SU414950A1 - Полупроводниковый источник света - Google Patents
Полупроводниковый источник светаInfo
- Publication number
- SU414950A1 SU414950A1 SU7301890101A SU1890101A SU414950A1 SU 414950 A1 SU414950 A1 SU 414950A1 SU 7301890101 A SU7301890101 A SU 7301890101A SU 1890101 A SU1890101 A SU 1890101A SU 414950 A1 SU414950 A1 SU 414950A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- light source
- semiconductor light
- radiation
- depression
- light
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
1
Известен плоский полупроводниковый источник света в виде параллелепипеда.Плоска конструкци проста в изготовлении требует малого расхода м атёриапа и обеспечивает хорошее согласование с фотоприемником, который , как правил о J также имеет плоскою конструкцию..
Однако известна конструкци имеет низкий коэффициент преобразовани электрической энергии в световую (низкий квантовый выход излучени ). Это св зано с тем, что йэ. кристалла может выйти только то излучение , которое падает на грани параллелепипеда пЬд углом меньше предельного угла внут реннего отражени . в палупроводниках составл ет 10-20°, в результате чего через шесть граней параллелепипеда может выйти небольша часть излучени Остальpioe же излучение претерпевает многократное пошюе внутреннее отражение от граней и поглотаетс в кристалле.
Цель изобретени - увеличение внешнего квантового выхода излучени .
Предлагаемый источник света отличаетс тем, что он выполнен в виде пластины, у
которой по крайней мере одна из сторон выполнена не менее,чем с одной выпуклостью или впадиной, котора может ограничиватьс криволинейной либо кусочно-гладкой поверхностью . Ближайша точка поверхности впадины или выпуклости расположена на рассто нии не меньше диффузионной длины неосновных носителей от p-t -перехода. Геометрические размеры выпуклос.ти и впади.ны не меньше длины волны излучени источника света.
В тахсой конструкции луч света, первоначально падающий на плоскую или искривленную грань йод углом больше угла пределного внутреннего отражени , выходит из крпталла пссле одно- или многократного отражени от поверхности выпуклости или впадины , если не учитывать поглощени света в кристалле. При этом роль выпуклости или впадины сводитс к изменен ио направлени лучей света, падаюш.их на поверхности, их ограничивающие. Таким образом, наличие выпуклости или впадины приводит к повышению внешнего квантового выхода источшша света . Геометрические размеры выпуклости или впадины должны быть больше длины волны из-
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7301890101A SU414950A1 (ru) | 1973-03-16 | 1973-03-16 | Полупроводниковый источник света |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU7301890101A SU414950A1 (ru) | 1973-03-16 | 1973-03-16 | Полупроводниковый источник света |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU414950A1 true SU414950A1 (ru) | 1977-08-05 |
Family
ID=20544500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU7301890101A SU414950A1 (ru) | 1973-03-16 | 1973-03-16 | Полупроводниковый источник света |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU414950A1 (ru) |
-
1973
- 1973-03-16 SU SU7301890101A patent/SU414950A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4127425A (en) | Luminescent solar collector | |
| US4140544A (en) | Divergent luminescent collector for photovoltaic device | |
| IT1167617B (it) | Dispositivo fotovoltaico dotato di mezzi per dirigere la radiazione incidente, per una riflessione interna totale | |
| SU414950A1 (ru) | Полупроводниковый источник света | |
| JPS53112682A (en) | Photo thyristor | |
| JPS5610977A (en) | Manufacture of photoelectric converter | |
| GB1088703A (en) | Junction laser structure | |
| JPS5436193A (en) | Photo electric converter and its manufacture | |
| JPS54121664A (en) | Optical detecting device | |
| JPS51139787A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPS5648182A (en) | Photosensor | |
| JPS5257792A (en) | Photoelectric converting element | |
| JPS55123181A (en) | Lead frame for light emitting diode | |
| SU389579A1 (ru) | Фотоэлектрический преобразователь | |
| JPS52100982A (en) | Semiconductor device | |
| JPS63226971A (ja) | 光電素子 | |
| JPS5376692A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPS5269592A (en) | Semiconductor luminescent element | |
| JPS52124888A (en) | Production of solar battery | |
| JPS5317351A (en) | Optical filter | |
| JPS5540942A (en) | Range finder | |
| JPS5329090A (en) | Semiconductor photo coupler | |
| JPS5543887A (en) | Solar cell | |
| EVANS | Heat transparent high intensity high efficiency solar cell[Patent] | |
| JPS51144194A (en) | A semiconductor photo detector |