SU814847A1 - Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи - Google Patents

Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи Download PDF

Info

Publication number
SU814847A1
SU814847A1 SU792773576A SU2773576A SU814847A1 SU 814847 A1 SU814847 A1 SU 814847A1 SU 792773576 A SU792773576 A SU 792773576A SU 2773576 A SU2773576 A SU 2773576A SU 814847 A1 SU814847 A1 SU 814847A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
cadmium
cogenides
chal
temperature
zinc
Prior art date
Application number
SU792773576A
Other languages
English (en)
Inventor
Надежда Васильевна Векшина
Игорь Алексеевич Миронов
Валентина Николаевна ПАВЛОВА
Нина Ивановна Певцова
Юрий Павлович Сапожников
Татьяна Леонидовна Шлявас
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8469
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8469 filed Critical Предприятие П/Я В-8469
Priority to SU792773576A priority Critical patent/SU814847A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU814847A1 publication Critical patent/SU814847A1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007Tellurides or selenides of metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ
становпени  окиси цинка при 100О110О С и окиси кадми  прибОО-ЭОСЯС моноокисью углерода. В результате получают продукт с содержанием окиси метап ла 0,1-О,2 масс.%. Количество примеси свободного хапькогёна снижаетс  до сотых долей процента, наличие примесей других элементов (Си, Fe, Рв и др.) определ етс  чистотой исходных порошков оксалатов и халькогенов.
Низкое содержание примесей в продукте достигаетс  при условии прокаливани  гомогенной смеси порошков исходных компонентов . Только в этом случае достигаетс  максимальна  концентраци  халько- гена в зоне реакции и соответственно высока  скорость образовани  халькоге- нида металла. При прокаливании неоднородной смеси порошков реагентов или порошка оксалата металла в парах, халь- когена скорость образовани  халькогенида уменьшаетс  из--за, пониженной концентрации халькогена, и часть оксалата успевает разложитьс  до окиси, не образу  халькогенида металла.
Пример 1. Шихту, состо щую из 8О вес.ч. оксалата цинка и 20 вес.ч. серы совместно растирают в шаровой мепьнице в течение 1 ч до отсутстви  отсевов на сите № 61-64. Реакционную смесь загружают в огнеупорный тигель, хорошо утрамбовывают, покрывают активированным углем слоем в 5 см и тигель закрывают неплотно прилегающей крышкой. Загруженный таким образом тигель помещают в печь разогретую до и прокаливают при этой температуре в течение 1 ч После окончани  прокаливани  тигель с продуктом извлекают из печи и охлаждают в естественных услови х. Затем тигель разгружают и сульфид цинка просеивают через сито NV 61-64.
Пример 2. Шихту состава 64 вес.ч. оксалпта цинка и 36 вес.ч. селена растирают и загружают в тигель по примеру 1. Прокапивгоше образца ведут при 1000-1 в течепио 1 ч.
Содержание в селениде цинка примеси окиси цинка и элементарного селена составл ет не более 0,1 и 0,2% соответственно .
Пример 3. состава 70 вес.ч. оксалата кадми  и ЗО вес.ч. селена растирают и загружают в тигель по примеру 1. Прокаливание ведут при температуре 80О®С в течение 1 ч. Примесь окиси кадми  составл ет 0,2%, элементарного селена - 0,01 масс.%.
Пример 4, Шихту состава 61 вес.ч. оксалата кадми  и 30 вес,ч. теллура растирают и загружают в тигель по примеру 1. Прокаливание ведут при 65О°С в течение 1 ч. Получен образец теллурида кадми , по составу близкий к теоретическому с примесью окиси кадми  0,1% и элементарного теллура 0,01 масс.%
Фор м у па изобретени 

Claims (2)

1.Способ получени  халькогенидов цинка и кадми  высокотемпературным взаимодействием оксалатов металлов с халькоге- нами, отличающийс  тем, что, с целью повышени  степени чистоты продуктов , взаимодействию подвергают гомогенизированную смеоь порошков исходных компонентов и процесс ведут под углем.
2.Способ ло п. 1, о т л и ч а ю ш и и с   тем, что получение халькогенидов кадми  ведут при температуре 6ОО- ,
5 3, Способ по п. 1,отличающий с   тем, что получение халькогенидов цинка ведут при температуре 10001100 С .
0Источники информации,
прин тые во внимание при экспертизе 1. Чижиков Д. М,, Счастливый В. П. Селен и селениды, М., Наука. 1964, с. 183.
5 2. Авторское свидетельство СССР Н 675728,. кл. С 01 Е 17/00, 1976.
SU792773576A 1979-05-30 1979-05-30 Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи SU814847A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792773576A SU814847A1 (ru) 1979-05-30 1979-05-30 Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792773576A SU814847A1 (ru) 1979-05-30 1979-05-30 Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU814847A1 true SU814847A1 (ru) 1981-03-23

Family

ID=20830860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792773576A SU814847A1 (ru) 1979-05-30 1979-05-30 Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU814847A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Siegrist et al. Ca1-xCuO2, a NaCuO2-type related structure
DE2541141A1 (de) Verfahren zur herstellung von magnesiumaluminatspinellen
GB2084122A (en) Preparation of silicon from quartz and carbon
SU814847A1 (ru) Способ получени халькогенидовциНКА и КАдМи
US5324712A (en) Formation of the high TC 2223 phase in BI-SR-CA-CU-O by seeding
CA1109643A (en) Process for producing purified ammonium molybdate solution
JPS61221339A (ja) フラツシユ製錬法
DE2705654C2 (de) Verfahren zum Gewinnen von Blei und Silber aus Blei-Silber-Rückständen
KR890003015B1 (ko) 펠릿의 제조법
FR2616446A1 (fr) Procede de traitement de minerais de plomb sulfures ou de minerais de plomb et de zinc sulfures et/ou de leurs concentres
JPS6179744A (ja) 珪素基複合合金鉄の連続的生成法
JPS62158109A (ja) 2成分金属オキシ化合物
Kizilyalli et al. Synthesis of a new orthorhombic metastable form of CdS through solid-state reactions
JPH1053414A (ja) 金属二硫化物の製造方法及びそれらを更に処理して二金属三硫化物を生成する方法
SU939390A1 (ru) Способ очистки сульфида цинка
SU1057413A1 (ru) Шихта дл синтеза селенидов и теллуридов цинка и кадми
De Carvalho Stages in the preparation of potassium manganate from pyrolusite
Rao et al. Synthesis of (BiPb) 2Sr2Ca2Cu3OySuperconductors by the Sol–Gel Process
Hirsch The preparation and properties of metallic cerium
US2863731A (en) Control of the state of the selenium in alkali slags
EP3847131B1 (de) Verfahren zur raffination von rohsilicium-schmelzen mittels eines partikulären mediators
CA1057510A (en) Process for treating sulfidic complex and mixed ores, concentrates and technical precipitates
JPS61151968A (ja) 電池用正極活物質の製造法
US990606A (en) Material for use in the manufacture of glass.
JPS60200818A (ja) 低シヤフト電気炉内で原料石英からシリコンを製造する方法