SU612610A3 - Способ получени эпитаксиальных слоев кремни - Google Patents

Способ получени эпитаксиальных слоев кремни

Info

Publication number
SU612610A3
SU612610A3 SU742025410A SU2025410A SU612610A3 SU 612610 A3 SU612610 A3 SU 612610A3 SU 742025410 A SU742025410 A SU 742025410A SU 2025410 A SU2025410 A SU 2025410A SU 612610 A3 SU612610 A3 SU 612610A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
hydrogen
silane
mixture
chamber
Prior art date
Application number
SU742025410A
Other languages
English (en)
Inventor
Френсис Корбой Джон
Варри Куллен Гленн
Лэйерз Пэстэл Николас
Original Assignee
Рка Корпорейшен (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Рка Корпорейшен (Фирма) filed Critical Рка Корпорейшен (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU612610A3 publication Critical patent/SU612610A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/0242—Crystalline insulating materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/007—Autodoping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/025—Deposition multi-step
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/129—Pulse doping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ
КРЕМНИЯ муму проблему самопроизвольного проникновепи  в слой примесей путем использовани  такой низкой температуры и такой высокой скорости роста, которые были бы приемлемы в OTiioujeHiiH допустимых характеристик совершенства кристалла и электрических свойств в кристаллическом осадке. Дл  активных устройств наиболее желательно , чтобы подвижность носителей тока (холловска  подвижность) была относительно высока, токи утечки относительномалы, а врем  жизни неосновного носител  тока относительно продол жнтельно. Наилучшие характеристики КНС/ КНШ-транзисторов были достигнуты нри сло х толщиной более 0,8 мкм. Однако толщина эпитаксиальпого сло  должна быть достаточно малой дл  получени  приемлемых электрических характеристик: при уменьшенной толишне снижаютс  повреждени  металлизации по ра м сло , служапхей коптактом дл  подсоединени  к э.пе.ктродам. Келатсльно, чтобы осажденный на сапфир и.ти шнипе.чь энитаксиальный кремниевый с.й()й име/ толщину пор дка 0,5 мкм, что дает возможность изготовл ть хорошие транзисторы, характористпки которых не уступают характеристикам траизисторов, изготовленных на сло х толщиной в 1 мкм и более. Одной из причин трудности достижени  это|-о при скорости вырап ивани  2,0 мкм/мин было то, что дл  осаждени  такого сло , принима  во внимание перечисленн1: 1е выше факторы, требовалось 15 сек. Этого времени слишком мало дл  воспроизводи мого управлени  скорост .ми иотока газа и концентраци ми при иеобходимости изменени  типа проводимости или концентрации носител  на поверхности раздела кремпий-цод,тожка. Цель изобретени  состоит в уменынеиш загр знени  получаемого эп1ггаксиального сло  кре.мнн  и у.мучшени  его кристаллической структуры. Дл  этого предлагаетс  осаждать сначала первую часть сло  толпишой 0,05-0,2 мкм ири средней скорости роста 4-6 мкм/мин, а затем вторую часть сло  нри скорости роста не более 0,5 мкм/мин. Первую часть сло  целесообразно осаждать из сжатой под давлением смеси силана и водорода, а вторую часть сло  - иепосредственно за первой при более низком содержании силана в смеси, чем при осаждепни первой части сло . Дл  осаждени  первой части сло  предпочтительно использовать смесь содержан ую 4-6 об.ч. водорода и 1 об.ч. 6%-ного силана в водороде, а дл  осаждени  второй части сло  - смесь, содержащую 45-55 об.ч. водорода и 1 об.ч. 6 /о-ного силапа в водороде. На фиг. 1 изображен реактор дл  осуществлени  предлагаемого способа, разрез; на фпг. 2 показана схема систе.мы иодачи и смещиванин газов. Предлагаемый ссюсоб получени  эпитаксиальных слоев кре.мни  может быть осуществлен с использованием реактора как верт1 кальпого, гак II горизонтально10 типа. Ниже огн1сываетс  осуществленпе способа в вертикальном реакторе цилиндрического типа. Реактор (фиг. 1) имеет реакционную камеру 1 куполообразной формы. Между внутренними 2 и наружны.ми 3 стенками камеры может циркулировать вода дл  охлаждени  внутренних стенок при работе камеры. Верх камеры снабжен каналом 4 дл  впуска газа. В камере 1 сверху подвешено дискообразное газонаправл ющее устройство 5. Это устройство располагаетс  так, чтобы вход щие газы направл лись к стенка.