FI56906C - Element foer alstrande av en bild - Google Patents
Element foer alstrande av en bild Download PDFInfo
- Publication number
- FI56906C FI56906C FI57671A FI57671A FI56906C FI 56906 C FI56906 C FI 56906C FI 57671 A FI57671 A FI 57671A FI 57671 A FI57671 A FI 57671A FI 56906 C FI56906 C FI 56906C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric
- selenium
- active
- binder
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 56
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 52
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 35
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 9
- -1 polymethylene Polymers 0.000 claims description 8
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZWAMZDRREBOHIO-UHFFFAOYSA-N 1-ethylpyrene Chemical compound C1=C2C(CC)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 ZWAMZDRREBOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KCIJNJVCFPSUBQ-UHFFFAOYSA-N 1-pyren-1-ylethanone Chemical compound C1=C2C(C(=O)C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 KCIJNJVCFPSUBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 6
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HYGLETVERPVXOS-UHFFFAOYSA-N 1-bromopyrene Chemical compound C1=C2C(Br)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 HYGLETVERPVXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N Benz[a]pyrene Chemical compound C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 FMMWHPNWAFZXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KLLLJCACIRKBDT-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1H-indole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C=C1C1=CC=CC=C1 KLLLJCACIRKBDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RAASUWZPTOJQAY-UHFFFAOYSA-N Dibenz[a,c]anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 RAASUWZPTOJQAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N ctk4b5078 Chemical compound [Cd].OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SIJHJHYRYHIWFW-UHFFFAOYSA-N 1,3,6,8-tetraphenylpyrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=C23)=CC(C=4C=CC=CC=4)=C(C=C4)C1=C2C4=C(C=1C=CC=CC=1)C=C3C1=CC=CC=C1 SIJHJHYRYHIWFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 9-ethylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims description 3
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LHRCREOYAASXPZ-UHFFFAOYSA-N dibenz[a,h]anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C3C=CC=4C(C3=C3)=CC=CC=4)=C3C=CC2=C1 LHRCREOYAASXPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HVJMYPXXWITMDE-UHFFFAOYSA-N prop-2-enamide pyrene Chemical class C(C=C)(=O)N.C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 HVJMYPXXWITMDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 160
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 40
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 18
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 11
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 10
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 7
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- KBSPJIWZDWBDGM-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrene Chemical compound C1=C2C(C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 KBSPJIWZDWBDGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- IXAFAYIIDHDJHN-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyrene Natural products C1=CC=C2C(C)=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 IXAFAYIIDHDJHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrene Chemical compound C1=C2C(C=C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000006255 coating slurry Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OFAPSLLQSSHRSQ-UHFFFAOYSA-N 1H-triazine-2,4-diamine Chemical class NN1NC=CC(N)=N1 OFAPSLLQSSHRSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)oxirane;4-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound ClCC1CO1.C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 KUBDPQJOLOUJRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical class NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004957 Zytel Substances 0.000 description 1
- 229920006102 Zytel® Polymers 0.000 description 1
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229920006158 high molecular weight polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000007794 irritation Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Chemical group 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005547 polycyclic aromatic hydrocarbon Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 1
- RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N pyrene-1-carbaldehyde Chemical compound C1=C2C(C=O)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 RCYFOPUXRMOLQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N pyridine Substances C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 108020003175 receptors Proteins 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005109 triphenodioxazines Chemical class 0.000 description 1
- KOTVVDDZWMCZBT-UHFFFAOYSA-N vat violet 1 Chemical compound C1=CC=C[C]2C(=O)C(C=CC3=C4C=C(C=5C=6C(C([C]7C=CC=CC7=5)=O)=CC=C5C4=6)Cl)=C4C3=C5C=C(Cl)C4=C21 KOTVVDDZWMCZBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012905 visible particle Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
\·&Γ·\ [Bl (11)KUULUTUSJULKAISU
Mb l j i ; UTLÄGGNINCSSKRIFT ObaUb
Cg C (45) Tatentti wyonn^tty 10 04 1933
Patent i3'?ddPlat ^ v / (51) Kv.lk.*/lnt.CI.* G 03 G 5/05 SUOMI—FINLAND (21) -1·***»"··»* 576 /71 (22) HakamlipUvt —Araflknlnpdag 25.02.71 * * (23) Alkuptlvt—GIM|h«tsdag 25.02.71 (41) Tullut |ulkl*eksi — Blfvlt offantllg 25 08 72
Patentti- ja rekisterihallitus ......... . . , _ ' (44) Nihtivikslpanon ja kuuL|ulkalaun pvm. —
Patent- och registerstyrelsen Anaökan utlagd och utUkrlfMn publlcarad 31.12.79 (32)(33)(31) Pyydetty etuoikeus— Begird prloritet (71) Xerox Corporation, Rochester, New York, 1^603, USA(US) (72) Michael Smith, Brighton, New York, Richard William Radler,
Penfield, New York, Charles Frederick Hackett, Williamson,
New York, USA(US) (71*) Berggren Oy Ab (5*0 Elementti kuvan muodostamista varten - Element för alstrande av en bild Tämä keksintö koskee yleensä sähkövalokuvausta eli kserogra-fiaa ja erityisesti uutta valoherkkää laitetta ja sen käyttömene-telmää.
Sähkövalokuvauksessa kserograafinen levy, joka sisältää valosähköisen (photoconductive), eristävän kerroksen, kuvataan ensiksi varaamalla sen pinta tasaisesti sähköstaattisesti. Levy valotetaan sen jälkeen mallin mukaan aktivoimalla sähkömagneettisella säteilyllä kuten valolla, joka selektiivisesti purkaa varauksen valosähköisen eristeen valaistuilla alueilla samalla kun se jättää jälkeensä latentin sähköstaattisen kuvan valaisemattomille alueille. Tämä latentti sähköstaattinen kuva voidaan sen jälkeen kehittää näkyväksi kuvaksi saostamalla hienoksi jaettuja elektroskooppisia, näkyväksi muuttuvia hiukkasia valosähköisen eristävän kerroksen pinnalle.
Sähkövalokuvaukseen sopiva valosähköinen kerros voi olla homogeeninen kerros, joka on yhtä ainetta eli esim. lasimaista seleeniä, tai se voi olla valosähköisen osan ja jostakin muusta aineesta muodostuvan osan käsittämä yhdistetty kerros. Sähkövalokuvauksessa käytettävää erästä yhdistettyä valosähköistä kerrosta on 2 56906 kuvattu US-patentissa n:o 3 121 006, joka esittää joukon sideaine-kerroksia, jotka käsittävät hienoksi jaettuja hiukkasia valosähköisestä epäorgaanisesta yhdisteestä, joka on dispersoitu sähköisesti eristävään orgaaniseen hartsisideaineeseen. Tässä kaupallisessa muodossa sideainekerros sisältää sinkkioksidihiukkasia, jotka on tasaisesti dispersoitu hartsisideaineeseen ja sijoitettu paperi-alustalle.
Edellä mainitussa patentissa kuvatun sideainejärjestelmän eräissä esimerkeissä sideaine käsittää materiaalin, joka ei voi siirtää ruiskutettuja varauksen kuljettajia, joita valosähköisen osan hiukkaset muodostavat, mitenkään merkittävälle etäisyydelle. Tästä syystä US-patentissa n:o 3 121 006 kuvattujen materiaalien yhteydessä valosähköiset hiukkaset on oleellisesti oltava jatkuvassa hiukkas-hiukkas-kosketuksessa koko kerroksessa, jotta olisi mahdollista varauksen purkaminen, mikä tarvitaan syklistä toimintaa varten. Edellisessä patentissa kuvatulla valosähköisten hiukkasten tasaisella dispersiolla tarvitaan siten välttämättä suhteellisen suuri valosähköisen osan tilavuuskonsentraatio eli aina noin 50$> tai enemmänkin tilavuudesta,,jotta saataisiin tarvittava valosähköisen osan hiukkas-hiukkas-kosketus nopeaa purkamista silmällä pitäen. On kuitenkin havaittu, että suuri valosähköisen osan kuormitus hartsityyppisissä sideainekerroksissa johtaa siihen, että hartsin fysikaalinen jatkuvuus häviää, jolloin sideainekerroksen mekaaniset ominaisuudet huomattavasti huononevat. Suuren valosähköisen osan käsittäville kerroksille on siten tunnusomaista hauras sideainekerros, jolla on vähän tai ei ollenkaan taivutettavuutta. Toisaalta silloin kun valosähköisen osan konsentraatio pienenee huomattavasti alle noin 50 tilavuusprosentin, purkausnopeus laskee tehden euurinopeuksisen syklisen tai toistuvan kuvauksen vaikeaksi tai mahdo 11omaksi.
US-patentissa n:o 3 121 007 esitetään toisentyyppinen valosähköinen osa, joka käsittää kaksivaiheisen valosähköisen sideaine-kerroksen, jossa on valosähköisiä eristäviä hiukkasia dispersoitu homogeeniseen valosähköiseen eristävään matriisiin. Valosähköinen osa on erikoisena valosähköisenä epäorgaanisena kiteisenä pigmenttinä, joka tässä on käsitetty olevan laajalla alueella eli noin 5-80 paino-#. Valopurkaus esitetään aikaansaaduksi yhdistymisestä, jossa on mukana valosähköisessä eristävässä matriisimateriaalissa syntyneet varauksen kantajat ja ne varauksen kantajat, jotka on 56906 injektoitu valosähköisestä kiteisestä pigmentistä valosähköiseen eristävään matriisiin.
