SU508235A3 - Способ переноса скрытого электростатического изображени - Google Patents

Claims (3)

1. . Изобретение относитс  к способу получени  изображений в электрографии. I Известны способы переноса скрытого электростатического изображени  с фотополупроводникового сло  на слой воспринимающего материала, например диэлектрика, во внешнем электрическом попе или при использовании механического давлени . Эти способы привод т к получению изобI ражений с темным фоном и к повреждению i фотополупроводникового сло . ; С целью улучшени  качества переноса без применени  давлени  и внешнего элект рического пол , фотополупроводниковый слой вьшолн ют полностью или частично из ор. ганических комплексов передачи зар дов, ; который при толщине 8-15 мк может I быть зар жен до в, экспонируют так, ч-А) на засвеченных местах напр жение составл ет не менее 50О в, а на пробельных - не более 300 в. Провод щие материалы подложек диэлектрического и фотополупроводникового слоев при этом преиму;щес1ъенно заземл ютс . Кроме того, фотополупроводниковый слой содержит фотополупроводник - донор электронов и активатор - акцептор электронов. В качестве фотополупроводников используют ароматические углеводороды, такие как нафталины , антрацены, фенантрены, бензантреиьг, хризены, карбазолы, окстщаэотл, триазолы, / имидазолы, имидазолтионы, , дерн- ваты тиазода и многие другие, причем пригодны , в частности, и полимеры одного или : нескольких вшшлгетероциклических соед1ьнений , такие как N -винилкарбазолы, с - ви нилкарбазолы, винилдибензофураны, фторы и им подобные. В качестве активаторов использу1Ьтс , в частности, соединени , которые содержат сильные пол рные группы, например, галогены , карбоксильную группу, циан- нитро-, эфироангидрид кисэтоты или хинонгруппиро- вание. Наиболее пригодны такие соединени , как флуоренон, в частности 2, 4, 7 - тринитро- 9- флуоренон, 2, 4,5i 7- тетранитро - 9- флуоренон или же соединени  хлоранвла . Содержание активатора в пересчете на фотополупроводниковую субстанцию можно варьировать в различных количественных соотношени х, причем зачастую достаточны незначительные количества. В некоторых случа х целесообразно примен ть мольные соотношени  1:1 двух составл юи..их, пр№чем содержание активатора нередко может составить приблизительно от 0,7 до 1,3 молей на 1 моль фотополупроводника. Удельное сопротивление диэлектрического покрыти  должно составл ть Ю-- ом.см Пригодны воспринимающие материалы из провод щих бумаг с диэлектрическим покрьь тием из полистирола, ацетата целлюлозы и др. Способ переноса состоит в зар жении фотополупроводника, экспонировании изобр жени  на фотопопупроводник, наход щийс  в возможном контакте с диэлектрическим воспринимающим слоем. Если в качестве вос1фИ1П1маюи..его материала примен ют высокоомный слой с гидрофильной поверхность то молсно получать печатные формы. Получ& ние скрытого электростатического изображе ни  молсет быть осуществлено с помощью металлических штифтов с достаточно высоки электрическим импульсным напр жением. Наиболее предпочтительные слои дл  осуществлени  способа. Слой 1. Слой состоит из 1 мол  2, 4, 7 - тринитро-9-флуорена и поли-N -вин карбазола в мольном соотношении 1:1 отно сительно мономерной единицы поливинилкарбазола . Слой 2, Слой состоит из 17,8 вес.ч, фенантрена, 0,245 вес. ч. хлоранила и 26 вес. ч. поливиниладетата (мовилит 50 ). Слой 3. Слой состоит из 16,6 вес. ч. флуорена, 0,36 вес. ч. 2, 4, 5, 7 - тетранитро-9-фпуоренона и 26 вес. ч. поливиншь ацетата (мовилит 50).. Пример. Фотопол тхроводник {слой 1) был нанесен на алюминизированнуто фольгу из полиэтилентерефталата толщиной 75 (при толщине сло  12 мк). Зар д, определенный изопробным, электростатически вольтметром по методу Монро, составил 1400 в. фольга бьша намотана на металли ческий барабан и зар жена разр дом до 1300 в, причем алюминиевый слой был за- землен с одного конца. Фотографическим объективом оригинал проецировалс  на фотополупроводниковый слой, при этом экспониро вание оригинала бьшо осуществлено двум  люминесцентными лампами зеленого цвета мощностью 15 ВТ фирмы Филипс. Предельна  величина зар да на участках изображени  составила 900 в, а на пробель ных - 300 в. После переноса скрытого элек тростатического изображени  на высокоомны слой на участках изображени  бьшо замерено напр жение величиной 290 в, а на пробельных участках такое напр жение составило меньше 10 в. После про влени  перенесенного скрытого изображени  жидкостным про вителем бьша получена контрольна  и свободна  от основы копи . Пример2. На алюминиевую фольгу был нанесен фотополудроводниковый слой из 2, 4, 7- тринитро- 9- флуоренона и поли- N - ви илкарбазола в мольном соотношении 0,8:1 относительно мономерной единицы поливинилкарбазола. Слой был толщиной 10 мкм и мог быть зар жен до 1150 в. Покрыта  слоем алюминиева  фольга бьша намотана на барабан и зар жена коронным разр иом до 11ОО в. Экспонирюва- ние бьшо проведено также, как в примере 1. На участках изображени  бьша замерена предельна  величина зар да пор дка 7ОО в а на пробельных участках эта величина составила 22О в. После переноса скрытого изображени  на высокоомный слой на участрках изображени  напр жение составило 20О в, а на пробельных от О до 3 в. После про влени  ферромагнитным про- гоителем с помощью магнитной кисти бьши получены контрастные копии хорошего качества без основы. Формула изобретени  1.Способ переноса скрытого электростатического изображени , состо щий в передаче электростатических изображений с фотополупроводникового сло , наход щегос  на провод щей подложке, на диэлектрический слой, также наход щийс  на провод щей подложке, который находитс , например, в контакте со слоем фотополупроводника, отделении- слоев друг от друга, про влении и закреплении перенесенного изображени , отличающийс  тем, что, с целью улучшени  качества переноса без применени  давлени  и внешнего электрического пол , фотополупроводниковый слой, состо щий полностью или частично из органических комплексов передачи зар дов, зар жают до 800-1600 в при толщине 8-15 мк и экспонируют так, что в участках изображени  напр жение составл ет не менее 50О в, а на.)Е1роб.шьнь.1х..-..не„.вь1ше.300.в, цричем провод щие подложки слоев преимущественно заземл ют во врем  контакта. 2.Способ по п. 1, о т л и ч а ю щ и йс   тем, что фотополупроводниковый слой экспонируют так, что разность напр жений участков изображени  и пробельных ynacDков лежит в пределах от 500 до 900 в.
2. 56
3. 3. Способ по п. 1, отличающий-скольких винилгетероциклических соединений

   с   тем, что в качестве фотополупровод- соотношении от О,7 до 1.3 молей флуо

   аикового сло  примен ют 2.4, 7 - тринитиРенона на 1 моль моиомерного винилового

   флуоренон и нолимер одного или не-соединени .

   508235