SU790128A1 - Триггер - Google Patents
Триггер Download PDFInfo
- Publication number
- SU790128A1 SU790128A1 SU792725421A SU2725421A SU790128A1 SU 790128 A1 SU790128 A1 SU 790128A1 SU 792725421 A SU792725421 A SU 792725421A SU 2725421 A SU2725421 A SU 2725421A SU 790128 A1 SU790128 A1 SU 790128A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- bus
- trigger
- voltage
- transistor
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
Изобретение относитс к импульсн технике и может быть применено в микроэлектронных устройствах дискретного действи . Известен триггер на МДП-транзист pax, содержащий два сложных вентил и два простьлх вентил на транзисторах дополн ющего типа проводимости fl . Недостаток известного устройства его сложность. Известен также триггер на МДПтранзисторах , содержащий два нагрузочных транзистора, включенных Межд шиной питани и соответствующей выходной шиной, и два активных тран зистора с перекрестными св з ми, стоки которых подключены к соответствующим выходным шинам, а истоки к общей шине, причем параллельно каждому из активных транзисторов подключен транзистор, к затвору которого подключена соответствующа входна шина 2. Недостатком этого триггера вл етс его сложность и, как следств этого,большой вес, размеры, стоимость , меньша надежность и степень интеграции. . Цель изобретени - повышение экономичности триггера. Дл достижени поставленной цели в триггере, содержащем резистор ,. включенный между шиной питани и выходной шиной, и МДП-транзистор со встроенным п-Ааналом, затвор которого подключен ко входной шине, подложка ВДП-транзистора подключена к выходной шине, а сток и исток - к общей шине. На фиг. 1 представлена электрическа схема предлагаемого триггера; на фиг. 2 - экспериментальные кривые зависимости тока подложки от величины напр жени на шине питани . В схеме триггера сток и исток МДП-транзистора 1 со встроенным п-каналом подключены к общей, шине 2, затвор - ко входной шине 3, а по.ц ожка - к выходной шине 4. Между выходной шиной 4 и шиной 5 питани включен резистор 6. Из кривых зависимости тока подложки Л от величины напр жени на шине питани Е при трех значени х напр жени на затворе U,, транзистора 1 (фиг. 2) дл случа , когда сопротивление резистора б равно нулю, видно, что МДП-транзистор 1 при таком
включении обладает S-образной вольтамперной характеристикой, или имеет участок отрицательного сопротивлени
Триггер работает следующим образом .
При поступлении на подложку МДПтранзистора 1 напр жени отрицательной пол рности, равного к,в р-п переходах транзистора возникает лавинный пробой. По вившиес за счет лавиного умножени электроны прот гиваютс окислом, попадают.в канал транзистора и уменьшают поверхностное сопротивление. В результате этого напр жение лавинного пробо уменьшаетс и формируетс S-образна характеристика . Изменением напр жени на затворе U, можно измен ть эту характеристику , что соответствует изменению положени рабочей точки на нагрузочной пр мой. Таким образом, изменением напр жени на затворе осуществл етс управление.переходом триггера из одного состо ни в другое.
Триггер выполнен на одном МДПтранзисторе и одном резисторе и по сравнению с известными устройствами вл етс более экономичны вследствие уменьшени веса, размеров , стоимости и увеличени надежности и степени интеграции.
Claims (2)
1.Валиев К.А. и др. Микромощные интегральные схемы. М., Советское радио, 1975, с. 137, рис. 6,10.
2.Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором. М. , Советское радио,: 1971, с. 118, рис. 7,9.
Фел/
U,-f5e
90 ЕпСб
ЮX5070
Фие.2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792725421A SU790128A1 (ru) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | Триггер |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792725421A SU790128A1 (ru) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | Триггер |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU790128A1 true SU790128A1 (ru) | 1980-12-23 |
Family
ID=20810522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792725421A SU790128A1 (ru) | 1979-02-19 | 1979-02-19 | Триггер |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU790128A1 (ru) |
-
1979
- 1979-02-19 SU SU792725421A patent/SU790128A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wann et al. | Channel profile optimization and device design for low-power high-performance dynamic-threshold MOSFET | |
KR910005794B1 (ko) | 반도체 시간 지연소자 | |
US3500062A (en) | Digital logic apparatus | |
US3134912A (en) | Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure | |
KR840004835A (ko) | 집적가능 반도체계 전기용 회로 | |
KR870009542A (ko) | Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열 | |
US3509379A (en) | Multivibrators employing transistors of opposite conductivity types | |
RU95112565A (ru) | Переключающее устройство | |
JPS54148469A (en) | Complementary mos inverter circuit device and its manufacture | |
SU790128A1 (ru) | Триггер | |
JPS6342215A (ja) | 電子機器 | |
US6870405B2 (en) | Method for driving an insulated gate semiconductor device using a short duration pulse | |
US6538279B1 (en) | High-side switch with depletion-mode device | |
JPH0612869B2 (ja) | Cmosダイナミツクram用時間遅廷回路 | |
KR910001775A (ko) | 반도체 기억장치 | |
JPS601781B2 (ja) | 双方向スイツチ | |
JPS55165682A (en) | Mos field effect semiconductor device | |
RU148939U1 (ru) | Силовое полупроводниковое устройство с обратным диодом | |
CN214228217U (zh) | 一种反相器 | |
JPS55166953A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
SU1582350A1 (ru) | Коммутатор напр жени | |
EP1264402A2 (en) | Drive circuit and method for mosfet | |
JPS54117673A (en) | N channel mis integrated circuit | |
JPS5667962A (en) | Gate protection circuit of mos field effect transistor | |
Zarkob et al. | Compact Modeling and Experimental Validation of Reverse Mode Impact Ionization in LDMOS Transistors within the BSIM-BULK Framework |