US-patentissa n:o 3 037 861 osoitetaan, että polyvinyylikarb-atsoli osoittaa melko pitkäaaltoista II. V.-herkkyyttä ja ehdottaa, että sen spektraaliherkkyyttä laajennettaisiin näkyvälle spektri-alueelle lisäämällä väriherkistäjiä. Edellä mainitussa patentissa ehdotetaan lisäksi, että voitaisiin myöskin käyttää muita lisäaineita, kuten sinkkioksidia tai titaanioksidia yhdessä polyvinyylikarb-atsolin kanssa. Edellä mainitun patentin mukaan on ilmeistä, että polyvinyylikarbatsolia voidaan käyttää valosähköisenä osana joko yhdessä tai ilman lisäaineita, joiden tarkoituksena on laajentaa sen spektraaliherkkyyttä.
Lisäksi on suunniteltu tiettyjä hyvin erikoisia kerrosraken-teita heijastuskuvausta varten. US-patentissa n:o 3 165 405 esim. käytetään kahta kerrostettua sinkkioksidisideainerakennetta heijas-tuskuvaukseen. Mainitussa patentissa käytetään kahta erillistä vierekkäin olevaa valosähköistä kerrosta, joilla on erilaiset spektraaliherkkyydet, jotta saataisiin syntymään määrätynlainen heijastuskuvausjärjestys. USrpatentin n:o 3 165 405 mukainen laite käyttää valosähköisten monikerrosten ominaisuuksia, jotta saataisiin vastaavien valosähköisten kerrosten erilaisten valoherkkyysomi-naisuuksien yhdistetyt edut käyttöön.
Voidaan nähdä yllä esitetyistä tavanomaisista yhdistetyistä valosähköisistä kerroksista päätellen, että valon vaikuttaessa kerroksiin sähkön johtokyky valon vaikutuksesta muuttuu kerrosraken-teessa johtuen varauksen siirtymisestä valosähköisen kerroksen läpi, kuten on laita esim. lasimaisen seleenin tapauksessa, (ja muissa homogeenisissa kerrosmodifikaatioissa). Laitteissa, joissa käytetään sellaisia valosähköisiä sideainerakenteita, joihin sisältyy epäaktiivisia sähköisesti eristäviä hartseja, jotka ovat esim. sellaisia kuin on selitetty US-patentissa n:o 3 121 006, johtuminen tai varauksen siirtyminen toteutetaan käyttämällä runsaasti valosähköistä pigmenttiä, joka sallii hiukkas-hiukkas-kosketuksen valosähköisten hiukkasten välillä. Siinä tapauksessa, että valosähköiset hiukkaset on dispersoitu valosähköiseen matriisiin, kuten on esitetty US-patentissa n:o 3 121 007, valosähköinen johtavuus saadaan aikaan sillä, että varauksen kuljettaja syntyy sekä valosähköisessä matriisissa että valosähköisissä pigmenttihiukkasissa.
Vaikka yllä esitetyissä patenteissa onkin selvät mekanismit varauksen purkamisesta koko valosähköisessä kerroksessa, niillä on 4 56906 yleensä sellaiset yhteiset haitalliset ominaisuudet, että valosähköinen pinta käytön aikana on alttiina ympäröivän tilan vaikutukselle Ja erityisesti syklisessä sähkövalokuvauksessa ne ovat kulumisen, kemiallisen vaikutuksen, lämmön Ja useampaan kertaan tapahtuvan valotuksen vaikutuksille alttiita Jaksoittain vaihtuvan toiminnan aikana. Näistä ilmiöistä ovat tunnusomaisia valosöhköisen kerroksen sähköisten ominaisuuksien asteettainen huononeminen, Josta on seurauksena pintavirheiden Ja naarmujen, Ja sellaisten paikallisten alueiden näkyminen painannassa, Joissa on "kiinni Jäänyt" Johtavuus, Joka muodostaa virheellisen sähköstaattisen varauksen Ja voimakkaan näkymättömän purkauksen.
Yllä esitettyjen ongelmien lisäksi nämä valosähköiset kerrokset edellyttävät, että valosähköinen osa käsittää Joko 100 #:sen kerroksen, kuten on laita esim. lasimaisen seleenikerroksen tapauksessa, tai että ne mielellään sisältävät suuressa suhteessa valosähköistä materiaalia sideainekonfiguraatiossa. Se vaatimus, että valosähköinen kerros sisältää kokonaan tai ainakin pääosan valosähköistä materiaalia, rajoittaa tällöin valmiin levyn, rummun tai nauhan fysikaalisia ominaisuuksia siksi, että fysikaaliset ominaisuudet, esim. taivutettavuus ja valosähköisen osan adheesio kantavaan alustaan, on ensisijassa valosähköisen osan fysikaalisten ominaisuuksien määräämä eikä suinkaan hartsin tai matriisimateriaalin määräämä, koska jälkimmäisiä on mukana vain vähäisiä määriä.
Toinen muoto yhdistetystä valoherkästä kerroksesta, jota on myöskin tarkasteltu ammattipiireissä, sisältää sellaisen valosähköisen kerroksen, joka on päällystetty suhteellisen paksulla muovikerroksella ja sijoitettu tukialustalle.
US-patentissa n:o 3 041 166 kuvataan tällaista konfiguraatiota, jossa läpinäkyvä muovimateriaali on lasimaisen seleenikerroksen päällä jälkimmäisen ollessa sijoitettu tukialuetalle. Selitetty muovimateriaali on sellaista, jolla on suuri halutun polariteetin varauksen kuljettajien alue. Käytössä läpinäkyvän muovin vapaa pinta varataan sähköstaattisesti määrättyyn polariteettiin. Laite alistetaan sen jälkeen aktivoivaan säteilyyn, joka synnyttää aukko-elektroniparin valosähköiseen kerrokseen. Elektroni liikkuu muovikerroksen läpi ja neutraloi muovikerroksen vapaalla pinnalla olevan positiivisen varauksen, jolloin syntyy sähköstaattinen kuva. Edellä mainitussa patentissa ei kuitenkaan esitetä mitään määrättyä muovimateriaalia, joka toimisi tällä tavalla ja siinä esimerkit rajoitetaan rakenteisiin, jotka käyttävät valosähköistä materiaalia päällyskerroksena.
5 56906
Ranskalaisessa patentissa n:o 1 577 855 kuvataan määrättyyn tarkoitukseen valmistettua yhdistettyä valoherkkää laitetta, joka soveltuu polaroidulla valolla suoritettuun heijastusvalotukseen.
Eräs sovellutus käyttää dikroisten orgaanisten valosähköisten hiukkasten kerrosta, joka on järjestetty tukialustalle suunnattuna, ja polyvinyylikarbatsolikerrosta, joka on järjestetty dikroisen materiaalin suunnatun kerroksen ylle. Kun dikroisen kerroksen suuntaan nähden kohtisuoraan polaroitu valo varaa ja valottaa kerroksen, suunnattu dikroinen kerros ja polyvinyylikarbatsolikerros ovat molemmat oleellisesti läpinäkyviä alkuperäiselle valottavalle valolle. Kun polaroitu valo saapuu valkoiseen, kopioitavan alkuperäiskappaleen taustaan, valo on polaroimatonta, se heijastuu takaisin laitteen läpi ja absorboituu dikroiseen valosähköiseen materiaaliin. Toisessa sovellutuksessa dikroinen valosähköinen osa on dispersoitu suunnatulla tavalla koko polyvinyylikarbatsolikerrokseen.
Tarkasteltaessa nykyistä tekniikan tasoa voidaan helposti nähdä, että esiintyy tarvetta yleiseen käyttöön sopivasta valoreseptorista eli valon vastaanottajasta, joka osoittaa hyväksyttäviä valosähköisiä ominaisuuksia ja joka lisäksi on fysikaalisesti luja ja omaa taipuisuutta, jotta sitä voitaisiin uudelleen käyttää nopeaan sykliseen toimintaan ilman asteettaista kserograafisten ominaisuuksien huonontumista vedestä, kemiallisesta vaikutuksesta ja valoväsy-myksestä johtuen.
Tämän keksinnön tarkoituksena on saada aikaan uusi valoherkkä elementti, joka soveltuu sykliseen kuvaukseen ja jossa ei ole yllä mainittuja epäkohtia. Keksintö kohdistuu näin ollen elementtiin kuvan muodostamista varten käsittäen suuntautumatonta epäorgaanista valosähköistä materiaalia olevan kerroksen kantaja-alustalla ja valosähköisen kerroksen päällä olevan, sähköisesti aktiivista orgaanista ma-teiaalia olevan kosketuskerroksen, ja keksintö on tunnettu siitä, että aktiivisen kerroksen ja valosähköisen kerroksen paksuuksien suhde on noin 2:1 - 200:1, jolloin valosähköinen kerros kykenee synnyttämään valon vaikutuksesta aukkoja ja injektoimaan niitä, ja aktiivinen orgaaninen materiaali kykenee vastaanottamaan valoherätettyjen aukkojen injektoinnin valosähköisestä kerroksesta ja kuljettamaan aukot aktiivisen kerroksen läpi, joka aktiivinen kerros käsittää vähintään yhtä seuraavista materiaaleista: poly-l-vinyylipyreeni, polymetylee-nipyreeni, N-substituoidut polymeeriset pyreenin akryylihappoamidit, karbatsoli, N-etyylikarbatsoli, N-fenyylikarbatsoli, pyreeni, tetra-feeni, 1-asetyylipyreeni, 2,3-bensokryseeni, 6,7-bensopyreeni, 1-bro- 6 56906 mopyreeni, 1-etyylipyreeni, 1-metyylipyreeni, peryleeni, 2-fenyyli-indoli, tetrakeeni, pikeeni, 1,3,6,8-tetrafenyylipyreeni, kryseeni, fluoreeni, fluorenoni, fenantreeni, trifenyleeni, 1,2,5,6-dibensant-rakeeni, 1,2,3,4-dibensantrakeeni, 2,3-bensopyreeni, antrakinoni, dibensotiofeeni ja naftaleeni.
