SU331607A1 - Способ выращивани монокристаллов кремни - Google Patents

Способ выращивани монокристаллов кремни

Info

Publication number
SU331607A1
SU331607A1 SU7001470767A SU1470767A SU331607A1 SU 331607 A1 SU331607 A1 SU 331607A1 SU 7001470767 A SU7001470767 A SU 7001470767A SU 1470767 A SU1470767 A SU 1470767A SU 331607 A1 SU331607 A1 SU 331607A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
growing method
silicon monocrystal
monocrystal growing
seed
melt
Prior art date
Application number
SU7001470767A
Other languages
English (en)
Inventor
Н.И. Блецкан
Э.С. Фалькевич
Л.Е. Березенко
А.А. Веселкова
Б.А. Сахаров
Ю.М. Шашков
Original Assignee
Bletskan N I
Falkevich E S
Berezenko L E
Veselkova A A
Sakharov B A
Shashkov Yu M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bletskan N I, Falkevich E S, Berezenko L E, Veselkova A A, Sakharov B A, Shashkov Yu M filed Critical Bletskan N I
Priority to SU7001470767A priority Critical patent/SU331607A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU331607A1 publication Critical patent/SU331607A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относитс  к металлург ,ии полупроводников.
Известен способ выращивани  монокристаллов кремни  из расплава на затравке, имеющей форму четырехгранной приз1«11, ориентированной в направлении юо.
Описываемый способ отличаетс  от известного тем, что используют затравку с боковыми гран ми, совпадающими с кристаллографическими плоскост ми 100.
Это дает возкюжность повысить выход монокристаллов в св зи с тем, что их рост происходит более устойчиво.
По описываемому способу монокристалла . выращивают на затравке квадратного сечени  площадью 3x3 мм, вырезанной из монокристаллических слитков , ориентированных в направлени х ml и юо . Выт гивание производ т обычным путем.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ выращивани  монокристаллов кремни  из расплава на затравке в виде четырехгранной призьш, ориентированной в направлении 100, о т личающийс  тем, что, с целью повышени  выхода монокристаллов , используют затравку, боковые грани которой совпадают с кристги лографическими плоскост ми{ЮО.Ji
SU7001470767A 1970-08-17 1970-08-17 Способ выращивани монокристаллов кремни SU331607A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001470767A SU331607A1 (ru) 1970-08-17 1970-08-17 Способ выращивани монокристаллов кремни

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU7001470767A SU331607A1 (ru) 1970-08-17 1970-08-17 Способ выращивани монокристаллов кремни

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU331607A1 true SU331607A1 (ru) 1978-10-15

Family

ID=20456643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU7001470767A SU331607A1 (ru) 1970-08-17 1970-08-17 Способ выращивани монокристаллов кремни

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU331607A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1213867A (en) Method of manufacturing silicon carbide single crystal filaments
DK285785D0 (da) Stabilt glucose-isomerase-koncentrat samt fremgangsmaade til fremstilling heraf
SU331607A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов кремни
GB1340671A (en) Process for epitaxially growing semiconductor crystals of predetermined conductivity type
KR950704806A (ko) 3C-탄화규소 성장용 기재(Substrates for the growth of 3C-silicon carbde)
GB1370292A (en) Method for growing crystals
GB1229508A (ru)
US3642443A (en) Group iii{14 v semiconductor twinned crystals and their preparation by solution growth
SU331608A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов кремни ,ориентированных в направлении /111/
SU78449A1 (ru) Способ выращивани блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли
KR920014956A (ko) 결정 성장방법 및 장치
BORSHCHEVSKII et al. Growing single crystals of CdSnAs sub 2(Single crystal growth of cadmium-tin arsenide by zone melting, discussing crack formation and scattering)
GB984890A (en) Improvements in or relating to position indicators
Bombieri et al. Crystal data for triclinic dicyclopentadienyl-lead
KHVOSTIKOVA et al. Dislocation structure of crystals with a diamond-type lattice grown along the/100/ axis/Dislokatsionnaia struktura kristallov s reshetkoi almaza, vyrashchennykh v napravlenii/100//(Dislocation structure of crystals with diamond type lattice analysis made possible by growing silicon monocrystals along growth axis)
SU496042A1 (ru) Способ получени кристаллов висмута и сплавов висмут-сурьма
SU571295A1 (ru) Способ получени мультикристаллов
BATES et al. Thick film silicon growth techniques(Thick film silicon ribbons produced by edge defined, film fed, crystal growth)[Quarterly Progress Report, 18 Feb.- 31 May 1972]
POSEN et al. A study of 10. 6 micron laser induced damage in alkali halide crystals
CA899761A (en) Method for extending the growth of vapor-liquid-solid grown crystals
JPS6034027Y2 (ja) シ−ドホルダ−
SU528837A1 (ru) Способ выращивани монокристаллов
GB1362985A (en) Single crystal
CA834694A (en) Method of growing rod-shaped dislocation-free monocrystals, particularly of silicon, by crucible-free floating zone melting
GB1087948A (en) Improvements relating to semiconductor crystals