SU886623A1 - Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур - Google Patents
Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур Download PDFInfo
- Publication number
- SU886623A1 SU886623A1 SU802870686A SU2870686A SU886623A1 SU 886623 A1 SU886623 A1 SU 886623A1 SU 802870686 A SU802870686 A SU 802870686A SU 2870686 A SU2870686 A SU 2870686A SU 886623 A1 SU886623 A1 SU 886623A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- measurements
- semiconductor structures
- ohmic contact
- electroluminiscent
- radiating semiconductor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By The Use Of Chemical Reactions (AREA)
Description
Изобретение относится к полупро- ная поверхность которой размещена водниковой технике,в частности к устройствам для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых 5 структур, предназначенных для изготовления светодиодов и лазеров. Известно устройство для измерения абсолютных значений внешнего квантового выхода излучающих полупроводкико- 1Q вых структур пропусканием через них постоянного тока в прямом направлении, содержащее источник писания,фот&приемник и подключающие контак ты С I ]. 15
Недостатками такого устройства являются низкая точность измерений и необходимость изготовления образцов с омическими контактами,что представляет собой трудоемкий процесс. 20
Наиболее близким по технической . сущности к предлагаемому устройству является устройство для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни- 25 ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный с измерительным блоком Г 2 ]. 30
Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата 3 и передачи излучения световодом. Кроме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капиллярным контактом. ' 40
Целью изобретения является повышение точности измерений.
Цель .достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода из_ 45 лучающих полупроводниковых структур,содержащем источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный, с измерительным блоком, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачного и электропроводящего материала,нанесенного на одну из поверхностей оптически прозрачной пластины, противополож- 55
ВНИИПИ Заказ 8094/3 на калиброванном фотоприемнике,а в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.
• На чертеже изображена принципиальная схема устройства.
Устройство содержит зонд 1, излучающую полупроводниковую структуру 2, плоский оптически прозрачный омический контакт 3, оптически прозрачную пластину 4, прижимные контакты 5, ' источник 6 питания, измеритель 7 тока, фотоприемник 8 и измерительный прибор 9.
Устройство pa6oTagT следующим образом .
Структура 2, электрически связанная через контакты 5 и контакт 3 с источником 6 и измерителем 7, посредством зонда 1 включается в прямом направлении.в результате чего из эмиттеров инжектируются неравновесные носители, которые рекомбинируют вблизи р-п-перехода с излучением квантов света.
Зонд 1 осуществляет электрический контакт со стороной структуры 2, противоположной излучающей поверхности, и прижимает структуру излучающей стороной к контакту 3, выполненному в виде оптически прозрачного и электропроводящего слоя, нанесенного на пластину 4. Рекомбинационное излучение , выходящее через излучающую поверхность структуры 2, попадает на калиброванный фотоприемник 8 и регистрируется прибором 9·
Внешний квантовый выход излучения рассчитывается по формуле te=olp2i!\,
Уис где d - коэффициент, учитывающий спектральную чувствительность фотоприемника;
Р - коэффициент, определяемый экспериментально и учитывающий потери рекомбинационного излучения в толще пластины 4 и контакте 3;
ЗфП- ток, протекающий через фотоприемник 8;
7ИС- ток, протекающий через структуру 2.
Тираж 7Ю Подписное
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Claims (2)
1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ИЗМЕРЕНИЙ ВНЕШНЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ИЗЛУЧАЮЩИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный фотоприемник, соединенный с измерительным блоком, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений, плоский омический контакт выполнен в виде слоя из оптически прозрачного и электропроводящего материала, нанесенного на одну из поверхностей оптически прозрачной пластины,противоположная поверхность которой размещена на калиброванном фотоприемнике.
2. Устройство по п. 1, о т л ичающееся тем, что в качестве электропроводящего материала плоского омического контакта использована двуокись олова.
Il·
1 886623 2
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802870686A SU886623A1 (ru) | 1980-01-10 | 1980-01-10 | Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802870686A SU886623A1 (ru) | 1980-01-10 | 1980-01-10 | Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU886623A1 true SU886623A1 (ru) | 1983-08-30 |
Family
ID=20872675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU802870686A SU886623A1 (ru) | 1980-01-10 | 1980-01-10 | Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU886623A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2463616C2 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-10-10 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках |
| RU2463617C2 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-10-10 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления |
-
1980
- 1980-01-10 SU SU802870686A patent/SU886623A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 1. Н.Ю.Давидюк Разработка и исследование полупроводниковых источников света и их применение в системах накачки твердотельных ОКГ. Кандидатска .диссертаци , Л., 1978, с. . 2. Авторское свидетельство СССР № 557701, кл. Н 01 L 21/66, 1«.01.76 1(прототип). * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2463616C2 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-10-10 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках |
| RU2463617C2 (ru) * | 2010-12-28 | 2012-10-10 | Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской академии сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ Россельхозакадемии) | Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3751672A (en) | Opto-electronic apparatus for measuring and controlling the concentration of solutions | |
| DK466182A (da) | Optoelektrisk koblingsindretning | |
| KR900070903A (ko) | 광 전달 조립체 | |
| DE3587496D1 (de) | Lumineszenzdiode mit kantenemission. | |
| SU886623A1 (ru) | Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур | |
| US4195269A (en) | Two-way single fiber optical communication system | |
| JPS5524404A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| GB1485912A (en) | Laser arrangement | |
| JPS5312288A (en) | Light emitting semiconductor device | |
| CN215449489U (zh) | 一种超辐射发光二极管组件手动预耦合测试装置 | |
| FR2317786A1 (fr) | Photocoupleur entre un guide de lumiere filiforme et un laser a semiconducteurs montes a demeure sur un support commun | |
| JPS648668A (en) | Contact type image sensor | |
| JPS57157124A (en) | Optical rod fabry-perot thermometer | |
| JPS57198420A (en) | Coupling structure between photoelectric conversion element and fiber | |
| JPS5778186A (en) | Optical fiber transceiving composite device | |
| JPS63248141A (ja) | 光半導体特性測定装置 | |
| KR870700147A (ko) | 비선형 및 쌍안정 광학장치 | |
| JPS6044647B2 (ja) | 光制御型電気光学素子 | |
| SU557701A1 (ru) | Устройство дл отбраковки излучающих полупроводниковых структур | |
| JPS57121285A (en) | Light coupling device | |
| JPS57108702A (en) | Displacement meter | |
| JPS5587013A (en) | Optical detector | |
| RU2043638C1 (ru) | Элемент питания устройства телеметрии | |
| JPS56156801A (en) | Linear light source device | |
| JPS5796582A (en) | Measuring device for characteristic of semiconductor light emitting element |