Valosähköinen kerros käsittää edullisesti epäorgaanisia valosähköisiä hiukkasia dispergoituina sideaineeseen, jolloin hiukkasten määrä on vähintään noin 25 tilavuus-% valosähköisestä kerroksesta. Valosähköinen kerros on keksinnön erään sovellutusmuodon mukaan muodostettu lasisesta seleenistä, seleeniseoksesta, trigonaali-sesta seleenistä tai kadmiumsulfoselenidistä, jolloin seleeniseos on seleenin ja telluurin seos.
Keksinnön erään edullisen sovellutusmuodon mukaan kantaja-alusta on sähköisesti johtava ja pääasiassa läpinäkyvä, ja kontakti-kerroksen muodostava sähköisesti aktiivinen orgaaninen materiaali on sekoitettu ei-aktiivisen polymeerimateriaalin kanssa.
Uuden elementin edut ja kuvausmenetelmä tulevat havainnollisemmiksi, jos tutkitaan seuraavaa keksinnön selitystä, ja erityisesti silloin, kun tarkastellaan oheen liitettyjä piirroksia, joissa:
Kuvio 1 esittää valoherkkyyden käyrää kentän funktiona sekä aktiiviselle materiaalille yksistään että yhdessä valosähköisen osan kanssa.
Kuvio 2 on kuvion 1 mukainen kuva ja se esittää toista aktiivista materiaalia.
Kuvio 3 esittää polyvinyylikarbatsolin absorptiospektrin kuvaajaa .
Kuvio 4 esittää pyreenin absorptiospektrin kuvaajaa.
Kuvio 5 esittää kolmen valosähköisen materiaalin spektraali-herkkyyttä.
Kuvio 6 esittää peryleenin absorptiospektriä.
7 56906
Kuvio 7 on skemaattinen kuvanto tämän keksinnön laitteen eräästä valmistusmuodosta.
Kuvio ö esittää toista tämän keksinnön mukaisen laitteen sovellutusta.
Kuvio 9 esittää kolmatta tämän keksinnön mukaisen laitteen sovellutusta.
Kuvio 10 esittää neljättä tämän keksinnön mukaisen laitteen sovellutusta.
Kuvio 11 esittää syklisiä ominaiskäyriä erilaisilla valotus-aallonpituuksilla tämän keksinnön laitteelle.
Kuten on aikaisemmin määritelty, valosähköinen osa on materiaalia, joka on sähköisesti valoherkkää käytetyn valon aallonpituudelle. Lähemmin määriteltynä se on ainetta, jonka sähköinen johtokyky lisääntyy huomattavasti sen absorboidessa sähkömagneettista säteilyä sillä aallonpituusalueella, jolle se on tarkoitettu käytettäväksi.
Tämä määritelmä on välttämätön siitä syystä, että on olemassa suuri määrä aromaattisia orgaanisia yhdisteitä, jotka ovat tunnettuja, ja ne osoittavat valosähköistä ominaisuutta silloin, kun niitä sä-teilytetään voimakkaasti absorboidulla ultravioletti-, röntgen-, tai gammasäteilyllä. Valosähköisyys orgaanisissa materiaaleissa on yleinen ilmiö. Käytännöllisesti katsoen kaikki konjugoidut orgaaniset yhdisteet osoittavat jonkinlaista valosähköisyyttä sopivissa olosuhteissa. Useimmilla näillä orgaanisilla materiaaleilla on niiden suurin valoherkkyys ultraviolettialueella. On kuitenkin havaittu, että on ainoastaan pientä kaupallista hyötyä ultraviolettiherkil-lä materiaaleilla, ja niiden lyhyen aallonpituuden päässä oleva herkkyys ei ole erityisen sopiva dokumentin kopiointiin tai värijäl-jentämiseen. Koska valosähköisyys orgaanisissa yhdisteissä seuraa yleensä lyhyellä aallonpituudella tapahtuvaa ärsytystä, on siten välttämätöntä tälle keksinnölle, että termin "valosähköinen osa" tai "valosähköinen" on ymmärrettävä sisältyvän ainoastaan niihin materiaaleihin, jotka ovat todella valoherkKiä sillä aallonpituusalueella, jolla niitä Käytetään.
Aktiivinen materiaali, jota myöskin usein kutsutaan aktiiviseksi matriisimateriaaliksi, kun sitä käytetään matriisina sideai-nekerroksessa, on oleellisesti ei-vaiosähköinen materiaali, joka myötävaikuttaa vaioärsytettyjen aukkojen injektion voimakkuuteen valosähköisestä kerroksesta vähintäänkin noin 10 % kenttäarvoilla eli 5 ....
noin 2 x 10 volttia/cm. Tälle materiaalille on lisäksi tunnusomaista se, että se voi siirtää varauksen kuljettajia vähintään 10 ^ cm ö 56906 kentällä, joka ei ole suurempi kuin noin 10^ volttia/cm. Lisäksi aktiivinen materiaali on hyvin läpinäkyvä sillä aallonpituusalueella, jolla laitetta käytetään.
Aktiivinen siirtomateriaali, jota käytetään yhdessä valosähköisen kerroksen kanssa tässä keksinnössä, on materiaalia, joka on eriste siinä määrin, että sähköstaattinen varaus, joka on sijoitettu mainittuun aktiiviseen sideainemateriaaliin, ei johdu valaistuksen puuttuessa sellaisella nopeudella, joka riittää estämään sähköstaattisen latentin kuvan muodostumisen ja säilymisen sillä. Yleensä tämä tarkoittaa sitä, että aktiviisen siirtomateriaalin ominaisresistii-visyys pitäisi olla vähintään noin 1010 ohmi-cm.
Kuten voidaan nähdä yllä olevasta tarkastelusta, useimmat materiaalit, jotka ovat käyttökelpoisia tämän keksinnön aktiivisiksi kerroksiksi, ovat itse asiassa myöskin valosähköisiä silloin, kun niitä säteilytetään aallonpituudella, joka sopii niiden absorboiman energian elektroniärsytykseen. Sillä että ne ovat valoherkkiä lyhyen aallonpituuden päässä, mikä on ulkopuolella sen spektrialueen, jolla valosähköistä osaa käytetään, ei ole vaikutusta tämän laitteen toiminnalle. On hyvin tunnettua, että säteilyä täytyy absorboida, jotta saataisiin syntymään valosähköinen ilmiö ja aikaisemmin aktiivisille materiaaleille määritelty läpinäkyvyyskriteerio edellyttää, että nämä materiaalit eivät vaikuta merkittävästi valoreseptorin valoherkkyyteen käytetyllä aallonpituusalueella.
Se syy miksi aktiivisten materiaalien täytyy olla läpinäkyviä, perustuu siihen havaintoon, että kaikissa käyttöolosuhteissa valo-injektion tehokkuus valosähköisestä osasta aktiiviseen materiaaliin valosähköisen osan absorboiman näkyvän säteilyn vaikutuksesta on huomattavasti suurempi aktiivisen materiaalin luontaisen valoherkkyyden aallonpituusalueella - olkoon se näkyvä tai jokin muu aallonpituusalue. Tätä tilannetta on havainnollistettu kuvioilla 1 ja 2, jotka esittävät valosähköisen seleenin injektioherkkyyttä kentästä riippuvana tyypillisiin aktiivisiin materiaaleihin ja kahden aktiivisen materiaalin luontaista valoherkkyyttä, jolloin nämä materiaalit ovat polyvinyylikarbatsoli ja polyvinyylipyreeni, jolloin kaikki mittaukset on tehty suurimman herkkyyden aallonpituuksilla. Poly-vinyylikarbatsolin ja polyvinyylipyreenin käyrät kuvioissa 1 ja 2 on mitattu 20 mikronin paksuisilla näytteillä, jotka on sijoitettu alumiinisubstraatille ja valmistettu esimerkin I mukaisella menetelmällä. Kerrostettujen rakenteiden käyrät samoille materiaaleille koskevat 0,4 mikronin lasisen seleenin kerrosta, joka on muodostettu 9 56906 aktiivisen materiaalikerroksen ja substraatin välille ja ne vastaavat kuviossa 9 esitettyä rakennetta ja ne on tehty samoilla menetelmillä kuin on esitetty esimerkissä III. Kuvioiden 1 ja 2 tiedot on määritetty piirtämällä alkukserograafinen vahvistus (G) käytetyn kentän funktiona. Kserograafinen vahvistus laskettiin alkupurkaus-nopeudesta (dV/dt), G = - (eld/ε) missä I on tuleva fotonivirta, d on kerroksen paksuus, e on dielektri-syysvakio ja e on elektronin varaus. Yksikön suuruinen kserograafinen vahvistus olisi havaittavissa, jos yksi varauksen kuljettaja tulevaa fotonia kohti saataisiin syntymään ja liikutetuksi se kerroksen yli. Kuviosta 1 ja 2 ilmenee, että aktiivisten materiaalien luontainen valosähköisyys niiden absorptiohuippuaallonpituudella (U.V ärsytys) vie vahvistuksen melkoisesti alemmaksi kuin kaksivaiheisessa rakenteessa, johon liittyy toimiva valosähköinen materiaali, kuten on esitetty kerrostetuille rakenteille, jotka käyttävät hyväksi ohuita seleenikerroksia sopivien aktiivisten materiaalien kanssa, jolloin näillä voidaan saavuttaa noin 0,70 vahvistuksia kenttien arvoilla noin 10^ volttia/cm, kun käytetään arsytysaallonpituutta, joka on näkyvällä spektrialueella (4000 A - 8000 A). On myöskin selvää kuvioista 3 ja 4, että tyypilliset aktiiviset materiaalit, jotka on mainittu yllä, osoittavat ei-havaittavaa purkausta, kun niitä valotetaan aallonpituusalueella, jota käytetään sähkövaloku-vauksessa, eli 4000 Ä - 8000 A. Se ilmeinen parannus toimintakykyyn, joka on seuraus siitä, että käytetään kaksivaiheista järjestelmää, voidaan parhaiten saada aikaan, jos aktiivinen materiaali on hyvin läpinäkyvä sille säteilyaallonpituudelle, jolla valosähköistä osaa käytetään; aktiivisen materiaalin suorittama halutun aallonpituuden absorptio estää tämän säteilyn pääsemästä valosähköiselle kerrokselle, missä sitä hyvin tehokkaasti käytettäisiin hyväksi. On siten selvää, että käytetyn aktiivisen materiaalin on edullista olla läpinäkyvä aallonpituudella, jossa valosähköisellä osalla on suurin herkkyys ja erityisesti sillä aallonpituusalueella, jolla valosähköistä osaa käytetään.
