SU356873A1 - - Google Patents
Info
- Publication number
- SU356873A1 SU356873A1 SU1471292A SU1471292A SU356873A1 SU 356873 A1 SU356873 A1 SU 356873A1 SU 1471292 A SU1471292 A SU 1471292A SU 1471292 A SU1471292 A SU 1471292A SU 356873 A1 SU356873 A1 SU 356873A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- twinning
- seed
- crystals
- melt
- planes
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Description
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДВОЙНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯA METHOD FOR OBTAINING DOUBLE SILICON CRYSTALS
Изобретение относитс к металлургии нолупрОЕОДников .This invention relates to wire line metallurgy.
Известно, что при выращиванин монокристаллов кремни выт гиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 100, может происходить образование двойников, вл ющеес , как правило, следствием нарущени режима выращивани . Однако двойникование носит случайный характер.It is known that when growing silicon monocrystals by pulling out of melts on a seed, which has the shape of a four-sided prism and is oriented in the direction of 100, the formation of twins can occur, which is usually the result of a violation of the growth regime. However, twinning is random.
Предлагаемый способ отличаетс от известного тем, что с целью обеспечени одновременного двойниковани используют затравку, боковые грани которой вл ютс кристаллографическими плоскост ми {110}, что дает возможность получать четырехсекторные кристаллы .The proposed method differs from that in that, in order to ensure simultaneous twinning, a seed is used, the lateral faces of which are the {110} crystallographic planes, which makes it possible to obtain four-sector crystals.
По предлагаемому способу затравку сечением 3x3 мм, ориентированную в направлении 100 и ограненную плоскост ми {ПО}, привод т в контакт с расплавом, частично оплавл ют , а затем поднимают со скоростью более 5 до возникновени двойников.In the proposed method, a seed section of 3x3 mm, oriented in the direction 100 and faceted by the {SW} planes, is brought into contact with the melt, partially melted, and then lifted at a speed of more than 5 until the twins appear.
Дл упрощени процесса затравлени сначала выращивают монокристалл диаметром 1,5-2 Л1М, длиной 5-7 мм, который отрывают от расплава, а затем производ т новторное затравление на застывщую канлю расплава .To simplify the seeding process, first grow a single crystal with a diameter of 1.5-2 L1M, 5-7 mm long, which is detached from the melt, and then produce a repeated seeding on the solidified melt channel.
После осуществлени двойниковани процесс ведут обычным путем. Полученные кристаллы имеют четырехсекторное строение. Нанравление каждого сектора, полученного в результате двойниковани , 122. Плоскост ми срастани вл ютс плоскости {122}.After twinning, the process is conducted in the usual way. The crystals obtained have a four-sector structure. The nravnozhenie each sector, the resulting twinning, 122. The planes of accretion are the plane {122}.
Предмет изобретени Subject invention
Способ получени двойниковых кристаллов кремни выт гиванием из расплава на затравку в виде четырехгранной призмы, ориентированную в нанравлении 100, отличающийс тем, что, с целью обеспечени одновременногоThe method of producing silicon twin crystals by melting from a melt onto a seed in the form of a tetrahedral prism, oriented in direction 100, characterized in that, in order to ensure simultaneous
двойниковани по всем гран м октаэдра, нспользуют затравку, боковые грани которой вл ютс кристаллографическими плоскост ми {ПО}.twinning across all faces of the octahedron, a seed is used, the lateral faces of which are crystallographic planes.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1471292A SU356873A1 (en) | 1970-08-17 | 1970-08-17 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1471292A SU356873A1 (en) | 1970-08-17 | 1970-08-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU356873A1 true SU356873A1 (en) | 1973-06-21 |
Family
ID=20456709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1471292A SU356873A1 (en) | 1970-08-17 | 1970-08-17 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU356873A1 (en) |
-
1970
- 1970-08-17 SU SU1471292A patent/SU356873A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900003322B1 (en) | Method for preparing diamond | |
DE69509678D1 (en) | EPITACTIC BREEDING OF SILICON CARBIDE AND SILICON CARBIDE STRUCTURES MADE THEREOF | |
GB1528897A (en) | Method of purifying silicon | |
SU356873A1 (en) | ||
JPH0340987A (en) | Growing method for single crystal | |
GB1389856A (en) | Crystallisation of fructose | |
MY133116A (en) | Process for preparing defect free silicon crystals which allows for variability in process conditions | |
KR920014956A (en) | Crystal Growth Method and Apparatus | |
USRE19698E (en) | Method of producing crystals | |
SU331608A1 (en) | Method of growing silicon monocrystals oriented in /111/ direction | |
US4865682A (en) | Growth method of an organic compound single crystal and a boat used therefor | |
SU418211A1 (en) | A METHOD FOR CREATING SILICON CRYSTALS WITH DOUBLE BORDERS ON PLANES {{11} | |
SU331607A1 (en) | Silicon monocrystal growing method | |
SU571295A1 (en) | Method of obtaining multicrystals | |
US3116175A (en) | Method for forming bicrystalline specimens | |
JPS5973492A (en) | Apparatus for preparation of silicon strip crystal | |
JP2959097B2 (en) | Single crystal growth method | |
JPS61111991A (en) | Production of single crystal of semiconductor of group iii-v compound | |
US4049373A (en) | Apparatus for producing compact polycrystalline InP and GaP ingots | |
JPS60200893A (en) | Crucible | |
JPH0224800B2 (en) | ||
JPS54109080A (en) | Crystal-growing method by limited-edge-crystal growing method | |
JPS5921594A (en) | Crucible | |
SU1473378A1 (en) | METHOD OF OBTAINING KALIUM PHOSPHATE - TITANILE MONOCRYSTALS | |
JPH052613Y2 (en) |