SU739650A1 - Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах - Google Patents

Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах Download PDF

Info

Publication number
SU739650A1
SU739650A1 SU772492544A SU2492544A SU739650A1 SU 739650 A1 SU739650 A1 SU 739650A1 SU 772492544 A SU772492544 A SU 772492544A SU 2492544 A SU2492544 A SU 2492544A SU 739650 A1 SU739650 A1 SU 739650A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
elements
inputs
outputs
output
column decoder
Prior art date
Application number
SU772492544A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгения Алексеевна Зеленевская
Иван Михайлович Киселев
Виталий Георгиевич Тоценко
Original Assignee
Киевское Высшее Инженерное Радиотехническое Училище Противовоздушной Обороны
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Киевское Высшее Инженерное Радиотехническое Училище Противовоздушной Обороны filed Critical Киевское Высшее Инженерное Радиотехническое Училище Противовоздушной Обороны
Priority to SU772492544A priority Critical patent/SU739650A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU739650A1 publication Critical patent/SU739650A1/ru

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

Изобретение относитс  к запоминающе устройствам. Известны динамические запоминающие устройства на попупровопникоаь1Х прибоpax М Vfaj. Одно из известных устройств соде{)Ж1ГГ двоичные запоминшощие элементы расположенные в строках и столбцах матрицы, мультиплексоры, усилители записи-чте™« 111 Недостатком этого устройства, выцол ненного в виде больших интегральных схем (БИС),  вл етс  больщое кол чест во обращений к устройству прн его диагностической проверке. Наиболее близким по технической с ности к предложенному устройству  вл$ьетс  динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых 11риборах, содержащее матр иу запоминающих элементов , соединенную с усилител ми запвсв- чтени  и ключами, элементы НЕ, подключенные к дешифретору столбцов и дешифратору строк, соединенному с ключами, блок выбора кристалла, подключенный к одному из входов дешифратора столбцов, усилители входного еигнапа и сигнала зап1к:и, соеднненвые с усилител ми записи-чтени  и ключами, усилитель тестового свгйала и угфавл ющие шинь 2 . Недостатком аггого оперативного з поминающего устройства (ОЗУ)  вл етс  слаба  приспособленность его дл  проведени  технического диагностировани . Если прн диагностировании;ОЗУ ш пользовать толыео esro внешние выводы, то дл  достихсени  требуемой достоверности результатов конггрол  необходимо за один цикл коэтрол  сформировать )ш  одного такотч кристалла несколько миллионов кодов. Вследствие этого длительность, данной технологической операции становитс  недайуствмо большой, что существенно снижает быстродействие устройс.. ва (с учетом времени, необходимого дл  )аиагностики). Цепь изобретени  - повышение быстродействи  устройства за счет сокршце ни  времени диагностировани . Это достигаетс  тем, что устройство содержит элементы ИЛИ-НЕ и И-НЕ и дополнительные элементы НЕ, причем выходы усилителей записи-чтени  соедиHBEbi с одними из входов первых элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, другие входы.которых соединены с 66тветствённо;с одн6й из управл ющих шин, первым входом второго элемента И-НЕ и через первый до- . полнительный элемент НЕ с вьГх6д6м второго элемента И-НЕ, выходы первых элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ через второй дополнительный элемент НЕ и непосредст .