Tämän keksinnön tarkoituksena ei ole rajoittaa aktiivisten materiaalien valintaa niihin, jotka ovat läpinäkyviä koko näkyvällä alueella. Kun esim. käytetään läpinäkyvää substraattia, kuvan mukainen valottaminen voidaan suorittaa substraatin läpi ilman, että valo kulkee aktiivisen materiaalikerroksen läpi. Tässä tapauksessa aktii- 10 56906 visen materiaalin ei tarvitse olla absorboimatonta käytetyllä aallonpituusalueella. Muita sovellutuksia, missä täydellistä läpinäkyvyyttä ei tarvita aktiiviselle materiaalille näkyvällä alueella, ovat kapeakaistaisen säteilyn selektiivinen jäljentäminen, kuten sellaisen säteilyn, joka tulee lasereista, spektriominaisuuksien havaitseminen ja mahdollinen värisähkövalokuvaus, kuten esim. väri-koodattu monistus.
Kuviot 3, 4 ja 6 edustavat hyvin tunnettua absorptiovaikutus-ta aktiivisille materiaaleille kuten polyvinyylikarbatsoli, pyreeni ja peryleeni. Kuvio 5 esittää kserograafista herkkyysspektriä kolmelle tyypilliselle valosähköinen osa - aktiivinen matriisimateriaali-yhdistelmälle. Amorfinen seleeni-PVK herkkyys on esitetty 0,4 mikronin amorfisen seleenin kerrokselle, joka on sijoitettu 20 mikronin PVK kerrokselle. Metallivapaan ftalosyaninin X-muoto ja tri-gonaalinen seleeni on saostettu polyvinyylikarbatsolisideaineeseen noin 30-1 konsentraationa (tilavuudesta laskien) ftalosyaninille ja noin 100-1 konsentraationa (tilavuudesta) trigonaaliselle seleenille. Sideainemuodot, jotka sisältävät metallivapaan ftalosyaninin X-muotoa ja trigonaalista seleeniä PVKrssa ovat täydellisemmin selitetty suomalaisessa patentissa n:o (pat.hak.nro 577/71).
Molemmat sideainekerrokset ovat noin 20 mikronia paksuudeltaan. Kuten voidaan kuvioista 3, 4, 5 ja 6 päätellä, tietyt aktiivisten materiaalien ja erilaisten valosähköisten osien yhdistelmät ovat erityisen käyttökelpoisia selektiivisen spektriherkkyyden kannalta.
Viitaten kuvioon 7 viitenumero 10 merkitsee kuvausosaa, joka on levymäinen ja se käsittää tukisubstraatin 11, jonka päällä on sideainekerros 12, ja aktiivinen kerros 15 on sijoitettu sideaine-kerroksen 12 päälle. Substraatti eli alusta 11 on mieluummin tehty sopivasta johtavasta materiaalista. Tyypillisiä johteita ovat alumiini, teräs, messinki tai vastaavat. Substraatti voi olla jäykkä tai taipuva ja se voi olla paksuudeltaan sopiva. Tyypillisiä substraatteja ovat taipuisat hihnat tai letkut, kalvot, rainat, levyt, sylinterit ja rummut. Substraatti tai tukialusta voi myöskin olla yhdistetty rakenteeltaan eli esim. ohut johtava pinta, joka on sijoitettu paperipohjalle; muovi, joka on päällystetty ohuella johtavalla kerroksella kuten alumiini- tai kuparijodidilla; tai lasi, joka on päällystetty ohuella johtavalla kromi- tai tinaoksidipinnalla.
Sideainekerros 12 sisältää valosähköisiä hiukkasia 13, jotka on dispersoitu satunnaisesti ilman määrättyä suuntaa sideaineeseen 14. Valosähköisiä hiukkasia voivat olla sopivat epäorgaaniset tai orgaaniset valosähköiset materiaalit ja näiden seokset. Epäorgaani- li 56906 siin materiaaleihin kuuluu epäorgaaniset kiteiset yhdisteet ja epäorgaaniset valosähköiset lasit. Tyypillisiä epäorgaanisia kiteisiä yhdisteitä ovat kadmiumsulfoselenidi, kadmiumselenidi, kadmiumsulfidi ja näiden seokset. Tyypillisiä epäorgaanisia valosähköisiä laseja ovat amorfinen seleeni ja seleeniseokset kuten seleeni-telluri ja seleeni-arseeni. Seleeniä voidaan myöskin käyttää kiteisenä muotona, joka tunnetaan trigonaaliseleeninä. Tyypillisiä orgaanisia valosähköisiä materiaaleja ovat ftalosyaninipigmentit, kuten metallivapaan ftalosyaninin X-muoto, jota on selitetty US-patentissa n:o 3 357 989, metalliftalosyaninit kuten kupariftalosyanini; kinagridonit, joita on saatavina Du Pont*ilta tavaramerkillä Monastral Red, Monastral Violet, ja Monastral Red Y; substituoidut 2,4-diaminotriatsinit, joita on kuvattu US-patentissa n:o 3 445 227; trifenodioksatsinit, joita on selitetty US-patentissa n:o 3 442 789; polynukleaariaromaattiset kinonit, joita on saatavissa Allied Chemical Corp:sta tavaramerkillä Indofast Double Scarlet, Indofast Violet Lake B, Indofast Brilliant Scarlet ja Indofast Orange. Ylläoleva valosähköisten materiaalien luettelo ei suinkaan ole tarkoitettu miksikään rajoittavaksi luetteloksi vaan se on pelkästään sopivien materiaalien havainnollistamiseksi esitetty. Valosähköisten hiukkasten koko ei ole erityisen kriitillinen, mutta hiukkaset, jotka ovat kokoalueella noin 0,01-1,0 mikronia, antavat saaliina erittäin tyydyttäviä tuloksia.
Sideainemateriaali 14 voi olla jotakin sähköisesti eristävää hartsia, kuten esim. niitä materiaaleja, joita on selitetty US-patentissa n:o 3 121 006 tai jotakin sopivaa aktiivista materiaalia, joka voi olla joko samaa tai eri kuin mitä käytetään kerrokseen 15.
Jos käytetään sähköisesti epäaktiivista eristävää hartsia, on oleellista, että siinä esiintyy hiukkas-hiukkaskosketus valosähköisten hiukkasten välillä. Tämä edellyttää sitä, että valosähköistä materiaalia on mukana vähintään noin 25 tilavuusprosenttia sideaine-kerroksesta, jolloin mitään rajaa ei esitetä valosähköisen osan maksimimäärälle sideainekerroksessa. Jos matriisi- tai sideaine käsittää aktiivista materiaalia, valosähköistä materiaalia tarvitaan ainoastaan noin 1 % tai vähemmän sideainekerroksen tilavuudesta mutta maksimimäärälle valosähköisen osan kohdalta ei esitetä rajoitusta. Valosähköisen kerroksen paksuus ei ole kriitillinen. On havaittu tyydyttäväksi kerrospaksuudet noin 0,05-20 mikronia, parhaana pidetyn paksuuden ollessa 0,2-5 mikronia, jolloin saadaan hyviä tuloksia.
Aktiivinen kerros 15 voi käsittää jotakin sopivaa läpinäkyvää orgaanista polymeeri- tai ei-polymeerimateriaalia, joka voi myötä- 12 56906 vaikuttaa valoherätettyjen aukkojen injektioon valosähköisestä kerroksesta ja joka sallii näiden aukkojen siirtymisen orgaanisen kerroksen läpi pintavarauksen selektiivistä purkamista varten. Näillä ominaisuuksilla varustettujen polymeerien on havaittu sisältävän toistuvia yksikköjä polynukleaarisesta aromaattisesta hiilivedystä, joka voi myöskin sisältää heteroatomeja kuten esim. typpeä, happea tai rikkiä. Tyypillisiä polymeerejä ovat polyvinyylikarbatsoli (PVK), poly-l-vinyylipyreeni (PVP), polymetyleenipyreeni ja N-substituoidut pyreenin polymeeriset akryyliset happoamidit. Tyypillisiä ei-poly-meerisia materiaaleja ovat karbatsoli, N-etyyli-karbatsoli, N-fenyyli-karbatsoli, pyreeni, tetrafeeni, 1-asetyylipyreeni, 2,3-bensokryseeni, 6,7-bensopyreeni, 1-bromopyreeni, 1-etyylipyreeni, 1-metyylipyreeni, peryleeni, 2-fenyyli-indoli, tetrakeeni, pikeeni, 1,3,6,8-tetrafe-nyylipyreeni, gryseeni, fluoreeni, fluorenoni, fenantreeni, tri-fenyleeni, 1,2,5,6-dibensantrakeeni, 1,2,3,4-dibensantrakeeni, 2,3-bensopyreeni, 2,3-bensokryseeni, antrakinoni, dibentsotiofeeni ja naftaleeni. Yllämainittujen lisäksi voidaan myöskin käyttää aktiivisten polymeeristen ja/tai aktiivisten ei-polymeeristen materiaalien sopivia seoksia. On selvää, että voidaan käyttää mitä tahansa polymeeriä (suurimolekyylinen polymeeri, joka on koottu toistamalla pieniä, yksinkertaisia kemiallisia elementtejä;, jonka toistuva yksikkö sisältää sopivan aromaattisen hiilivedyn kuten esim. karbatso-lin ja joka voi myötävaikuttaa aukkomjektioon ja siirtoon. Tämän keksinnön tarkoituksena ei ole rajata sitä polymeerityyppiä, jota voidaan käyttää siirtokerroksessa. Polyesterit, polysiloksaanit, polyamidit, polyuretaanit ja epoksit samoin kuin myös oksas-, satun-nais- tai segmentti-kopolymeerit, jotka sisältävät aromaattisen toistuvan yksikön, ovat esimerkkejä erilaisista polymeerityypeistä, joita voidaan käyttää aktiivisena materiaalina. Voidaan myöskin käyttää lisäksi aktiivisten polymeerien seoksia epäaktiivisten polymeeristen tai ei-polymeeristen materiaalien kanssa.
