SU637766A1 - Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств - Google Patents

Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств

Info

Publication number
SU637766A1
SU637766A1 SU762340029A SU2340029A SU637766A1 SU 637766 A1 SU637766 A1 SU 637766A1 SU 762340029 A SU762340029 A SU 762340029A SU 2340029 A SU2340029 A SU 2340029A SU 637766 A1 SU637766 A1 SU 637766A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
electronic device
passive element
integrated opto
device passive
integrated
Prior art date
Application number
SU762340029A
Other languages
English (en)
Inventor
Александр Давидович Гингис
Валерий Павлович Орешкин
Алексей Петрович Переверзев
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6707
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6707 filed Critical Предприятие П/Я Р-6707
Priority to SU762340029A priority Critical patent/SU637766A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU637766A1 publication Critical patent/SU637766A1/ru

Links

Description

(54) ПАССИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ОПТОЗЛЕКТРОНКЫХ
УСТРОЙСТВ
кой cHQTeMbi, например меди или серебра, а слой 4 - из халькогенндиого соединени  мышь ка, например AstS или AssSctФормула изобретени 
Пассивиый элемент интегральных оптоэлектронных устрЫ1ств, выполненный в виде рабочего сло , нанесенного на подложку, отличающийс  тем, что, с целью расширени  диапазона используемых материалов подложки , рабочий слой выполнен в виде расположенных друг над другом на слое проэкспонированного светочувствительного материала промежуточного сло  из материала элементов побочной подгруппы группы периодической системы и проэкспонированного верхнего сло  светочувствительного материала , при этомуказанные проэкспонированные слои выполнены из халькогенидпого соединени  ммшь ка.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:
1.«Зарубежна  радиоэлектроника, М., «Советское радио, 1970, № 12.
2.«Зарубежна  электронна  техника, М., ЦНИИ «Элёктроннка, 1975, № 12.
SU762340029A 1976-03-04 1976-03-04 Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств SU637766A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762340029A SU637766A1 (ru) 1976-03-04 1976-03-04 Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762340029A SU637766A1 (ru) 1976-03-04 1976-03-04 Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU637766A1 true SU637766A1 (ru) 1978-12-15

Family

ID=20654231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762340029A SU637766A1 (ru) 1976-03-04 1976-03-04 Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU637766A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT8120132A0 (it) Metodo di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di tale metodo.
JPS5710992A (en) Semiconductor device and manufacture therefor
DE3280202D1 (de) Heterouebergang-halbleitereinrichtung mit hoher elektronenbeweglichkeit.
IT7826940A0 (it) Metodo di fabbricazione di un dispositivo seminconduttore e dispositivo semiconduttore fabbricato con l'ausilio di tale metodo.
DK474079A (da) Substrat til batteriseparator
JPS5578548A (en) Method of forming mutually connecting structure on semiconductor substrate
IT7922733A0 (it) Deposizione di piste conduttrici su dispositivi semiconduttori.
IT7927639A0 (it) Materiali organici aventi unita'meta, para-isopropilidendifenossi e loro metodo di preparazione.
KR920007254A (ko) 반도체장치
DE3787662D1 (de) Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung gemusterter Metallschichten.
SU637766A1 (ru) Пассивный элемент интегральных оптоэлектронных устройств
DE3888341T2 (de) Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm.
JPS5350686A (en) Production of semiconductor integrated circuit
IT7928165A0 (it) Metodo di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore e dispositivo semiconduttore ottenuto con tale metodo.
JPS5577156A (en) Method of forming mutually connecting structure on semiconductor substrate
JPS53115173A (en) Production of semiconductor device
JPS57198814A (en) Optoelectrical encoder
JPS5269297A (en) Manufacture of josephson element
JPS5387668A (en) Forming method of patterns
BE855889A (fr) Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur
DE3850084D1 (de) Ein Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm.
DE3853273D1 (de) Ein Halbleitersubstrat mit einem supraleitenden Dünnfilm.
JPS5732683A (en) Semiconductor device
JPS53148282A (en) Semiconductor device
JPS57144555A (en) Electrophotographic receptor