SU790128A1 - Триггер - Google Patents

Триггер Download PDF

Info

Publication number
SU790128A1
SU790128A1 SU792725421A SU2725421A SU790128A1 SU 790128 A1 SU790128 A1 SU 790128A1 SU 792725421 A SU792725421 A SU 792725421A SU 2725421 A SU2725421 A SU 2725421A SU 790128 A1 SU790128 A1 SU 790128A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
bus
trigger
voltage
transistor
gate
Prior art date
Application number
SU792725421A
Other languages
English (en)
Inventor
Дмитрий Васильевич Игумнов
Галина Петровна Костюнина
Игорь Степанович Громов
Original Assignee
Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский институт радиотехники, электроники и автоматики filed Critical Московский институт радиотехники, электроники и автоматики
Priority to SU792725421A priority Critical patent/SU790128A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU790128A1 publication Critical patent/SU790128A1/ru

Links

Landscapes

  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

Изобретение относитс  к импульсн технике и может быть применено в микроэлектронных устройствах дискретного действи . Известен триггер на МДП-транзист pax, содержащий два сложных вентил  и два простьлх вентил  на транзисторах дополн ющего типа проводимости fl . Недостаток известного устройства его сложность. Известен также триггер на МДПтранзисторах , содержащий два нагрузочных транзистора, включенных Межд шиной питани  и соответствующей выходной шиной, и два активных тран зистора с перекрестными св з ми, стоки которых подключены к соответствующим выходным шинам, а истоки к общей шине, причем параллельно каждому из активных транзисторов подключен транзистор, к затвору которого подключена соответствующа  входна  шина 2. Недостатком этого триггера  вл етс  его сложность и, как следств этого,большой вес, размеры, стоимость , меньша  надежность и степень интеграции. . Цель изобретени  - повышение экономичности триггера. Дл  достижени  поставленной цели в триггере, содержащем резистор ,. включенный между шиной питани  и выходной шиной, и МДП-транзистор со встроенным п-Ааналом, затвор которого подключен ко входной шине, подложка ВДП-транзистора подключена к выходной шине, а сток и исток - к общей шине. На фиг. 1 представлена электрическа  схема предлагаемого триггера; на фиг. 2 - экспериментальные кривые зависимости тока подложки от величины напр жени  на шине питани . В схеме триггера сток и исток МДП-транзистора 1 со встроенным п-каналом подключены к общей, шине 2, затвор - ко входной шине 3, а по.ц ожка - к выходной шине 4. Между выходной шиной 4 и шиной 5 питани  включен резистор 6. Из кривых зависимости тока подложки Л от величины напр жени  на шине питани  Е при трех значени х напр жени  на затворе U,, транзистора 1 (фиг. 2) дл  случа , когда сопротивление резистора б равно нулю, видно, что МДП-транзистор 1 при таком
включении обладает S-образной вольтамперной характеристикой, или имеет участок отрицательного сопротивлени 
Триггер работает следующим образом .
При поступлении на подложку МДПтранзистора 1 напр жени  отрицательной пол рности, равного к,в р-п переходах транзистора возникает лавинный пробой. По вившиес  за счет лавиного умножени  электроны прот гиваютс  окислом, попадают.в канал транзистора и уменьшают поверхностное сопротивление. В результате этого напр жение лавинного пробо  уменьшаетс  и формируетс  S-образна  характеристика . Изменением напр жени  на затворе U, можно измен ть эту характеристику , что соответствует изменению положени  рабочей точки на нагрузочной пр мой. Таким образом, изменением напр жени  на затворе осуществл етс  управление.переходом триггера из одного состо ни  в другое.
Триггер выполнен на одном МДПтранзисторе и одном резисторе и по сравнению с известными устройствами  вл етс  более экономичны вследствие уменьшени  веса, размеров , стоимости и увеличени  надежности и степени интеграции.

Claims (2)

1.Валиев К.А. и др. Микромощные интегральные схемы. М., Советское радио, 1975, с. 137, рис. 6,10.
2.Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором. М. , Советское радио,: 1971, с. 118, рис. 7,9.
Фел/
U,-f5e
90 ЕпСб
ЮX5070
Фие.2
SU792725421A 1979-02-19 1979-02-19 Триггер SU790128A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792725421A SU790128A1 (ru) 1979-02-19 1979-02-19 Триггер

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792725421A SU790128A1 (ru) 1979-02-19 1979-02-19 Триггер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU790128A1 true SU790128A1 (ru) 1980-12-23

Family

ID=20810522

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792725421A SU790128A1 (ru) 1979-02-19 1979-02-19 Триггер

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU790128A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wann et al. Channel profile optimization and device design for low-power high-performance dynamic-threshold MOSFET
KR910005794B1 (ko) 반도체 시간 지연소자
US3500062A (en) Digital logic apparatus
US3134912A (en) Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure
KR840004835A (ko) 집적가능 반도체계 전기용 회로
KR870009542A (ko) Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열
US3509379A (en) Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types
RU95112565A (ru) Переключающее устройство
JPS54148469A (en) Complementary mos inverter circuit device and its manufacture
SU790128A1 (ru) Триггер
JPS6342215A (ja) 電子機器
US6870405B2 (en) Method for driving an insulated gate semiconductor device using a short duration pulse
US6538279B1 (en) High-side switch with depletion-mode device
JPH0612869B2 (ja) Cmosダイナミツクram用時間遅廷回路
KR910001775A (ko) 반도체 기억장치
JPS601781B2 (ja) 双方向スイツチ
JPS55165682A (en) Mos field effect semiconductor device
RU148939U1 (ru) Силовое полупроводниковое устройство с обратным диодом
CN214228217U (zh) 一种反相器
JPS55166953A (en) Semiconductor integrated circuit device
SU1582350A1 (ru) Коммутатор напр жени
EP1264402A2 (en) Drive circuit and method for mosfet
JPS54117673A (en) N channel mis integrated circuit
JPS5667962A (en) Gate protection circuit of mos field effect transistor
Zarkob et al. Compact Modeling and Experimental Validation of Reverse Mode Impact Ionization in LDMOS Transistors within the BSIM-BULK Framework