Aktiivinen kerros ei huolehdi ainoastaan aukkojen siirtämisestä vaan se myöskin suojaa valosähköistä kerrosta kuluttavalta tai kemialliselta vaikutukselta ja siten pyrkii suurentamaan valoreseptorin kuvausosan käyttöikää.
Aktiivisen kerroksen paksuus pitäisi yleensä olla noin 5-100 mikronia, mutta tämän alueen ulkopuolella olevia paksuuksia voidaan myöskin käyttää. Aktiivisen kerroksen paksuussuhde valosähköiseen kerrokseen pitäisi olla alueella noin 2:1-200:1.
Tämän keksinnön toisessa sovellutuksessa kuvion 7 mukaista rakennetta muutetaan, jotta varmistuttaisiin siitä, että valosähköi- 13 56906 set hiukkaset ovat jatkuvina ketjuina koko sideainekerroksen 12 paksuudella. Tätä sovellutusta on esitetty kuviossa ö, jossa perusrakenne ja materiaalit ovat samoja kuin kuviossa 7 lukuunottamatta sitä, että valosähköiset hiukkaset 13 ovat jatkuvina ketjuina.
Valosähköinen kerros voi myöskin vaihtoehtoisesti sisältää pelkästään hyvin homogeenista suuntaamatonta valosähköistä materiaalia kuten esim. amorfisen seleenikerroksen tai seleeniseoskerroksen tai pulverimaisen tai sintratun valosähköisen kerroksen, kuten kadmium-sulfoselenidi- tai ftalosyaninikerroksen. Tätä modifikaatiota on esitetty kuviossa 9, jossa valoherkkä osa 30 käsittää substraatin 11, jolla on homogeeninen valosähköinen kerros Ib ja sen päällä oleva aktiivinen orgaaninen kerros 15.
Toista muunnosta kerrostetuista rakenteista, joita on esitetty kuvioissa 7, 8 ja 9, esittää se tapaus, jossa substraatti-valosähköisen osan välipinnalla käytetään suojakerrosta 17- Tätä rakennetta on esitetty valoherkällä osalla 40 kuviossa 10, jossa substraatti 11 ja valosähköinen kerros 16 on erotettu toisistaan suojakerroksella 17. Suojakerroksen tehtävänä on estää varauksen-kuljettajien injektio substraatista valosähköiseen kerrokseen. Voidaan käyttää jotakin sopivaa suojamateriaalia. Tyypillisiä materiaaleja ovat nailon, epoksi ja aluminioksidi.
Kuten on mainittu yllä, valosähköistä materiaalia, olkoon se joko pigmenttinä tai homogeenisenä kerroksena, käytetään ei-suunna-tulla tavalla. Suuntaamattomuudella tarkoitetaan sitä, että pigmentti tai valosähköinen kerros on isotrooppinen sähkömagneettisen säteilyn kannalta, toisin sanoen se on tasaisesti herkkää riippumatta ärsyttävän säteilyn polarisaatiosta.
Yleensä tämän keksinnön mukaisen laitteen struktuuri edellyttää sitä, että valosähköinen osa ja aktiivinen orgaaninen materiaali valitaan tai sovitetaan toisiinsa niin, että saadaan aktiivinen kerros olemaan ei-absorboiva käytetyn aallonpituuden omaavalle valolle tämän valon synnyttäessä valo-herätettyjä varauksenkuljettajia valosähköisessä kerroksessa. Kserograafiselta kannalta tämä parhaana pidetty käyttöalue on noin 4000-8000 Ä. Valosähköisen osan pitäisi lisäksi olla herkkä kaikille aallonpituuksille alueella 4000-8000 Ängströmia silloin, jos pankromaattista herkkyyttä tarvitaan. Kaikki tämän keksinnön valosähköisen osan - aktiivisen materiaalin yhdistelmät antavat tulokseksi aukkojen injektion ja sitä seuraavan siirtymisen valosähköisen osan ja aktiivisen materiaalin fysikaalisen väli-pinnan yli.
» 50906
Vaikkakin aktiivinen materiaali voi käsittää mitä tahansa sopivaa polymeeristä tai ei-polymeerista materiaalia, jolla on tarvittavat ominaisuudet, sellaisia polymeerisiä materiaaleja pidetään parhaana, joissa niiden fysikaaliset ominaisuudet, kuten taipuvuus, ovat yleensä parempia kuin ei-polymeeristen materiaalien fysikaaliset ominaisuudet.
Jotta demonstroitaisiin tällä keksinnöllä aikaansaatua parannusta niihin sideainekerroksiin verrattuna, joita on selitetty US-patentissa n:o 3 121 006, on suoritettu seuraavia kokeita. Kolme tyypillistä sideainemateriaalia, joita on selitetty US-patentissa n:o 3 121 006, on testattu, jotta määrättäisiin näiden hartsien ominaisuudet verrattuna tämän keksinnön aktiivisiin materiaaleihin. Hartsit ovat polystyreeni, polyisobutyylimetakrylaatti ja silikoni-hartsi, jota on saatavissa kauppanimellä SR-Ö2 "General Electric":sta. Näiden kokeiden tulokset osoittavat, että nämä hartsimateriaalit eivät voi myötävaikuttaa mitenkään huomattavasti varausten siirtymiseen, kun niitä käytetään lasisen seleenivaloreseptorin kanssa. Polyisobutyylimetakrylaatti ja silikonihartsit testattiin kerrostettuna levyrakenteena muodostamalla ensiksi ohut nailonsuojakerros, jonka paksuus oli noin 0,1 mikronia, kahdelle 100 x 100 mm alumiinisubstraa-tille nestemäisestä liuoksesta käyttämällä tavanomaisia päällystys-menetelmiä. Kustakin hartsista muodostettiin sen jälkeen 1,0 mikronin kerros näiden kahden levyn suojakerroksen päälle. Sen jälkeen muodostettiin lasisen seleenin 0,5 mikronin kerros hartsikerrosten päälle tyhjöhöyrystämällä. Kolmas levy tehtiin yllämainitulla menetelmällä käyttämällä polystyreenia hartsikerroksena ilman nailonsuo-jakerrosta.
Nämä kolme levyä testattiin kukin varaamalla ne tunnettuun potentiaaliin, valaisemalla varattu kerros ja mittaamalla jäänne-potentiaali. Jos ei esiinny mitään varauksen siirtymistä muovikerroksen yli, jäännepotentiaali voidaan sen jälkeen laskea hartsin tunnetuista ominaisuuksista, kerrosten paksuudesta, materiaalien di-elektrisestä vakiosta ja alkupotentiaalista. Laskettu jäännepotentiaali pitäisi olla sama kuin mitattu jäännepotentiaali mittausvirheiden sisällä siihen asti kunnes muovikerroksen sähköinen läpilyönti tapahtuu. Jos oletetaan, että alkukenttäjakaantuma on kapasitiivi-nen, silloin jäännepotentiaali, V , voidaan määrätä seuraavasta kaavasta „ - Vo res " "VT" is 56906
Jos mitään varausta ei ole siirtynyt hartsikerroksen yli, kokeessa saadun V kuvaaja pitäisi olla verrannollinen V :aan (käy-res o tetty alkupotentiaali) kaltevuudella Γ n 1 / 1 + kld2 / i^2^i
Yllämainitussa kaavassa hartsin dielektrisyysvakio on ja hartsin paksuus d^, seleenin dielektrisyysvakio on k2, seleenin paksuus d2· Käytetty alkujännite on V0·
Kokeet suoritettiin käyttämällä monokromaattista valolähdettä, 1*1 jonka aallonpituus oli 4000 A intensiteetin ollessa 2 x 10 fotonia/ 2 cm /s. Kukin levy varattiin valittuihin jännitteisiin välillä 0-100 volttia (noin 0-65 volttia/mikroni). Jäännepotentiaalia ei rajoittanut tuleva valovirta, koska kaikissa koeolosuhteissa käytettiin tarpeeksi valoa, jotta synnytettäisiin riittävä määrä varauksen kuljettajia seleeniin, jolloin pienennetään seleenikerroksen yli oleva kenttä oleellisesti nollaan. Kerrosten paksuus pidettiin tarkoituksellisesti pienenä vaikkakin ohuet näytteet aiheuttivat jonkin verran mittausongelmia, jotta saataisiin likipitäen todellinen tilanne sideainerakenteisessa valoreseptorissa, missä ohuiden muovikalvojen sähköiset ominaisuudet pigmenttihiukkasten välillä ovat säädettävissä. Näiden laskujen ja kokeiden tulokset on esitetty seuraavassa taulukossa I alempana:
Taulukko 1
Kerrostettujen rakenteiden sähköiset ominaisuudet k d Kokeellinen Laskettu kaltevuus kaltevuus
Polystyreeni 2,4 1,0 0,7/ ijj 0,01 0,ö3
Polyisobutyylime- takryiaatti 2,7 i,o o,yy ( + ) 0,02 o,«2
Silikonihartsi 2,ö 1,0 0,70 (.+^) 0,02 0,öl
Seleeni 6 0,5
Kokeellisen kaltevuuden arvot on laskettu käyttämällä kokeellisista tuloksista saatuja tietoja pienimpien neliöiden menetelmällä. Pienimpien neliöiden menetelmää on täydellisesti selittänyt J.Topping kirjassa "Errors of Observation And Their Treatment", Published by Reinhold Publishing Oorp. of New York, 1955· Kaltevuuksien pienet vakiona pysyvät erot osoittavat, että mittaustulospisteet eivät hajoa merkittävästi parhaimman suoran ympärille. Seuraavassa täytyy tarkastella kokeellisen ja lasketun tai teoreettisen kaltevuuden välistä 16 56906 eroa. Vaikkakaan kokeelliset ja lasketut kaltevuudet eivät ole tarkalleen samat, ne vaikuttavat suotuisilta, kun tarkastellaan kaikkia mahdollisia virheitä. Vaikkakin mittausvirheet ovat pieniä (kaltevuuden vakiovirhe), suuria systemaattisia virheitä voi aiheutua, johtuen siitä että on vaikea tehdä kerrosten paksuusmittauksia.