м камеры. Камера 1 установлена на полом основании 6, внутрь которого при помощи впускного 7 и выпускного 8 каналов может подаватьс  вода . Внутри камеры 1 установлена подставка 9, врап,ающа с  на вертикальной оси 10 и изготовл ема , например, из углерода. Подставка имеет форму шестигранной усеченной призмы , у которой кажда  из шести. наклонных поверхностей 11 снабжена буртом 12 дл  установки на нем обрабатываемой полупроводниковой подложки 13. Ось 10 установлена на вертикальном валу 14, помещенном внутри муф,ты 15 и снабженном подшипником 16. Нижний конец вала 14 снабжен шкивом 17, который приводитс  в движение через ременную передачу 18 от двигател  19 с регулируемой скоростью. При,работе реактора подставка 9 медленно вращаетс  в циркулирующих через камеру 1 газах. Смесь реакционных газов (силан, водород и легирующа  примесь) поступает в реакционную камеру 1 из системы смещивани  и подачи газов (фиг. 2). Система содержит три впускных трубопровода 20, 21 и 22 дл  подачи легирующей примеси , силана и водорода соответствен {о. Трубопроводы 20, 21 и 22 снабжены соответственно устройствами 23, 24 и 25 дл  регулировани  потока газа, распределительными клапанами 26, 27 и 28 и регулирующими давление клапанами 1%30 н 31. Впускные трубопроводы 20, 21 и 22 соединены через контрольный клапан 32 с одной стороной камеры 33 подготовки смеси, снабженной манометром 34. К противоположному концу камеры 33 подсоединен выпускной иасадок 35. К выпускному трубопроводу 36, отход ще .му от насадка 35, подсоединен контрольный клапан 37. Выпускной трубопровод 36 св зан с отводным трубопроводом 38, выпуск газа из которого регулируетс  выхлонны.м к,1апаном 39. Ответвление 40 соедин ет выход контрольного клапана 37 с каналом 4 дл  выпуска газа в реакционную камеру 1 (фиг. 1). .Другой впускной трубоировод 41 соедин ет общий выход второй группы впускных трубопроводов (на схеме не показаны) с трубопроводом 41 через контрольный клапан 42. Пример. Дл  осаждени  эпитаксиального сло  кре.мни  из смеси силана, водорода и легирующей примеси в две стадии исио,- ьзуют описанные выше вертикальный реактор и систему смешивани  и подачи газов (дутна подготовительной камеры 33 равна 12,7 cSi,
диаметр - 5 см; диаметр выпускного насадка ii5 равен 1,27 мм).
Перед началом процесса осаждени  камеру 33 промывают используемыми газами. Клапаны 32 и 39 открывают, клапан 37 закрывают , клапаны 26, 27 и 28 открывают дл  впуска легирующего газа из трубопровода 20, силана из трубопровода 21 и водорода из трубопровода 22 в камеру 33. Скорость потока газов регулируют так, чтобы получить смесь, содержащую 100 см легирующего газа, пр.едставл ющего собой водород с взвешенными нем 100 ч./млн. диборана или арсина (в зависимости от желаемого типа присадки), 5000 см 6%-ного силана в .водороде и 25000 см водорода. Газы сначала пропускают через камеру 33 и всю остальную систему, включа  отводной трубопровод 38, с целью вытеснени  воздуха, затем клапан 39 закрывают и камера 33 заполн етс  газовой смесью при давлении 4 кг/cм, после чего клапан 32 закрывают.
Подставку 9 нагревают до 1000°С током высокой частоты и привод т во вращение со скоростью 18 об/мин. Затем клапан 37 открывают и газы из камеры 33 мгновенно впускают в реакционную камеру 1. Газы проход т над нагретыми полупроводниковыми подложками 13 и начинают осаждать на них эпитаксиальный слой креМни . Монокристаллический слой кремни  толщиной примерно 0,1 мкм осаж даетс  в течение 1-1.5 сек. В конце этого короткого промежутка времени клапан 37 закрывают , отсека  таким образом камеру 33 и св занную с ней трубопроводную систему от остальной части системы смещивани  и подачи газов, св занной с ответвлением 40 впускным трубопроводом 41.
Тем .временем проводитс  подготовка дл  наращивани  второй части сло  с более низкой скоростью по обычной технологии. По окончании первой, описанной выще стадии процесса открывают клапан 42 и в камеру 1 впускают смесь, содержащую 50 см водорода, содержащего 10 ч./млн. диборана или арсина, 500см 6%-ного силана в водороде и 24000 см водорода . Этим обеспечиваетс  дальнейщий рост эпитаксиального .сло  кремни , но с гораздо меньшей скоростью.
Втора  стади  роста продолжаетс  в темение времени, необходимого дл  получени  желаемой толщины сло  кремни . Например, скорость роста может поддерживатьс  в пределах от 0,1 до 0,5 мкм/мин, а обща  толщина сло  может быть равна 0,5 мкм.
На обеих стади х могут вводитьс  одинаковые или различные легирующие примеси. На первой стадии может быть введено большое количество примеси, как это описано выще. В этом примере на первой стадии введено примеси от 10 .1,о10 атомов/см, а на второй - около 10 атомов/см2.
Предложенный способ описан дл  случа  осаждени  эпитаксиального сло  кремни  на подложке из сапфира или шпинели. Однако его можно использовать везде, где существует опасность нежелательного внедрени  загр знений из подложки в осаждае.мый, кристаллический слой и по влени  в осажденном слое нежелательных свойств, так как проведение процесса в две стадии уменьшает загр знение сло  из подложки и улучшает его кристаллическую структуру.

