SU354618A1 - Растровая маска - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к электронной технике и может быть использовано при изготовлении толстопленочных микросхем, а также печатных плат.

Известна  растрова  маска, преимуш,ественно дл  нанесени  пасты при изготовлении толстопленочных микросхем, выполненна  на фольге, имеюш,ей с одной стороны растровые отверсти , а с другой - рисунок топологии , не позвол ет получить однородный по толщине слой пасты.

Дл  получени  однородного по толщине сло  пасты предлагаема  маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.

На фиг. 1 изображена предлагаема  растрова  маска, поперечный разрез; на фиг. 2 - фотошаблон линейчатого растра; на фиг. 3- фотошаблон точечного растра, причем точки расположены под узлами пересечений линейчатого растра через один узел; на фиг. 4 - фотошаблон заданного рисунка, совмещенного с точечным растром, растровые нити, опорные столбики и подрастровое пространство.

Растровую маску изготовл ют следующим образом.

Методом съемки и контактной печати изготовл ют фотошаблоны линейчатого и точечного растров в масштабе 1:1 на пленке.

стрированного рисунка в масштабе 1:1 на пленке (см. фиг. 4).

Фотошаблоны линейчатого растра и растрированного рисунка совмещают под микроскопом (точки должны лежать на перекресть х нитей) и склеивают.

Заготовку из беррилиевой бронзы покрывают с двух сторон фоторезистом, экспонируют каждую сторону через соответствующий

фотощаблон ультрафиолетовыми лучами, про вл ют соответствующим фоторезисту про вителем .и дуб т. Провод т химическое травление заготовки с двух сторон в растворе СгОз. Задубленна  пленка фоторезиста служит защитным слоем.

При необходимости получить более точные геометрические размеры контура рисунка защитным слоем при травлении служит 10-микромиллиметровый слой гальванически нанесенного никел  по подобной технологии. Вытравленную заготовку приклеивают клеем БФ-4 к базирующей рамке. Полученную маску устанавливают фольгой к подложке, на которую необходимо нанести рисунок той стороной , где вытравлен рисунок с опорными столбиками .

Наносимую ракелем пасту продавливают через растровые отверсти  на подложку. При этом опорные столбики ограничивают касание растровых нитей подложки, обеспечива  посто нную толщину продавливаемой пасты на

всей площади рисунка. Из-за малых геометрических размеров площади касани  (сечени ) опорных столбиков следы в пасте от них сливаютс  после отделени  маски.

Предмет изобретени 

Растрова  маска, преимущественно дл  нанесени  пасты при изготовлении толстопленочных микросхем, выполненна  на фольге, имеющей с одной стороны растровые отверсти , а с другой - рисунок топологии, отличающа с  тем, что, с целью получени  однородного по толщине сло  пасты, маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.