SU356873A1

SU356873A1 -

Info

Publication number: SU356873A1
Application number: SU1471292A
Authority: SU
Inventors: Э. С. Фалькевич Л. Е. Березенко А. А. Веселкова Н. И. Блецкан; Ю. М. Шашков Б. А. Сахаров
Priority date: 1970-08-17
Filing date: 1970-08-17
Publication date: 1973-06-21

Description

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДВОЙНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯA METHOD FOR OBTAINING DOUBLE SILICON CRYSTALS

Изобретение относитс к металлургии нолупрОЕОДников .This invention relates to wire line metallurgy.

Известно, что при выращиванин монокристаллов кремни выт гиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 100, может происходить образование двойников, вл ющеес , как правило, следствием нарущени режима выращивани . Однако двойникование носит случайный характер.It is known that when growing silicon monocrystals by pulling out of melts on a seed, which has the shape of a four-sided prism and is oriented in the direction of 100, the formation of twins can occur, which is usually the result of a violation of the growth regime. However, twinning is random.

Предлагаемый способ отличаетс от известного тем, что с целью обеспечени одновременного двойниковани используют затравку, боковые грани которой вл ютс кристаллографическими плоскост ми {110}, что дает возможность получать четырехсекторные кристаллы .The proposed method differs from that in that, in order to ensure simultaneous twinning, a seed is used, the lateral faces of which are the {110} crystallographic planes, which makes it possible to obtain four-sector crystals.

По предлагаемому способу затравку сечением 3x3 мм, ориентированную в направлении 100 и ограненную плоскост ми {ПО}, привод т в контакт с расплавом, частично оплавл ют , а затем поднимают со скоростью более 5 до возникновени двойников.In the proposed method, a seed section of 3x3 mm, oriented in the direction 100 and faceted by the {SW} planes, is brought into contact with the melt, partially melted, and then lifted at a speed of more than 5 until the twins appear.

Дл упрощени процесса затравлени сначала выращивают монокристалл диаметром 1,5-2 Л1М, длиной 5-7 мм, который отрывают от расплава, а затем производ т новторное затравление на застывщую канлю расплава .To simplify the seeding process, first grow a single crystal with a diameter of 1.5-2 L1M, 5-7 mm long, which is detached from the melt, and then produce a repeated seeding on the solidified melt channel.

После осуществлени двойниковани процесс ведут обычным путем. Полученные кристаллы имеют четырехсекторное строение. Нанравление каждого сектора, полученного в результате двойниковани , 122. Плоскост ми срастани вл ютс плоскости {122}.After twinning, the process is conducted in the usual way. The crystals obtained have a four-sector structure. The nravnozhenie each sector, the resulting twinning, 122. The planes of accretion are the plane {122}.

Предмет изобретени Subject invention

Способ получени двойниковых кристаллов кремни выт гиванием из расплава на затравку в виде четырехгранной призмы, ориентированную в нанравлении 100, отличающийс тем, что, с целью обеспечени одновременногоThe method of producing silicon twin crystals by melting from a melt onto a seed in the form of a tetrahedral prism, oriented in direction 100, characterized in that, in order to ensure simultaneous

двойниковани по всем гран м октаэдра, нспользуют затравку, боковые грани которой вл ютс кристаллографическими плоскост ми {ПО}.twinning across all faces of the octahedron, a seed is used, the lateral faces of which are crystallographic planes.