Claims (3)

1.Способ получени  эпитаксиальных слоев кремни  осаждением их на нагретой сапфировой или шпинелевой подложке из газовой смеси силана и водорода, отличающийс  тем, что, с целью уменьшени  загр знени  сло  и улучшени  его кристаллической структуры, сначала осаждают первую часть сло  толщиной 0,05- 0,2 мкм при средней скорости роста 4-6 мкм/мин, а затем вторую часть сло  при скорости роста не более 0,5 мкм/мин.
2.Способ по п. 1, отличающийс  тем, что первую часть сло  осаждают из сжатой под давлением смеси силана и водорода, а вторую часть сло  осаждают непосредственно за первой при более низком содержании силана в смеси, чем при осаждении первой части сло .
3.Способ по п. 2, отличающийс  тем, что дл  осаждени  первой части сло  используют смесь, содержащую 4-6 об.ч. водорода и 1 об.ч. 6°/о-ного еилана в водороде, а дл  осаждени  второй части сло  используют смесь, содержащую 45-55 об.ч. водорода и 1 об.ч. 6°/о-ного силана в водороде.
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе:
1. «J. Electrochem. Soc., 1970, 117, р 812- 814.
нго
,5
НгО
SU742025410A 1973-08-17 1974-05-16 Способ получени эпитаксиальных слоев кремни SU612610A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US389192A US3885061A (en) 1973-08-17 1973-08-17 Dual growth rate method of depositing epitaxial crystalline layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU612610A3 true SU612610A3 (ru) 1978-06-25

Family

ID=23537232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU742025410A SU612610A3 (ru) 1973-08-17 1974-05-16 Способ получени эпитаксиальных слоев кремни

Country Status (14)

Country Link
US (1) US3885061A (ru)
JP (1) JPS547556B2 (ru)
BE (1) BE814071A (ru)
CA (1) CA1025334A (ru)
CH (1) CH590084A5 (ru)
DE (1) DE2422508C3 (ru)
FR (1) FR2245406B1 (ru)
GB (1) GB1459839A (ru)
IN (1) IN141844B (ru)
IT (1) IT1012165B (ru)
NL (1) NL7406548A (ru)
SE (1) SE401463B (ru)
SU (1) SU612610A3 (ru)
YU (1) YU39168B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2618279C1 (ru) * 2016-06-23 2017-05-03 Акционерное общество "Эпиэл" Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3986192A (en) * 1975-01-02 1976-10-12 Bell Telephone Laboratories, Incorporated High efficiency gallium arsenide impatt diodes
US4201604A (en) * 1975-08-13 1980-05-06 Raytheon Company Process for making a negative resistance diode utilizing spike doping
AU530905B2 (en) * 1977-12-22 1983-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
DE2943634C2 (de) * 1979-10-29 1983-09-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Epitaxiereaktor
US4279688A (en) * 1980-03-17 1981-07-21 Rca Corporation Method of improving silicon crystal perfection in silicon on sapphire devices
US4596208A (en) * 1984-11-05 1986-06-24 Spire Corporation CVD reaction chamber
GB2185758B (en) * 1985-12-28 1990-09-05 Canon Kk Method for forming deposited film
US4772356A (en) * 1986-07-03 1988-09-20 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US4838983A (en) * 1986-07-03 1989-06-13 Emcore, Inc. Gas treatment apparatus and method
US4775641A (en) * 1986-09-25 1988-10-04 General Electric Company Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices
CA1332039C (en) * 1987-03-26 1994-09-20 Takao Yonehara Ii - vi group compound crystal article and process for producing the same
US5281283A (en) * 1987-03-26 1994-01-25 Canon Kabushiki Kaisha Group III-V compound crystal article using selective epitaxial growth
JPS63237517A (ja) * 1987-03-26 1988-10-04 Canon Inc ３−５族化合物膜の選択形成方法
CA1321121C (en) * 1987-03-27 1993-08-10 Hiroyuki Tokunaga Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same
US5304820A (en) * 1987-03-27 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing compound semiconductor and semiconductor device using compound semiconductor obtained by same
JPH01161826A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Toshiba Corp 気相エピタキシャル成長法
US5104690A (en) * 1990-06-06 1992-04-14 Spire Corporation CVD thin film compounds
USH1145H (en) 1990-09-25 1993-03-02 Sematech, Inc. Rapid temperature response wafer chuck
JP2000223419A (ja) 1998-06-30 2000-08-11 Sony Corp 単結晶シリコン層の形成方法及び半導体装置の製造方法、並びに半導体装置
CN116884832B (zh) * 2023-09-06 2023-12-15 合肥晶合集成电路股份有限公司 半导体器件及其制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3189494A (en) * 1963-08-22 1965-06-15 Texas Instruments Inc Epitaxial crystal growth onto a stabilizing layer which prevents diffusion from the substrate
US3663319A (en) * 1968-11-20 1972-05-16 Gen Motors Corp Masking to prevent autodoping of epitaxial deposits
US3669769A (en) * 1970-09-29 1972-06-13 Ibm Method for minimizing autodoping in epitaxial deposition
US3765960A (en) * 1970-11-02 1973-10-16 Ibm Method for minimizing autodoping in epitaxial deposition
JPS5113607B2 (ru) * 1971-08-24 1976-05-01

