SU598159A1 - Делитель напр жени на мдп-транзисторе - Google Patents
Делитель напр жени на мдп-транзистореInfo
- Publication number
- SU598159A1 SU598159A1 SU762324396A SU2324396A SU598159A1 SU 598159 A1 SU598159 A1 SU 598159A1 SU 762324396 A SU762324396 A SU 762324396A SU 2324396 A SU2324396 A SU 2324396A SU 598159 A1 SU598159 A1 SU 598159A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- voltage divider
- mds
- transistor voltage
- drain
- gate electrode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
(54) ДЕЛИТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ НА МДП-ТРАНЗИСТОРЕ
Изобретение относитс к области полупроводниковой техники и может быть использовано в качестве делител напр жени , переменного резистора и функционального преобразовател в информационно-измерительных системах Известны устройства на базе МДП-структур с подвижным электродом затвора, которые состо т из истока, тока и подвижного электрода затвора Ъпособного перемещатьс в вертикальной плоскости 1. Недостатками их вл ютс малые линейные перемещени и мала чувстви тельность к ним. Известен Делитель напр жени на МОП-транзйстОре zj, который содержит исток, сток, и подвижный пр моугольный электрод затвора, имеющий возмож ность п;ёремеадатьс вдоль истока и ст ка по слою жидкого диэлектрика. Его недостатком вл етс мала чувствительность тока стока к переме шению подвижной части. Целью данного изобретени вл етс увеличение чувствительности тока стока к перемещению подвижного электрода затвора. Цель достигаетс тем, что в предл гаемом датчике напр жени электрод подвижного затвора выполнен в форме треугольника, причем одна из его сторон параллельна области истока. Применение такого подвижного электрода затвора в форме треугольника позвол ет ввести искусственным образом отсечку или так называемую обедненную область канала, котора дл обеспечени токопроводности должна быть расположена вдоль стока. Одной из характеристик данного класса устройств вл етс статическа характеристика, т.е. зависимость выходного параметратока стока J от входного параметраперемещени подв1)жного электрода затвора ). Известно, что -з; t-, где Т f - ток стока в канале между истоком и стоком МДП-транзистора; 3 ( - ток насыщени в канале; L - длина канала; bj - эффективна длина канала МДП-транзистора. Из этого выражени видно,что одним из способов повышени чувствительности тока стока вл етс уменьшение эффек
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762324396A SU598159A1 (ru) | 1976-02-11 | 1976-02-11 | Делитель напр жени на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU762324396A SU598159A1 (ru) | 1976-02-11 | 1976-02-11 | Делитель напр жени на мдп-транзисторе |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU598159A1 true SU598159A1 (ru) | 1978-03-15 |
Family
ID=20648892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU762324396A SU598159A1 (ru) | 1976-02-11 | 1976-02-11 | Делитель напр жени на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU598159A1 (ru) |
-
1976
- 1976-02-11 SU SU762324396A patent/SU598159A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
IT7919424A0 (it) | Transistore a effetto di campo "mis" con canale di breve lunghezza. | |
SE9602881L (sv) | Halvledarkomponent för högspänning | |
NL7701776A (nl) | Veldeffekttransistor met zeer korte kanaallengte. | |
ES471288A1 (es) | Mejoras introducidas en un dispositivo perceptor de campo deconduccion de canal,semiconductor | |
JPS5366181A (en) | High dielectric strength mis type transistor | |
SU598159A1 (ru) | Делитель напр жени на мдп-транзисторе | |
SE8301708L (sv) | Temperaturoberoende, forsterkningsstyrande krets | |
KR840000987A (ko) | 반도체 스위칭 장치 | |
JPS52122484A (en) | Field effect type polisilicon resistance element | |
KR900019244A (ko) | 반도체기억장치 | |
JPS5267982A (en) | Manufacture of schottky barrier type field effect transistor | |
JPS52117586A (en) | Semiconductor device | |
JPS5275187A (en) | Mos type semiconductor device | |
JPS5384570A (en) | Field effect semiconductor device and its manufacture | |
NL7712933A (nl) | Versterker met veldeffecttransistor. | |
JPS5322378A (en) | Production of field effect transistor s | |
Takagi et al. | Drain noise in MOSFETs at zero drain bias as a function of temperature | |
SU414594A1 (ru) | ||
JPS5279881A (en) | Production of gaas schottky barrier gate type field effect transistor | |
GB1481724A (en) | Field effect transistors | |
GB1141613A (en) | Improvements in or relating to field effect transistors | |
JPS5371573A (en) | Field effect transistor of isolating gate type | |
JPS5378785A (en) | Field effect transistor | |
JPS5323546A (en) | Bias circuit | |
JPS5245287A (en) | Semiconductor memory element |