венно подключены к входам второго элемента ИЛИ-НЕ, выход которого соединен с выходом устройства, второй вход второг эйемевгга И-НЕ соединен с выходом ус илител  тестового сигнала. При этом дешифратор столбцов целесообразно выполнить таким образом, чтобы он содержал три группы элементов ИЛИ-Н причем входы элементов ЙЛИ-НЕ первой группы и одни из входов элементов ИЛИ-Н Ё горой и третьей групп подключены к вхо дам дешифратора столбцов, другие входы элементов ИЛИ-НЕ второй и третьей групп подключены соответственно к выходам эле ментов ЙЛИ-НЕ первой и второй грушт а. выхода элементов ИЛИ-НЕ третьей группы соединеж с выходами дешифратора столбцов . . На чертеже изображена функциональна  cisJeMa динамического ОЗУ, выполненного в виде БИС емкостью, например, 1024 бит. Устройство содержит матрицу 1 запок инающих элементов,; состо вдуто, например из восьми одинаковых функциональных блоков , элементы НЕ 2, дешифраторов строк ключи 4, элементы НЕ 5, блок 6 выбора кристаллов, три группы элементов ИЛИ-НЕ 7-9, образующие дешифратор 10 столбцов, усилитель 11 входного сигнала, усилитель 12 сигнала записи, усилители 13 записичтени , первый элемент.И-НЕ 14, первый элемент ИЛЙ-НЕ 15, первый дополнительный элемент НЕ. 16 второй элемент ИЛИНЕ 17, второй элемент И-НЕ 18, второй дополните льны и элемент НЕ 19, усилитель 20 тестового сигнала. Выхода усилителей 13 соединены с одними из входов элементов Й-НЕ 14 и. ЙЛИ-НЕ 15, другие входы которых соединены б рответственно с однойИЗ управл ющих шин 21, первым входом элемента И-НЕ ;18 и через элемент НЕ 16 с выходом элемента И-НЕ 18. Выходы элементов И-НЕ 14 и ИЛИ-НЕ 15 чере.з элемент НЕ 19 и непосредственно подключены ко входам элемента ИЛИ-НЕ 17, выход которого соединен с выходом устройства, ьторой вход элемента И-НЕ 18 соединен с выходом усилител  20. Дешифратор 10 столбцов содержит три группы элементов ИЛИ-НЕ 7-9. Входы эпёме1ггов ИЛИ-НЕ 7 и одни из входов элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подключены к входам дешифратора 10, другие входы элементов ИЛИ-НЕ 8 и 9 подклйчены соответственно к выходам элементов ИЛИ-НЕ 7 и 8, а выходы элементов ИЛИ-НЕ 9 соединены с выходами дешифратора 10 столбцов. Выходы 32 усилителей 13 записичтени  объединены в 8 групп с помощью монтажных элементов ИЛИ по 4 выхода в каждой группе (на чертеже не пока .зано). Групповые выходы соединены с 8 входами элемента И-НЕ 14 и ИЛИ-НЕ 15. На 9-й вход элемента И-НЕ 14 подаетс  эталонный тест, а на 9-й вход элемента ИЛИ-НЕ 15 поступает сигнал совпадени  признака Тест ОЗУ , и еди1ШЧНОГО значени  эталонного теста. Таким образом, при отсутствии сигнала Тест ОЗУ записываема  (или считываема ) информаци  по витс  топ.ько на выходе одного из 32 усилителей записи-чтени  и на выходе ОЗУ. При подаче сигнала Тест ОЗУ считывание (запись) информации происходит одновременно по одному и тому же адресу в каждом функциональном блоке матриць ОЗУ. . , f Таким образом, при исправном ОЗУ зна«1ени  выходных сигналов. . всех групповых выходов должны .совпадать собой и быть р.авными значению ..сигнала на шине 21. Только в этом случае на выходе ОЗУ сигнал отказа отсутствует. Ь , противном случае на выходе ОЗУ по витс  сигнал отказа. Провер ющий тест при этом строитс  только дл .одного функционального блока матрицы ОЗУ, т.е.  вл етс  значительно более коротким, чем в известном устройстве. 2l . Наличие шиньг 21 позвол ет повьюить достоверность результатов диагностировани  ОЗУ и в ервую очередь его электронного обрамлени . Дл  реконфигурации О 35 в режи- . ме тестового диагностировани  на 8 функциональных блоков происходит соответсТвзлсйца  перестройка дешифратора Ю. Число фушсциональных частей К, на которое расчлен етс  матрица ОЗУ, оп

Claims (2)