Taulukossa I esitetyistä koetuloksista voidaan vetää se johtopäätös, että ainoastaan pieni määrä varausta on siirtynyt kolmen hartsikerroksen läpi silloinkin, kun niiden paksuus on ainoastaan 1 mikronia niinkin suurilla kentillä kuin 45 volttia/mikroni. Kentillä, jotka ylittävät noin 45 volttia/mikroni, näissä ohuissa kerroksissa tapahtuu dielektrinen läpilyönti. Tämä kokeellinen testi ei osoita, onko tämä varauksen siirtymisen pienuus tai puuttuminen peräisin siitä, että rakenteella ei ole kykyä toimia aukkoinjektori-na lasisesta seleenistä tai siitä,että on olemassa liian pieni aukko-siirtoalue. Kun kaikkia virhemahdollisuuksia tarkastellaan, on tyydyttävä sanomaan, että nämä muoviaineet toimivat eristeinä koeolosuhteissa, toisin sanoen varausta ei injektoidu seleenistä muoviin, tai jos injektoituu, sitä ei siirry muovin läpi näillä kentillä.
Jotta osoitettaisiin tämän keksinnön edut verrattuna aikaisempaan tekniikkaan, joka käyttää vähintään kahta tai useampaa valoherkän materiaalin yhdistelmää, kuten on esitetty USrpatenbeissa n:ot 3 121 007 ja 3 037 861, suoritettiin lisäkokeita. Jos käytön aikana tämän keksinnön aktiivinen matriisimateriaali absorboi jonkin verran sisääntulevaa valottavaa säteilyä, valoreseptori olkoon se joko si-deainemuotoisena tai erillisenä valoinjektiokerroksena tulee epäher-kemmäksi. Jos vähennettäisiin purkausherkkyyttä, aktiivisen matrii-simateriaalin valosähköisen ominaisuuden hyväksikäyttäminen johtaisi vaikeisiin ongelmiin jatkuvassa käytössä kuten syklisissä kopiointi-koneissa. Normaalisti on toivottua, että valoreseptorilla on säilyvät tai kestävät sähköiset ominaisuudet syklisen kuvauksen aikana, jotta voitaisiin suunnitella oikein systeemin muut osatoiminnat, kuten esim. kehitys, valotus ja taustan säätö. Jos näitä olosuhteita ei voida säilyttää vakiona, tulee vaikeaksi jos ei peräti mahdottomaksi suunnitella luotettavaa automaattista kopiokonetta, joka ei tarvitsisi jatkuvaa huoltoa ja säätöä. Jotta osoitettaisiin tämän keksinnön kuvausrakenteinen tärkeys niillä aallonpituuksilla, joilla valosähköinen osa synnyttää varauksenkuljettajia ja joille ympäröivä matriisi- tai aktiivinen materiaali on oleellisesti läpinäkyvää, suoritettiin seuraava testi.
Valmistetaan levy testaustarkoituksiin. Levy käsittää johtavan tinaoksidipäällystetyn kvartisubstraatin. 0,1 mikronin epoksi- 17 $6906 suojakerros muodostetaan tinaoksidin päälle ja sen jälkeen muodostetaan 0,5 mikronin kerros amorfista seleeniä tyhjöhöyrystämällä. Se-leenikerroksen päälle muodostetaan 10 mikronin PVK-pinta. Jotta osoitettaisiin se tosiasia, että aktiivisen matriisimateriaalin pitäisi olla läpinäkyvä säteilylle maksimihyötysuhteen saavuttamiseksi.laitteelle suoritetaan seuraava testi:
Levy varataan negatiiviseen potentiaaliin, joka on noin 200 volttia ja se testataan neljällä eri aallonpituudella valottamalla sitä PVK-kerroksen läpi. Pinnan läpi tapahtuvan säteilyn aikana levy osoittaa sähköisiä purkausominaisuuksia. Levyn kserograafista nopeutta voidaan tarkastella määrittämällä graafisesti purkauskäyrän kaltevuus tällä valaistuksella, toisin sanoen (dV/dt) kohdassa t = o, joka normalisoidaan näytteen paksuuteen ja tulevaan valovirtaan, 12 2 joka on 1 x 10 fotonia/cm /s. Tämä laskenta määrää purkausherkkyy-den ja se on esitetty taulukossa 11 alempana:
Taulukko II
Purkausnopeuden riippuvuus PVK-kerroksen absorptiosta Aallonpituus VQ idV/dt)t_Q
A (volttia; (voittia/s) 4000 205 157 3550 185 83 5540 - 55YO 2UO 75 5150 - 5180 200 45 2720 - 2740 195 49
Kuten voidaan nändä taulukon II tuloksista, aallonpituudella 4000 A, missä PVK on hyvin läpinäkyvä valottavalle säteilylle, pur-kausherkkyys (dV/dt). on verrattain suuri. Kun valotus suorite-
tr — O
taan aallonpituudella, joka on 3550 tai pienempi, jonkin verran varauksen kuljettajia syntyy PVK-kerroksessa ja herkkyys huononee merkittävästi.
Jotta demonstroitaisiin jatkuvan, toistuvan tai syklisen käytön kriittisyys ja välttämättömyys siitä, että aktiivisen matriisi-materiaalin tulee olla läpinäkyvää valaisevalle tai valottavalle säteilylle, suoritettiin lisäkokeita. 100 x 100 mm suuruinen alumii-nisubstraatti päällystettiin ensin 0,2 mikronin epoksikerroksella, jotta saataisiin syntymään suojakerros, 0,5 mikronin lasinen seleeni-kerros muodostettiin sen jälkeen suojakerroksen päälle tyhjöhöyrystämällä, ja tämän jälkeen seleenikerros päällystettiin 12 mikronin paksuisella PVK-kerroksella. Tämä levystruktuuri kiinnitettiin sen jälkeen 200 mm halkaisijaiseen alumiinirumpuun, varattiin negatii- “ 56906 viseen 900 jännitteen potentiaaliin ja valotettiin valolla, jotta saataisiin 200 voltin kontrastipotentiaali. Levy purettiin sen jälkeen noin 40 voltin tai sitä pienempään potentiaaliin valottamalla kvartsijodilampulla ja varattiin jälleen 900 voltin negatiiviseen potentiaaliin. Jaksoa toistettiin sen jälkeen rummun kehänopeuden ollessa noin 150 mm sekunnissa. Kaikissa kokeissa lähtöjännite säädettiin 900 voltin jännitteeseen muuttamalla koronavirtaa testin alussa. Kokeita suoritettiin niin, että valottaminen tapahtui 4000, 3450 ja 2537 Angströmin aallonpituusalueella. Kussakin tapauksessa intensiteetti säädettiin alussa niin, että syntyi 200 voltin kontrastipotentiaali. Testin tulokset on esitetty kuviossa 11.
Kuten on esitetty kuviossa 11 4000 Angströmin aallonpituudella, missä PVK-kerros on läpinäkyvä tulevalle valolle eikä sitä ole käytetty valosähköisenä osana, rakenne on stabiili sähköisiltä ominaisuuksiltaan useamman kuin 1000 jakson ajan. Kuitenkin aallonpituusalueilla 3450 A ja 2537 A, missä tuleva valo voimakkaasti absorboituu,PVK-kerros toimii valosähköisenä osana, alkupotentiaali pienenee syklisen toiminnan aikana ja ekstrapoloimalla voidaan päätellä, että valoreseptori ei todennäköisesti ottaisi vastaan enää varausta noin 1000 jakson jälkeen. Näiden kokeiden alueella valotuk-sen jälkeinen potentiaali pienenee alkupotentiaalin pienenemiseen suhteellisena ja tämä johtaa vakiokontrastipotentiaaliin. Vaikkakin olisi mahdollista kehittää sellainen kuva, muutos potentiaalissa vakio-kontrastilla johtaisi vaikeuksiin kehityksessä ja taustasäädössä, ja se ei olisi sopiva automaattiseen sykliseen kserograafiseen toimintaan.
Seuraavat esimerkit selventävät tätä keksintöä valoherkän osan valmistusmenetelmän kannalta tämän sisältäessä valosähköisen kerroksen, jonka vieressä on aktiivinen orgaaninen kerros. Käytetyt prosenttiluvut ovat painoprosentteja ellei toisin mainita. Alempana esitetyt esimerkit on tarkoitettu ainoastaan kuvaamaan erilaisia tämän keksinnön valmistusmuotoja.