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2618279C1 (ru) * 2016-06-23 2017-05-03 Акционерное общество "Эпиэл" Способ изготовления эпитаксиального слоя кремния на диэлектрической подложке

Also Published As

Publication number Publication date
SE7406350L (ru) 1975-02-18
FR2245406A1 (ru) 1975-04-25
SE401463B (sv) 1978-05-16
DE2422508A1 (de) 1975-03-13
CH590084A5 (ru) 1977-07-29
CA1025334A (en) 1978-01-31
AU6895474A (en) 1975-11-20
GB1459839A (en) 1976-12-31
JPS5046481A (ru) 1975-04-25
NL7406548A (nl) 1975-02-19
BE814071A (fr) 1974-08-16
FR2245406B1 (ru) 1982-09-24
IT1012165B (it) 1977-03-10
YU223674A (en) 1982-05-31
IN141844B (ru) 1977-04-23
JPS547556B2 (ru) 1979-04-07
US3885061A (en) 1975-05-20
DE2422508B2 (de) 1978-11-23
YU39168B (en) 1984-08-31
DE2422508C3 (de) 1979-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU612610A3 (ru) Способ получени эпитаксиальных слоев кремни
US5487358A (en) Apparatus for growing silicon epitaxial layer
KR100272891B1 (ko) 저온, 고압 상태에서의 실리콘 증착방법
KR920003291B1 (ko) 반도체 장치 제조방법
CN1570225A (zh) 通过气相淀积制备单晶的设备和方法
CN1434884A (zh) 在化学汽相淀积工艺中使用的改进的基座
KR20180042228A (ko) 단결정 실리콘 상에 결정축을 따라서 3C-SiC을 성장시키는 방법
US3663319A (en) Masking to prevent autodoping of epitaxial deposits
KR100765866B1 (ko) 박막 기상 성장 방법 및 이 방법에 이용되는 박막 기상성장 장치
US3413145A (en) Method of forming a crystalline semiconductor layer on an alumina substrate
US4137108A (en) Process for producing a semiconductor device by vapor growth of single crystal Al2 O3
JPS63939B2 (ru)
JPH01157519A (ja) 気相成長装置
JPS6316617A (ja) 気相成長装置
CN218666407U (zh) 一种用于同一气源供应多个反应室的进气系统
JP3231312B2 (ja) 気相成長装置
US3445300A (en) Method of epitaxial deposition wherein spent reaction gases are added to fresh reaction gas as a viscosity-increasing component
JPS58223317A (ja) 化合物半導体結晶成長法及びその装置
KR20030034304A (ko) 탄화규소 박막증착방법 및 장치
JPS54102295A (en) Epitaxial crowth method
US6774019B2 (en) Incorporation of an impurity into a thin film
JPS5493357A (en) Growing method of polycrystal silicon
JPS62208637A (ja) 気相成長方法
GB2191510A (en) Depositing doped polysilicon films
KR950000510B1 (ko) 반도체 제조장치