1. Д и нами чес кое з алом инающее устройство, на полупроводниковых приборах, содержащее матрицу запоминающих элемен- *5 тов, соединенную с усилителями, записичтения и ключами, элементы НЕ подключенные к дешифратору столбцов и дешифратору строк, соединенному с ключами, блок выбора кристалла, подключенный к одному 20 из входов дешифратора столбцов, усилители входного сигнала и сигнала записи, соединенные с усилителями записи-чтения и ключами, усилитель тестового сигнала и управляющие шины, отличаю - 25 щ е е с я тем, что, с цепью увеличения быстродействия, оно содержит элементы ИЛИ-HE, и И-НЕ и дополнительно элементы НЕ, причем выходы усилителей записи-чтения соединены с одними из вхо- 30 дов первых элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ, другие входы которых соединены соответственно с одной из управляющих шин^первым в^одбм второго элемента И-НЕи через первый дополнительный элемент НЕ. с выходом второго элемента И-НЕ, выходы первых элементов И-НЕ и ИЛИ-HE через второй дополнительный элемент НЕ и непосредственно подключены к входам второго элемента ИЛИ-HE, выход которого' соединен с выходом устройства, второй вход второго элемента И-ίΙΕ соединен с выходом усилителя тестового сигнала.
2. Устройство по π. 1, о т л и чего щ е е с я тем, что дешифратор столбцов содержит три группы элементов ИЛИНЕ, причем входы элементов ИЛИ—НЕ первой группы и одни из входов элементов ИЛИ-НЕ второй и третьей групп подключены к входам дешйфратора столбцов, другие входы элементов ИЛИ-HE второй и третьей групп подключены соответственно к выходам элементов ИЛИ-HE первой и второй групп, а выходы элементов ИЛИ-HE третьей группы соединены с выходами дешифратора столбцов.
SU772492544A 1977-06-03 1977-06-03 Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах SU739650A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772492544A SU739650A1 (ru) 1977-06-03 1977-06-03 Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU772492544A SU739650A1 (ru) 1977-06-03 1977-06-03 Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU739650A1 true SU739650A1 (ru) 1980-06-05

Family

ID=20711736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU772492544A SU739650A1 (ru) 1977-06-03 1977-06-03 Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU739650A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940000148B1 (ko) 듀얼포트 반도체 기억장치
US4908798A (en) Semiconductor memory device with memory cell arrays and a redundant memory cell array associated with a small number of write-in and sense amplifying circuits
US4464750A (en) Semiconductor memory device
US5761213A (en) Method and apparatus to determine erroneous value in memory cells using data compression
US4903268A (en) Semiconductor memory device having on-chip error check and correction functions
KR960016805B1 (ko) 병렬 비트 테스트 모드 내장 반도체 메모리
US4916700A (en) Semiconductor storage device
US5519712A (en) Current mode test circuit for SRAM
KR930020678A (ko) 반도체 기억 장치
KR890015270A (ko) 반도체메모리장치
EP0456255B1 (en) Dynamic memory device and method for screening the same
US5774472A (en) Semiconductor memory device capable of realizing stable test mode operation
SU739650A1 (ru) Динамическое запоминающее устройство на полупроводниковых приборах
JP3237579B2 (ja) メモリテスト回路
US6189119B1 (en) Semiconductor memory device having test mode
KR970030584A (ko) 반도체 기억장치
KR940011428B1 (ko) 반도체 기억장치의 테스트 회로
US6529428B2 (en) Multi-bit parallel testing for memory devices
EP0263312A2 (en) Semiconductor memory device with a self-testing function
JPS59132489A (ja) 半導体記憶装置
US4757523A (en) High speed testing of integrated circuit
JPH0449196B2 (ru)
SU1149312A1 (ru) Устройство дл контрол микросхем оперативной пам ти
SU1010651A1 (ru) Запоминающее устройство с самоконтролем
JPH081746B2 (ja) 半導体記憶装置