SU598159A1 - Делитель напр жени на мдп-транзисторе - Google Patents

Делитель напр жени на мдп-транзисторе

Info

Publication number
SU598159A1
SU598159A1 SU762324396A SU2324396A SU598159A1 SU 598159 A1 SU598159 A1 SU 598159A1 SU 762324396 A SU762324396 A SU 762324396A SU 2324396 A SU2324396 A SU 2324396A SU 598159 A1 SU598159 A1 SU 598159A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
voltage divider
mds
transistor voltage
drain
gate electrode
Prior art date
Application number
SU762324396A
Other languages
English (en)
Inventor
Мадияр Фахритдинович Зарипов
Ирина Юрьевна Петрова
Василий Петрович Ястребцев
Владислав Валентинович Попов
Original Assignee
Уфимский Авиационный Институт Им. Ордоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уфимский Авиационный Институт Им. Ордоникидзе filed Critical Уфимский Авиационный Институт Им. Ордоникидзе
Priority to SU762324396A priority Critical patent/SU598159A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU598159A1 publication Critical patent/SU598159A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Description

(54) ДЕЛИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ НА МДП-ТРАНЗИСТОРЕ
Изобретение относитс  к области полупроводниковой техники и может быть использовано в качестве делител  напр жени , переменного резистора и функционального преобразовател  в информационно-измерительных системах Известны устройства на базе МДП-структур с подвижным электродом затвора, которые состо т из истока, тока и подвижного электрода затвора Ъпособного перемещатьс  в вертикальной плоскости 1. Недостатками их  вл ютс  малые линейные перемещени  и мала  чувстви тельность к ним. Известен Делитель напр жени  на МОП-транзйстОре zj, который содержит исток, сток, и подвижный пр моугольный электрод затвора, имеющий возмож ность п;ёремеадатьс  вдоль истока и ст ка по слою жидкого диэлектрика. Его недостатком  вл етс  мала  чувствительность тока стока к переме шению подвижной части. Целью данного изобретени   вл етс  увеличение чувствительности тока стока к перемещению подвижного электрода затвора. Цель достигаетс  тем, что в предл гаемом датчике напр жени  электрод подвижного затвора выполнен в форме треугольника, причем одна из его сторон параллельна области истока. Применение такого подвижного электрода затвора в форме треугольника позвол ет ввести искусственным образом отсечку или так называемую обедненную область канала, котора  дл  обеспечени  токопроводности должна быть расположена вдоль стока. Одной из характеристик данного класса устройств  вл етс  статическа  характеристика, т.е. зависимость выходного параметратока стока J от входного параметраперемещени  подв1)жного электрода затвора ). Известно, что -з; t-, где Т f - ток стока в канале между истоком и стоком МДП-транзистора; 3 ( - ток насыщени  в канале; L - длина канала; bj - эффективна  длина канала МДП-транзистора. Из этого выражени  видно,что одним из способов повышени  чувствительности тока стока  вл етс  уменьшение эффек
SU762324396A 1976-02-11 1976-02-11 Делитель напр жени на мдп-транзисторе SU598159A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762324396A SU598159A1 (ru) 1976-02-11 1976-02-11 Делитель напр жени на мдп-транзисторе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU762324396A SU598159A1 (ru) 1976-02-11 1976-02-11 Делитель напр жени на мдп-транзисторе

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU598159A1 true SU598159A1 (ru) 1978-03-15

Family

ID=20648892

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU762324396A SU598159A1 (ru) 1976-02-11 1976-02-11 Делитель напр жени на мдп-транзисторе

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU598159A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
IT7919424A0 (it) Transistore a effetto di campo "mis" con canale di breve lunghezza.
SE9602881L (sv) Halvledarkomponent för högspänning
NL7701776A (nl) Veldeffekttransistor met zeer korte kanaallengte.
ES471288A1 (es) Mejoras introducidas en un dispositivo perceptor de campo deconduccion de canal,semiconductor
JPS5366181A (en) High dielectric strength mis type transistor
SU598159A1 (ru) Делитель напр жени на мдп-транзисторе
SE8301708L (sv) Temperaturoberoende, forsterkningsstyrande krets
KR840000987A (ko) 반도체 스위칭 장치
JPS52122484A (en) Field effect type polisilicon resistance element
KR900019244A (ko) 반도체기억장치
JPS5267982A (en) Manufacture of schottky barrier type field effect transistor
JPS52117586A (en) Semiconductor device
JPS5275187A (en) Mos type semiconductor device
JPS5384570A (en) Field effect semiconductor device and its manufacture
NL7712933A (nl) Versterker met veldeffecttransistor.
JPS5322378A (en) Production of field effect transistor s
Takagi et al. Drain noise in MOSFETs at zero drain bias as a function of temperature
SU414594A1 (ru)
JPS5279881A (en) Production of gaas schottky barrier gate type field effect transistor
GB1481724A (en) Field effect transistors
GB1141613A (en) Improvements in or relating to field effect transistors
JPS5371573A (en) Field effect transistor of isolating gate type
JPS5378785A (en) Field effect transistor
JPS5323546A (en) Bias circuit
JPS5245287A (en) Semiconductor memory element