SU423206A1 - Способ маркировки элементов интегральных схем - Google Patents

Способ маркировки элементов интегральных схем

Info

Publication number
SU423206A1
SU423206A1 SU1721709A SU1721709A SU423206A1 SU 423206 A1 SU423206 A1 SU 423206A1 SU 1721709 A SU1721709 A SU 1721709A SU 1721709 A SU1721709 A SU 1721709A SU 423206 A1 SU423206 A1 SU 423206A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
marking elements
elements
marking
schemes
integral
Prior art date
Application number
SU1721709A
Other languages
English (en)
Inventor
В. С. Черн В. Г. Захаров Н. Д. Матвеев Г. К. Самыгина В. А. Лепилин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1721709A priority Critical patent/SU423206A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU423206A1 publication Critical patent/SU423206A1/ru

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к технологическому оборудованию дл  производства нолуироводниковых приборов и может быть применено при маркировке негодных кристаллов и некоторых приборов на полупроводниковых нластинах при производстве интегральных микросхем .
Известен способ маркировки негодных элементов после замера зондами их электрических параметров, при котором алмазным наконечнико .м став т метку в виде царапины или точки на поверхности полупроводникового кристалла между контактными площадками. Недостатками известного способа  вл ютс  сложность механических устройств дл  его реализации, а также нанесение метки на полупроводниковом кристалле, из-за чего он целиком бракуетс . Однако при изготовлении р да ириборов, например многоканальных коммутаторов на МОП-транзисторах, выход из стро  одного канала не вли ет на работоспособность остальных каналов, поэтому практически можно использовать все кристаллы , имеющие хот  бы один годный канал.
Предложенный способ маркировки элементов интегральных схем отличаетс  тем, что после измерени  их электрических параметров риску нанос т острием электроизмерительио2
го зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
Способ реализуетс  следующим образом. При обнаружении негодного элемента во врем  измерени  электрических параметров на измерительный зонд, упирающийс  в контактную площадку, подают механические колебани , вызывающие перемещение остри  зонда по контактной площадке. В результате на контактной площадке остаетс  риска, легко различима  под микроскоиом при разбраковке кристаллов с приборами.
Поеле разбраковки кристаллы поступают на сборку, причем с выводами корпуса соедин ют только контактные нлощадкн, не имеющие метки, т. е. соответствующие годным элементам.
Предмет изобретени 
Сиособ маркировки элементов интегральных схем после измеренн  их электрических параметров путем нанесени  метю в виде риски, с т л и ч а ю 1Ц и и с   тем, что. с целью упрощени  процесса и обеспечени  выделени  годных элементов дл  псслелуюн его их использовани , рпску нанос т острием электроизмерительного зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
SU1721709A 1971-12-07 1971-12-07 Способ маркировки элементов интегральных схем SU423206A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1721709A SU423206A1 (ru) 1971-12-07 1971-12-07 Способ маркировки элементов интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1721709A SU423206A1 (ru) 1971-12-07 1971-12-07 Способ маркировки элементов интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU423206A1 true SU423206A1 (ru) 1974-04-05

Family

ID=20495262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1721709A SU423206A1 (ru) 1971-12-07 1971-12-07 Способ маркировки элементов интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU423206A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3584740D1 (de) Hochleistungsfluessigkristallanzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung.
DE3888895D1 (de) Verfahren zum elektrischen Verbinden von integrierten Schaltungschips, eine Harzzusammensetzung für Podeste, und gemäss diesem Verfahren hergestellte Flüssigkristallanzeigevorrichtung.
DE19717369A1 (de) Prüfkarte und diese verwendende Untersuchungsvorrichtung
SU423206A1 (ru) Способ маркировки элементов интегральных схем
WO2006036494A2 (en) Method and apparatus for determining concentration of defects and/or impurities in a semiconductor wafer
JPS5775438A (en) Semiconductor element
JPS5523437A (en) Manufacture of prove unit for semiconductor wafer test
JPS6486536A (en) Semiconductor device
JPS55130137A (en) Inspection method of semiconductor wafer and probe card
SU669430A1 (ru) Зондова головка
JPS53145576A (en) Measuring method of electrical characteristics of semiconductor wafers and probe card used in said method
SU369383A1 (ru) Способ контроля рабочей поверхности абразивных инструментов
JPS6266152A (ja) 電極の検査方法
JPS6118859B2 (ru)
SU884178A1 (ru) Контактное устройство
DE1948422C (de) Ortungsgerät für elektrische Leitungen
KR100562304B1 (ko) 반도체칩의 테스트패턴
JPS6365635A (ja) フイルムキヤリアテ−プ搭載集積回路
JPS56133841A (en) Measurement of minority carrier life time of mos semiconductor device
JPS5666053A (en) Fixed probing card
Millea et al. Field effect on silicon
JPS5726452A (en) Testing method for semiconductor device
JPS62109335A (ja) 集積回路
JPS54111286A (en) Inspection method of semiconductor device
JPS5629341A (en) Measurement of properties of semiconductor device