SU488258A1 - Динамическа чейка пам ти - Google Patents

Динамическа чейка пам ти

Info

Publication number
SU488258A1
SU488258A1 SU1994660A SU1994660A SU488258A1 SU 488258 A1 SU488258 A1 SU 488258A1 SU 1994660 A SU1994660 A SU 1994660A SU 1994660 A SU1994660 A SU 1994660A SU 488258 A1 SU488258 A1 SU 488258A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
memory cell
dynamic memory
bus
transistors
Prior art date
Application number
SU1994660A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Григорьевич Жемейцев
Original Assignee
Предприятие П/Я Х-5885
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Х-5885 filed Critical Предприятие П/Я Х-5885
Priority to SU1994660A priority Critical patent/SU488258A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU488258A1 publication Critical patent/SU488258A1/ru

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

1
Предложенна  динамическа   чейка пам ти относитс  к устройствам вычислительной техники и может быть использована в интегральных оперативных запоминающих устройствах .
Известна динамическа   чейка пам ти, содержаща  три МДП-транзистора, в которой сток первого транзистора подключен к истоку второго транзистора, стоки второго и третьего транзисторов подключены к разр дной шине, а затвор третьего транзистора - к адресной шине записи.
В известной  чейке пам ти требуетс  трехуровневый сигнал на адресной шине, что усложн ет управление ее работой.
Целью изобретени   вл етс  устранение указанного недостатка, т. е. упрощение управлени  работой  чейки.
Поставленна  цель достигаетс  подключением затвора второго транзистора к истоку третьего транзистора, а истока и затвора первого транзистора - к адресной шине считывани .
На фиг. 1 приведена схема динамической  чейки пам ти; на фиг. 2 -временна  диаграмма ее работы. Прин тые обозначени : 1, 2, 3 - МДП-транзисторы.
Транзисторы 1, 3  чейки служат дл  считывани  и записи соответственно. На технологической емкости 4 «затвор - подложка
(подложка заземлена) транзистора 2 временно хранитс  в форме зар да информации. Шины 5, 6, 7 - разр дна  шина, адресна  шина записи и адресна  шина считывани  соответственно .
В режиме записи информации на адресную шину записи 6 и разр дную шину 5 поступают сигнал выборки, соответствуюший «1, и сигнал «О или «1 записываемой информации
соответственно; на адресной шине считывани  7 поддерживаетс  нулевое напр жение (напр жени  измер ютс  относительно подложки ). Транзистор 1 закрыт, транзистор 3 открываетс . Емкость 4 либо зар жаетс  до напр жени , при котором открываетс  транзистор 2 (запись «1), либо разр жаетс  до нулевого напр жени , при этом транзистор 2 закрыт (запись «О). После записи на шинах  чейки поддерживаетс  нулевое напр жение,
транзисторы 1, 3 закрыты, транзистор 2 открыт или закрыт.
В режиме считывани  на адресную шину считывани  7 поступает сигнал выборки, соответствуюш ,ий на шинах 5, 6 поддерл иваетс  нулевое напр жение. Транзистор 1 открываетс , транзистор 3 закрыт. При считывании «1 транзисторы 1, 2, открыты, ток считывани  (/сч), протекающий между щинами 5, 7, соответствует сигналу считывани  «1
(/сч). При считывании «О, транзистор 2 закрыт , отсутствие тока между шинами 5, 7 соответствует сигналу считывани  «О (/сч„ )
Регенераци  информации в  чейке осуществл етс  путем считывани  и перезаписи информации в  чейку не реже одного раза в течение времени хранени .
Предмет изобретени 
Динамическа   чейка пам ти, содержаща  три МДП-транзистора, сток первого из которых подключен к истоку второго транзистора, стоки второго и третьего транзисторов подключены к разр дной шине, а затвор третьего транзистора нодключен к адресной шине записи , отличающа с  тем, что, с целью упрощени   чейки, в ней затвор второго транзистора подключен к истоку третьего, а исток и затвор первого транзистора подключены к адресной шипе считывани .
If иг. 1
Фиг. 2
SU1994660A 1974-02-07 1974-02-07 Динамическа чейка пам ти SU488258A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1994660A SU488258A1 (ru) 1974-02-07 1974-02-07 Динамическа чейка пам ти

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1994660A SU488258A1 (ru) 1974-02-07 1974-02-07 Динамическа чейка пам ти

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU488258A1 true SU488258A1 (ru) 1975-10-15

Family

ID=20575258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1994660A SU488258A1 (ru) 1974-02-07 1974-02-07 Динамическа чейка пам ти

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU488258A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4110637A (en) * 1975-08-08 1978-08-29 Ebauches S.A. Electronic system for capacitively storing a signal voltage of predetermined level

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4110637A (en) * 1975-08-08 1978-08-29 Ebauches S.A. Electronic system for capacitively storing a signal voltage of predetermined level

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3191549B2 (ja) 半導体メモリ装置
JP3990485B2 (ja) 半導体不揮発性記憶装置
US4351034A (en) Folded bit line-shared sense amplifiers
JPS595993B2 (ja) フリツプフロツプ形式による2進信号の再生回路
SU654197A3 (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
JPH0222470B2 (ru)
SU488258A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
JPS6282597A (ja) 半導体記憶装置
SU523454A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
USRE32682E (en) Folded bit line-shared sense amplifiers
SU488259A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
SU767839A1 (ru) Многоустойчивый динамический запоминающий элемент
SU529485A1 (ru) Динамическа чейка пам ти
JP2678010B2 (ja) ランダムアクセスメモリ
SU450230A1 (ru) Запоминающий элемент на мдп транзисторах
SU1444888A1 (ru) Ячейка пам ти
JPS62245595A (ja) 半導体メモリ−セル
SU574773A1 (ru) Устройство дл записи-считывани
SU395900A1 (ru) Динамическая ячейка памяти на мдп-транзисторах
SU830575A1 (ru) Усилитель считывани с регенерациейНА Мдп-ТРАНзиСТОРАХ
SU756478A1 (ru) Усилитель для записи-считывания информации на дополняющих мдп-транзисторах 1
SU681455A1 (ru) Ячейка пам ти
SU1367043A1 (ru) Ячейка пам ти
JPH0646517B2 (ja) 不揮発性半導体メモリ装置
RU1308063C (ru) Ячейка памяти