SU356873A1 - - Google Patents

Info

Publication number
SU356873A1
SU356873A1 SU1471292A SU1471292A SU356873A1 SU 356873 A1 SU356873 A1 SU 356873A1 SU 1471292 A SU1471292 A SU 1471292A SU 1471292 A SU1471292 A SU 1471292A SU 356873 A1 SU356873 A1 SU 356873A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
twinning
seed
crystals
melt
planes
Prior art date
Application number
SU1471292A
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Э. С. Фалькевич Л. Е. Березенко А. А. Веселкова Н. И. Блецкан
Ю. М. Шашков Б. А. Сахаров
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1471292A priority Critical patent/SU356873A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU356873A1 publication Critical patent/SU356873A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
SU1471292A 1970-08-17 1970-08-17 SU356873A1 (enExample)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1471292A SU356873A1 (enExample) 1970-08-17 1970-08-17

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1471292A SU356873A1 (enExample) 1970-08-17 1970-08-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU356873A1 true SU356873A1 (enExample) 1973-06-21

Family

ID=20456709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1471292A SU356873A1 (enExample) 1970-08-17 1970-08-17

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU356873A1 (enExample)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69509678D1 (de) Epitaktische züchtung von silizium carbidund so hergestellte silizium carbid-strukturen
GB1528897A (en) Method of purifying silicon
GB1464681A (en) Methods of crystal collection
GB1263401A (en) Double oriented single crystal castings
JPH0340987A (ja) 単結晶育成方法
GB1389856A (en) Crystallisation of fructose
BE789554A (fr) Systeme de regulation de la croissance d'un cristal par tirage a partird'une masse fondue, procede pour produire des cristaux au moyen de ce systeme de regulation et cristaux ainsi obtenus
MY133116A (en) Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions
KR920014956A (ko) 결정 성장방법 및 장치
USRE19698E (en) Method of producing crystals
SU331608A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов кремни ,ориентированных в направлении /111/
SU418211A1 (ru) Способ выращивания кристаллов кремния с двойниковыми границами по плоскостям {[11}
SU331607A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов кремни
SU571295A1 (ru) Способ получени мультикристаллов
US3116175A (en) Method for forming bicrystalline specimens
JPS5921594A (ja) ルツボ
US2766105A (en) Method of growing nepheline crystals
JP2959097B2 (ja) 単結晶の育成方法
US4049373A (en) Apparatus for producing compact polycrystalline InP and GaP ingots
JPS6360194A (ja) 単結晶の引上げ方法
TROPF Studies on vacancy behavior in metals(Interaction of supersaturated vacancies and vacancy clusters with dislocations in copper single crystals)[Ph. D. Thesis]
SU762256A1 (ru) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающее тигель с крышкой, установленный в ней формообразователь
JPH0224800B2 (enExample)
SU78449A1 (ru) Способ выращивани блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли
JPS5973492A (ja) 帯状シリコン結晶の製造装置