Esimerkki I
Valmistetaan seuraavalla tavalla levy tai kerrostettu rakenne, joka vastaa kuviossa 7 esitettyä , ja se sisältää 22 mikronin paksuisen kerroksen polyvinyylikarbatsolia (PVK) /Luvican M170 grade poly-N-vinyl-carbatsole, saatavissa BASF:sta7, joka sijoitetaan 6 mikronin paksuisen sideainekerroksen päälle tämän sisältäessä 6/1 painon mukaan (7,5/1 tilavuuden mukaan) PVK/metallivapaan ftalosyaninin X-muoto dispersiota, joka on saostettu 0,13 mm paksuiselle alumiini-substraatille : 19 SS906 (1) 16,7 % polymeerivarastoliuos valmistetaan liuottamalla sopiva määrä PVK-liuokseen, jossa on 180 g tolueenia ja 20 g sykloheksanonia.
(2) 0,5 g metallivapaan ftalosyaninin X-muotoa sekoitetaan 18 g PVK-varastoliuosta ja 5 ml:aan tolueenia. Tätä seosta sekoitetaan kuulamyllyssä noin 15 minuuttia, jotta saataisiin syntymään tasainen hyvin dispersoitunut suspensio.
(3) Dispersio sijoitetaan sen jälkeen alumiinisubstraatille käyttämällä ’’Gardner Laboratory Bird” applikaattoria, jotta saataisiin syntymään 6 mikronin paksuinen kerros kuivauksen jälkeen, joka tapahtuu 110°C:ssa kuivausuunissa ja kestää yhden tunnin.
(4) 22 mikronin paksuinen PVK-kerros muodostetaan PVK-varasto-liuoksesta ftalosyaninisideainekerrokseen käyttämällä ’’Bird’’ applikaattoria. Lopullinen yhtenäinen rakenne kuivataan kuivausuunissa 110°C:ssa 12 tunnin aikana.
Näkyvä kuva muodostetaan koronavaraamalla tasaisesti levy pimeässä negatiiviseen kenttään, joka on noin 20-40 volttia per mikroni, jota seuraa varatun levyn valottaminen mallin mukaan volframivalolähteen valolla, jotta muodostuisi latentti sähköstaattinen kuva. Volframivalosäde suodatetaan, jotta poistettaisiin kaikki säteily, joka on alapuolella noin 4000 Angströmia. Latentti kuva kaskadikehitetään levittämällä levylle Xerox 914 värityshiukkasia väritetyn kuvan muodostamiseksi, joka vuorostaan siirretään paperi-arkille, mihin väriainehiukkaset kiinnitetään säilyvän kopion muodostamiseksi.
Esimerkki II
Toinen levy valmistetaan esimerkin I mukaisella menetelmällä lukuunottamatta sitä, että ftalosyaninin sijasta käytetään Indofast Orangea, joka on polynukleaarinen aromaattinen kinoni, jota saadaan Allied Chemical Corp:sta, valosähköisenä osana. Valosähköinen kerros on noin 2 mikronin paksuinen ja PVK-pintakerros on noin 13 mikronin paksuinen. Näkyvä kuva muodostetaan esimerkin I mukaisesti.
Esimerkki III
Kolmas levy, joka on samanlainen kuin kuviossa 9 esitetty, valmistetaan esimerkin I menetelmällä lukuunottamatta sitä, että valosähköisenä osana käytetään amorfista seleeniä. Tässä tapauksessa valosähköinen kerros muodostetaan tavanomaisella tyhjöhöyrystystek-niikalla, eli esim. sellaisella, jota on selitetty US-patenteissa n:ot 2 753 278 ja 2 970 906. Seleeni on paksuudeltaan noin 0,5 mikronia. Jotta estettäisiin seleenin kiteytyminen, PVK-pintakerros ilmakuivataan huonelämpötilassa noin yhden tunnin aikana, jonka jälkeen se kuivataan tyhjössä noin 12 tunnin aikana lämpötilan ollessa 20 56906 huonelämpötila ja edelleen kuivausta suoritetaan 24 tuntia 40°C lämpötilassa. Tämä levy säilyttää sähköstaattisen kuvan pimeässä ja varaus häviää aktivoivan säteilyn valottaessa sitä.
Esimerkki IV
Neljäs levy valmistetaan esimerkin III mukaisella menetelmällä lukuunottamatta sitä, että pintakerroksena käytetään poly-l-vinyyli-pyreeniä (PVP). Tässä esimerkissä polymeeri syntesoidaan menetelmän mukaisesti, jota on kutsuttu kationiseksi polymeroinniksi ja jota on kuvannut Sorenson ja Cambell julkaisussa "Preparative Methods of Polymer Chemistry", 1968 Edition, sivu 267. Viisi grammaa PVPrtä liuotetaan kloroformiin, jotta saataisiin 10 % liuos. Tämä liuos sijoitetaan sen jälkeen seleenikerroksen päälle, jotta saataisiin noin 15 mikronin paksuinen kuivattu kerros. Näkyvä kuva muodostetaan levylle käyttämällä esimerkin I mukaista menetelmää.
Esimerkki V
Levy valmistetaan esimerkin IV mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että aktiivinen kerros käsittää 10 mikronin paksuisen kerroksen pyreeni-formaldehydikondensaatiopolymeeria. Polymeerin valmistaminen suoritetaan brittiläisen patentin n:o 1 021 99** mukaisesti. Sopiva päällyskerros valmistetaan siten, että liuotetaan noin 5 g polymeeriä 50 g:aan kloroformia. Tämä levy voi säilyttää sähköstaattisen varauksen pimeässä ja varaus häviää, jos sitä säteiiytetään valolla, jonka aallonpituus on keskitetty 4500 Angströmin aallonpituudelle .
Esimerkki VI
Levy valmistetaan esimerkin V mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että käytetään N-substituoitua polymeeristä akryylistä pyree-nin happoamidia, jolloin typen substituentti on pyreeni. Tämän polymeerin synteesiä on esitetty US-patentissa n:o 5 507 940. Tämä levy voi säilyttää sähköstaattisen varauksen ja varaus häviää, jos sitä valotetaan säteilyllä, jonka aallonpituus on keskitetty noin 4500 Angströmin alueelle.
Esimerkki VII
Levy valmistetaan esimerkin 111 mukaisesti muuten, paitsi että 50 mikronin höyrystettyä puolikiteistä pyreenikerrosta käytetään aktiivisena materiaalina. Alumiinilevy, joka sisältää 0,5 mikronin höyrystetyn amorfisen seleenikerroksen, sijoitetaan tyhjölasikupuun, jossa tyhjö pidetään alueella noin 10 torria seleenikerroksen ollessa vastapäätä pyreenilähdettä. Jotta estettäisiin seleenin kiteytyminen pyreenihöyrystyksen aikana, seleenin lämpötila alumiinilevyl- 2i 56906 lä säilytetään alapuolella 10°C käyttämällä vesijäähdytystä, joka on suunniteltu tyhjöjärjestelmään. Pyreeni haihdutetaan kuumentamalla se noin 100°C:een, jolloin höyrystäminen kestää noin yhden tunnin ja sen seurauksena saadaan tasainen läpinäkyvä pyreenikalvo seleenikerroksen päälle. Levy voi pitää sähköstaattisen varauksen pimeässä ja varaus häviää, jos sitä säteilytetään valolla, jonka aallonpituus on keskitetty 4500 Ängströmin alueelle.
Esimerkki VIII
Levy valmistetaan esimerkin VII mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että pyreeni korvataan läpinäkyvällä puolikiteisellä tetrafeenikerroksella, jonka paksuus on 20 mikronia. Tämä levy voi säilyttää sähköstaattisen varauksen pimeässä ja varaus häviää, jos sitä säteilytetään säteilyllä, jonka aallonpituus on keskitetty noin 4500 Ängströmin alueelle.
Esimerkki IX
Esimerkin VIII mukaisella menetelmällä valmistetaan yhdeksän levyä muuten, paitsi että aktiivisena kerroksena käytetään seuraa-via yhdeksää polysyklistä aromaattista yhdistettä, jolloin valosähköisenä kerroksena kussakin tapauksessa toimii 0,5 mikronin lasinen seleenikerros:
Cl) 1-asetyylipyreeni (2) 2,3-bensokryseeni (3) 6,7-bensopyreeni (4) 1-bromopyreeni (5) karbatsoli (6) 1-etyylipyreeni (7) 1-metyylipyreeni (ö) peryleeni (9) 2-fenyyli-indoli
Aktiivisen materiaalin pintakerros on paksuudeltaan noin 20 mikronia. Kukin levy kuvataan sen jälkeen esimerkin I mukaisella menetelmällä, jotta saataisiin näkyvä kuva. Peryleenikerroksen käsittävä levy kuvataan suodattamalla säteily alapuolelle noin 4500 Ängströmia. Latentin kuvan kehittäminen suoritetaan magneettisella sivelytekniikalla, kuten on esitetty US-patentissa n:o 2 786 459. Esimerkki X
Levy valmistetaan esimerkin I mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että 0,5 mikronin paksuista nailonkerrosta käytetään suoja-kerroksena. Käytettyä nailonia myy Du Pont tavaramerkillä "Zytel". Suojakerros muodostetaan kastopäällystämällä levy liuoksessa, jossa nailon on liuotettu metyylialkoholiin.
22 56906
Esimerkki XI
Levy valmistetaan esimerkin III mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että 0,5 mikronin epoksikerrosta käytetään suojakerroksena. Päällystävä liete muodostetaan sekoittamalla 355 g epoksia, jota myy Shell Oil tavaramerkillä Epon-1007, 200 g hartsia 5201, jota on saatavissa yhtiöstä Resyn Corp. ja M g Uformite F-240, jota on saatavissa yhtiöstä Rohms & Haas Co. Tämä seos laimennetaan sen jälkeen käyttämällä 403 g Ethyl Cellosolve liuotinta, jota on saatavissa yhtiöstä Union Carbide, jotta saataisiin päällystävä liete. Suoja-kerros muodostetaan kastopinnoittamalla levy epoksilietteessä, jolloin saadaan kuivauksen jälkeen kerroksen paksuudeksi 0,5 mikronia. Esimerkki XII
Levy valmistetaan esimerkin III mukaisella menetelmällä muuten, paitsi että nailonsuojakerros on identtinen esimerkin X mukaiselle kerrokselle ja se tehdään seleenikerroksen ja substraatin välille. Kukin esimerkkien X-XII mukainen levy voi ottaa vastaan ja säilyttää sähköstaattisen kuvan pimeässä ja varaus häviää, jos aktivoiva säteily vaikuttaa siihen.
