SU423206A1 - Способ маркировки элементов интегральных схем - Google Patents
Способ маркировки элементов интегральных схемInfo
- Publication number
- SU423206A1 SU423206A1 SU1721709A SU1721709A SU423206A1 SU 423206 A1 SU423206 A1 SU 423206A1 SU 1721709 A SU1721709 A SU 1721709A SU 1721709 A SU1721709 A SU 1721709A SU 423206 A1 SU423206 A1 SU 423206A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- marking elements
- elements
- marking
- schemes
- integral
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к технологическому оборудованию дл производства нолуироводниковых приборов и может быть применено при маркировке негодных кристаллов и некоторых приборов на полупроводниковых нластинах при производстве интегральных микросхем .
Известен способ маркировки негодных элементов после замера зондами их электрических параметров, при котором алмазным наконечнико .м став т метку в виде царапины или точки на поверхности полупроводникового кристалла между контактными площадками. Недостатками известного способа вл ютс сложность механических устройств дл его реализации, а также нанесение метки на полупроводниковом кристалле, из-за чего он целиком бракуетс . Однако при изготовлении р да ириборов, например многоканальных коммутаторов на МОП-транзисторах, выход из стро одного канала не вли ет на работоспособность остальных каналов, поэтому практически можно использовать все кристаллы , имеющие хот бы один годный канал.
Предложенный способ маркировки элементов интегральных схем отличаетс тем, что после измерени их электрических параметров риску нанос т острием электроизмерительио2
го зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
Способ реализуетс следующим образом. При обнаружении негодного элемента во врем измерени электрических параметров на измерительный зонд, упирающийс в контактную площадку, подают механические колебани , вызывающие перемещение остри зонда по контактной площадке. В результате на контактной площадке остаетс риска, легко различима под микроскоиом при разбраковке кристаллов с приборами.
Поеле разбраковки кристаллы поступают на сборку, причем с выводами корпуса соедин ют только контактные нлощадкн, не имеющие метки, т. е. соответствующие годным элементам.
Предмет изобретени
Сиособ маркировки элементов интегральных схем после измеренн их электрических параметров путем нанесени метю в виде риски, с т л и ч а ю 1Ц и и с тем, что. с целью упрощени процесса и обеспечени выделени годных элементов дл псслелуюн его их использовани , рпску нанос т острием электроизмерительного зонда на контактной площадке, соответствующей негодному элементу.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1721709A SU423206A1 (ru) | 1971-12-07 | 1971-12-07 | Способ маркировки элементов интегральных схем |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1721709A SU423206A1 (ru) | 1971-12-07 | 1971-12-07 | Способ маркировки элементов интегральных схем |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU423206A1 true SU423206A1 (ru) | 1974-04-05 |
Family
ID=20495262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1721709A SU423206A1 (ru) | 1971-12-07 | 1971-12-07 | Способ маркировки элементов интегральных схем |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU423206A1 (ru) |
-
1971
- 1971-12-07 SU SU1721709A patent/SU423206A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3584740D1 (de) | Hochleistungsfluessigkristallanzeigevorrichtung und verfahren zur herstellung. | |
DE3888895D1 (de) | Verfahren zum elektrischen Verbinden von integrierten Schaltungschips, eine Harzzusammensetzung für Podeste, und gemäss diesem Verfahren hergestellte Flüssigkristallanzeigevorrichtung. | |
DE19717369A1 (de) | Prüfkarte und diese verwendende Untersuchungsvorrichtung | |
SU423206A1 (ru) | Способ маркировки элементов интегральных схем | |
WO2006036494A2 (en) | Method and apparatus for determining concentration of defects and/or impurities in a semiconductor wafer | |
JPS5775438A (en) | Semiconductor element | |
JPS5523437A (en) | Manufacture of prove unit for semiconductor wafer test | |
JPS6486536A (en) | Semiconductor device | |
JPS55130137A (en) | Inspection method of semiconductor wafer and probe card | |
SU669430A1 (ru) | Зондова головка | |
JPS53145576A (en) | Measuring method of electrical characteristics of semiconductor wafers and probe card used in said method | |
SU369383A1 (ru) | Способ контроля рабочей поверхности абразивных инструментов | |
JPS6266152A (ja) | 電極の検査方法 | |
JPS6118859B2 (ru) | ||
SU884178A1 (ru) | Контактное устройство | |
DE1948422C (de) | Ortungsgerät für elektrische Leitungen | |
KR100562304B1 (ko) | 반도체칩의 테스트패턴 | |
JPS6365635A (ja) | フイルムキヤリアテ−プ搭載集積回路 | |
JPS56133841A (en) | Measurement of minority carrier life time of mos semiconductor device | |
JPS5666053A (en) | Fixed probing card | |
Millea et al. | Field effect on silicon | |
JPS5726452A (en) | Testing method for semiconductor device | |
JPS62109335A (ja) | 集積回路 | |
JPS54111286A (en) | Inspection method of semiconductor device | |
JPS5629341A (en) | Measurement of properties of semiconductor device |