SU953730A2 - Интегральный инжекционный логический элемент - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к логическим и запоминающим устройствам и может найти широкое применение в разли ных устройствах автоматики и вычисли тельной техники. По основному авт. св. N 860315 известен интегральный инжекционный логический элемент, содержащий интек тируюций, выходной и дополнительные транзисторы l . Недостатком известного логическог элемента  вл етс  отсутствие согласо вани  его выходных уровней с уровн м транзисторно-транзисторных логически элементов. Целью изобретени   вл етс  соглас вание выходных уровней с уровн ми транзисторно-транзисторных и диоднотранзисторных логических элементов. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в интегральном инжекционном логическом элементе базы инжектирующего и дополнительных р-п-р транзисторов соединены с общей шиной через последовательно соединенные первые диоды, эмиттеры дополнительных р-п-р транзисторов соединены с входными шинами через вторые диоды. На фиг. 1 приведена электрическа  схема интегрального инжекционного логического элемента; на фиг. 2 вариант его выполнени . Логический элемент содержит выходной п-р-р транзистор 1, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - с выходной шиной 2, инжектирую-щий транзистор 3, последовательно с ним и между собой соединенные дополнительные р-п-р транзисторы j и 5. Эмиттер транзистора 3 подключен к шине 6 питани , базы транзисторов 3-5 через последовательно соединенные диоды 7 и 8 соединены с общей шиной, эмиттеры транзисторов t и 5 соединены с входными шинами 9 и 10 через диоды 11 и 12 соответственно.

Логический элемент работает следующим образом.

Если на шине 9 и 10 подаетс  высокое положительное напр жение, то выходной транзистор 1 насыщен, т.е. на выходе выдаетс  низкий потенциал близкий к нулю. При этом диоды 11 и 12 закрыты, а транзисторы открыты и обеспечивают базовый ток выходного транзистора 1. Напр жение на базах транзисторов равно удвоенному пр мому падению напр жени  на диоде . Если на один из входов 9 или 10, или на оба входа.подаетс  низкий потенциал , близкий к нулю, то диод 11 или 12, или соответственно оба отрываютс  и отвод т кйллекторный ток транзисторов 4 или 5, или 4 и 5 на землю. В результате базовый ток транзистора 1 уменьшаетс  и QH закрываетс , что соответствует логической единице на выходе.

Таким образом, логический элемент выполн ет логическую функцию И-НЕ дл  логических переменных: О - низкий потенциал, 1 - высокий потенциал , и логическую функцию ИЛИ-НЕ дл  логических переменных: О - высокий

потенциал, 1 - низкий потенциал.

При изменении напр жени  на входах элемента от низкого к высокому и наоборот переключение выхода из одного логического сост;о ни  в другое происходит при напр жении, примерно равном двум пр мым падени м напр жени  на диоде, т.е. при том же напр жении, что и в элементах транзисторно-транзисторной и диодно-транзисторной логики .

Работоспособность (выполнение логи ческой функции) данного элемента

обеспечиваетс  при выполнении следующего услови 

Uо6э-0 4 5Ч в ,

коэффициенты усиле (У -,, , о/ 4 , oi 5 ни  по току в схеме с общей фазой тран- . зисторов ,

б ток, втекающий в шину 6 питани ;

чток , втекающий в выходную шину 2;

8. коэффициент усилени  по току в схеме с общим эмиттером транзистора 1.

В логическом элементе, представленна фиг. 2, показано, что на вхоможет быть включена диодна  сборка.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР № 860315, кл. НОЗ, К 19/08, 07.05.7+.

. 1

Vt.2