Esimerkki XIII
Kserograafinen levy valmistetaan seuraavasti: 1 osa kino- gridonipigmenttiä (Du Pont Monastral Red B) dispersoidaan yhteen osaan PVK (17 % PVK-liuoksesta) ja 10 osaan tolueenia. Tämä dispersio sekoitetaan teräshiekan kanssa 1/2 tunnin aikana maalitäris-timessä. 3-5 mikronin paksuinen kerros tätä dispersiota sijoitetaan alumiinisubstraatin pinnalle. Noin 50 mikronin paksuinen PVK-kerros muodostetaan sen jälkeen pigmenttikerrokselle käyttämällä esimerkin I mukaista menetelmää. Levy testataan varaamalla se sähköisesti negatiivisesti ja purkamalla se valkoisella valolla. Levy osoittaa hyvää varauksen vastaanottokykyä ja valopurkausta. Kuvat tehdään levystä käyttämällä esimerkin I mukaista menetelmää.
Neljä levyä valmistetaan käyttämällä esimerkin I ja III mukaista menetelmää. Nämä levyt osoittavat hyvää varauksen vastaanottokykyä ja valoherkkyyttä. Lisäksi kutakin levyä käytetään niin, että saadaan näkyvä kuva esimerkin I mukaisella menetelmällä lukuunottamatta sitä, että magneettista sivelykehitystä käytetään kaskadi-kehityksen sijasta.
23 5 6 9 0 6
Taulukko III
Aktiivinen Aktiivisen Valosähköisen Valosähköi- Substraat- pintakerros- pintakerook- osan materiaali sen kerroksen ti materiaali sen paksuus paksuus PVK 8 mikronia 96/1 tilavuuden 4 mikronia Alumiini mukaan PVK-tri-gonaalinen seleeni PVK 13 mikronia 7,5/1 tilavuuden 3 mikronia 1 mikronin mukaan PVK-me- nailonsuo- tallivapaan fta- jakerros losyaninin X- alumiinil- muoto la PVP 12 mikronia Lasinen seleeni 0,5 mikronia 0,2 mikro nin nailcn-suojaker-ros alumiinilla PVP 20 mikronia Lasinen seleeni 0,5 mikronia Alumiini
Esimerkin I, II, IV ja VII levyt testattiin sähköisesti, jotta määritettäisiin kserograafinen vahvistus (G) suurimman herkkyyden omaavalla valotusaallonpituudella. Sähköiset tulokset ja laskettu vahvistus kullekin levylle on taulukoitu taulukkoon IV. Taulukon IV levyt varattiin sähköstaattisesti negatiiviseen potentiaaliin 4 4 (kenttä noin 50 x 10 volttia/cm, joka edustaa jännitettä 50 x 10 volttia kutakin kerrospaksuuden senttimetriä kohti) käyttämällä koro-navarauslaitetta. Kukin näyte valotettiin sen jälkeen monokromaattisella valolla, jonka aallonpituus oli lähellä valosähköisen osan huip-puabsorptioaallonpituutta. Syntynyt purkaus (jännite aikaan verrannollisena) rekisteröitiin tämän jälkeen. Näistä tuloksista laskettiin sen jälkeen kserograafinen vahvistus käyttämällä edellä esitettyä kaavaa.
Taulukko IV
Näyte- Valotus- Potonivirta Mitattu Vahvistus tai mak- levy aallon- (fotonia/ kenttä- simi hyötysuhde pituus cm*/s) alue ^ (varauksen kuljet- Ä (V/cm x 10 ; tajia jotka on saa tu kerättyä absorboitua fotonia kohti) I 6200 8,6 x 1012 2-90 0,35 II 4540 3,3 x 1012 3-70 0,12 IV 4000 2,0 x 1012 0,4 - 55 0,53 VII 4000 2,1 x 1012 1-15 0,20
Vaikkakin määrättyjä komponentteja ja suhteita on esitetty yllä olevassa tämän keksinnön parhaana pidettyjen valmistemuotojen selityksessä, voidaan käyttää myöskin muita sopivia materiaaleja
Claims (7)
1. Elementti kuvan muodostamista varten käsittäen suuntautuma-tonta epäorgaanista valosähköistä materiaalia olevan kerroksen kantaja-alustalla ja valosähköisen kerroksen päällä olevan, sähköisesti aktiivista orgaanista materiaalia olevan kosketuskerroksen, tunnettu siitä, että aktiivisen kerroksen ja valosähköisen kerroksen paksuuksien suhde on noin 2:1 - 200:1, jolloin valosähköinen kerros kykenee synnyttämään valon vaikutuksesta aukkoja ja injektoimaan niitä, ja aktiivinen orgaaninen materiaali kykenee vastaanottamaan valoherätettyjen aukkojen injektoinnin valosähköisestä kerroksesta ja kuljettamaan aukot aktiivisen kerroksen läpi, joka aktiivinen kerros käsittää vähintään yhtä seuraavista materiaaleista: poly-l-vinyylipyreeni, polymetyleenipyreeni, N-substituoidut polymeeriset pyreenin akryylihappoamidit, karbatsoli, N-etyylikarbatsoli, N-fenyylikarbatsoli, pyreeni, tetrafeeni, 1-asetyylipyreeni, 2,3-bensokryseeni, 6,7-bensopyreeni, 1-bromopyreeni, 1-etyylipyreeni, 1-metyylipyreeni, peryleeni, 2-fenyyli-indoli, tetrakeeni, pikeeni, 1,3,6,8-tetrafenyylipyreeni, kryseeni, fluoreeni, fluorenoni, fenan-treeni, trifenyleeni, 1,2,5,6-dibensantrakeeni, 1,2,3,4-dibensantra-keeni, 2,3-bensopyreeni, antrakinoni, dibensotiofeeni ja naftaleeni.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen elementti, tunnettu siitä, että valosähköinen kerros käsittää epäorgaanisia valosähköisiä hiukkaisa dispersoituina sideaineeseen, jolloin hiukkasten määrä on vähintään noin 25 tilavuus-% valosähköisestä kerroksesta.
3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen elementti, tunnet-t u siitä, että kantaja-alusta on sähköisesti johtava.
4. Patenttivaatimuksen 1, 2 tai 3 mukainen elementti, tunnettu siitä, että kantaja-alusta on pääasiassa läpinäkyvä.
5. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen elementti, tunnettu siitä, että valosähköinen kerros käsittää vähintään yhtä seuraavista materiaaleista: lasinen seleeni, seleeniseos, trigo-naalinen seleeni ja kadmiumsulfoselenidi.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen elementti, tunnettu siitä, että seleeniseos on seleenin ja telluurin seos.
7. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen mukainen elementti, tunnettu siitä, että sähköisesti aktiivinen orgaaninen materiaali on sekoitettu ei-aktiivisen polymeerimateriaalin kanssa.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI57671A FI56906C (fi) | 1971-02-25 | 1971-02-25 | Element foer alstrande av en bild |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI57671 | 1971-02-25 | ||
| FI57671A FI56906C (fi) | 1971-02-25 | 1971-02-25 | Element foer alstrande av en bild |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI56906B FI56906B (fi) | 1979-12-31 |
| FI56906C true FI56906C (fi) | 1980-04-10 |
Family
ID=8504322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI57671A FI56906C (fi) | 1971-02-25 | 1971-02-25 | Element foer alstrande av en bild |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FI (1) | FI56906C (fi) |
-
1971
- 1971-02-25 FI FI57671A patent/FI56906C/fi active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FI56906B (fi) | 1979-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3870516A (en) | Method of imaging photoconductor in change transport binder | |
| US5336577A (en) | Single layer photoreceptor | |
| US3904407A (en) | Xerographic plate containing photoinjecting perylene pigments | |
| US3953207A (en) | Composite layered photoreceptor | |
| US4555463A (en) | Photoresponsive imaging members with chloroindium phthalocyanine compositions | |
| JPS6030934B2 (ja) | 像形成部材 | |
| US3850630A (en) | Xerographic plate containing photoinjection indigold pigments | |
| EP0189991A1 (en) | Photoresponsive imaging members with polysilylenes hole transporting compostions | |
| US3879200A (en) | Novel xerographic plate containing photoinjecting bis-benzimidazole pigments | |
| JPS5832372B2 (ja) | 静電写真感光装置 | |
| JPH0574817B2 (fi) | ||
| CA1045879A (en) | Aggregate photoconductive compositions and elements with a styryl amino group containing photoconductor | |
| US4053311A (en) | Poly-n-vinylcarbazole image transport layer plasticized by bis(4-diethylamino-2-methylphenyl)phenylmethane | |
| JPH05100453A (ja) | 高速電子写真像形成装置 | |
| US5166016A (en) | Photoconductive imaging members comprising a polysilylene donor polymer and an electron acceptor | |
| JPS59182457A (ja) | 電子写真感光体 | |
| SU508235A3 (ru) | Способ переноса скрытого электростатического изображени | |
| US4315981A (en) | Organic double layer electrophotographic recording material | |
| FI56906C (fi) | Element foer alstrande av en bild | |
| US4282298A (en) | Layered imaging member and method | |
| US5342719A (en) | Imaging members having a hydroxy aryl amine charge transport layer | |
| US3899329A (en) | Mixture of photoconductors in an active matrix | |
| US4092161A (en) | Inorganic photoconductors with phenyl substituted image transport materials | |
| US5162184A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
| SU463275A3 (ru) | Электрофотографический элемент |