SU729478A1 - Способ приготовлени образцов дл исследований состава и структуры пленок - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к подготовке образцов дл  иссследовани , в частности при определении состава и структуры тонких пленок различных материалов, предварительно осажденных на подложки.

Специфика осаждени  тонких пленок на подложки вследствие высокой адгезии осложн ет их отделение от подложки дл  исследований структуры пленок и их состава.

Известен способ приготовлени  образцов дл  исследовани , основанный на разных скорост х травлени  пленки и подложки 1}. Образцы , представл ющие собой шайбы монокрйсталлического кремни  с нанесенной исследуемой пленкой, подвергают травлению в травитеда состава HF-НМОэ.

Этот способ хот  и обеспечивает возможность осаждени  пленки при высоких температурах ,  вл етс  трудоемким требует специального травител , большую разницу в скорост х травлени  подложки и пленки, что не всегда выполнимо.

Известен способ приготовлени  образцов дл  исследовани  состава и структуры пленок.

включающий осаждени  пленки на пирографите 2.

Отделение пленок, осажденных на пластины КЗ пирографита, не производилось.

Цель изобретени  - отделение пленки от подложки дл  изучени  структуры и состава полученных пленок.

Это достига,. С-т тем, что производ т отжиг образца в окислительной среде при 500-550° С.

Способ осуществл ют следующим образом.

10

Подложку с осажденными пленками помещают в печь с температурой 500 или 550° С. При этом из-за окислени  графита (C+Oj- COj), сопровождающегос  образованием и выделением углекислого газа, происходит вспучивание

15 и отделение пленки от подложки.

Были изготовлены тонкие пленки SiOj и SssN дл  электронографических исследований .

Пример. В качестве подложек ис20 пользуют пластины пирографита толщиной 2-5 мм и площадью 10 х 10 мм. Пластины вырезают из куска пирографита ножовочным , полотном и затем полируют шлифовальной бумагой нулевого номера. После шлифовки пластины промьтают этиловым спиртом рросушивают в сушильном шкафу при 120±20°С в течение 1 ч. На очищенные пластины плазмохимнческим способом нанос т пленки SJaN или SiQ2 пленки 2. Толщина пленок варьируетс  в интервале 300-1000А. Далее подложки с осажденными пленками помещают в печь с темп ратурой 500° Г или на электрическую плитку с открытой спиралью мощностью больше б60 Вт. Отделение пленки происходит через 15-20 мин и хорошо наблюдаетс  визуально. После охлазк дени  образца до комнатной температуры исследуемую пленку пинцетом перенос т на электронографическую (никелевую) сетку и в дальнейшем используют дл  электронографических исследований.

П р и м е р 2. Используют те же приемы,, что и в примере 1, но нагрев осуществл ют в печи с температурой 550° С. Отделение пленки полное, и весь процесс отделени  происходит за более короткое врем  - 10-12 мин.

При проведении отжига при 400° С отделение пленки происходит только в атмосфере кис лорода и врем  отделени  составл ет 40 мин; при температуре 600° С и Bbipie возможен разрьш пленки конвенционными потоками воздуха .

Таким образом, наилучшими услови ми дл  отделени  Пленки  вл етс  интервал температур 500-550° С.

Предлагаемый способ позвол ет упростать технологию приготовлени  образцов дл  исследований структуры и состава широкого круга материалов. Этот способ дает возможность исследовать материалы, осаждение Пкоторых проходит при температурах выше 500°С. Пленки, приготовленные этим способом, отличались вы сокой механической прочностью и целостностью при различных манипул ци х с ними.

Claims (2)

1.Прохоров В. И., Сорокин Л. М. - ПТЭ, 1973, N« 3, с. 220.

2.Водзинский В. Ю. и др. К вопросу о механизмах синтеза пленок SiOj. - II Всесоюзное совещание по металлоорганическим соеди нени м дл  получени  металлических и окисиых покрытий. М. Наука , 1977, с. 79.