143EX/th

Links

Abstract

1. กระบวนการของการก่อรูปแผ่นฟิล์มซึ่งถูกฝากสะสม ซึ่งประกอบรวมด้วย (a) การจัดเตรียมซับสเตรทในห้องสำหรับก่อรูปฟิล์มห้องที่หนึ่ง,ซับสเตรทเช่นนี้เป็นสารกึ่งตัวนำ หรือตัวนำที่ปิดคลุมเป็นบางส่วนด้วยชั้น ซึ่งเป็นฉนวนในลักษณะที่ทำให้สารกึ่งตัวนำ หรือตัวนำส่วนหนึ่งหรือมากกว่าเผยออก, (b) การชักนำไฮโดรเจนในรูปแก๊ส และแอลคิลอะลูมิเนียมไฮไดร์ด ในรูปแก๊สเข้าไปในห้องสำหรับก่อรูปฟิล์มห้องที่หนึ่ง, &
TH9101000196A 1991-02-19 กรรมวิธีสำหรับจัดรูปแบบฟิล์ม ซึ่งถูกฝากสะสมโลหะที่มีอาลูมีอาลูมิเนียมเป็นส่วนประกอบหลักโดยการใช้อัลคีน อาลูมินัม ไฮไดรด์ TH11143EX (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH11143EX true TH11143EX (th) 1992-06-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920000113A (ko) 수소화 알킬알루미늄을 사용함에 의한 주성분으로 알루미늄을 함유하는 금속 퇴적막의 형성방법
JPS54589A (en) Burying method of insulator
ATE150585T1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit einer verdrahtungsstruktur hoher dichte
TH11143EX (th) กรรมวิธีสำหรับจัดรูปแบบฟิล์ม ซึ่งถูกฝากสะสมโลหะที่มีอาลูมีอาลูมิเนียมเป็นส่วนประกอบหลักโดยการใช้อัลคีน อาลูมินัม ไฮไดรด์
JPS5423388A (en) Semiconductor integrated-circuit device and its manufacture
JPS53107285A (en) Production of wiring structural body
JPS5371182A (en) Gas barrier polypropylene film
JPS5419663A (en) Forming method of insulating films
JPS5370777A (en) Dielectric isolating method
JPS5380183A (en) Semiconductor device
JPS54159886A (en) Production of semiconductor device
JPS5317287A (en) Production of semiconductor device
JPS5390777A (en) Semiconductor device and its production
JPS5230188A (en) Process for producing smiconductor device
JPS5339486A (en) Production method of power cable
JPS57116347A (en) Photoconductive material
JPS5435791A (en) Semiconductor pressure sensor
JPS5227363A (en) Formation method of glass film
JPS5419681A (en) Dielectric isolating substrate and production of the same
JPS5325381A (en) Semiconductor device having multilayer wiring structure
JPS5289467A (en) Semiconductor device
JPS5297674A (en) Surface protecting film of electronic parts
JPS53889A (en) Jointing method of conductor
JPS51136292A (en) Semi-conductor producing
JPS53118990A (en) Manufacture for resistor