SU326641A1 - Ячейка памяти на моп-транзисторах - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к вычислительной технике.

Известны  чейки пам ти на МОП-транзисторах , содержащие запоминающие и нагрузочные транзисторы, между затвором и стоком каждого нагрузочного транзистора включен конденсатор.

Недостатками известной схемы  вл ютс  относительно больша  величина рассеиваемой мощности и большое врем  обращени  к  чейке.

Предлагаема   чейка пам ти отличаетс  тем, что в нее дополнительно введены транзисторы заииси, истоки которы.х подключены к стокам запоминающих транзисторов, стоки - к выходам «О «1  чейки, затворы - к шине записи, и вспомогательные информационные транзисторы, затворы которых нодсоединены к затворам информационных Tjjaiiзисторов , стоки - к стокам транзисторов заппси , а истоки - к общей точке схемы.

Это позвол ет увеличить быстродействие устройства и уменьшить иотребл емую мощность .

Схема предлагаемой  чейки показана на чертеже.

Гб, транзистооы записи Тч, Т& и конденсаторы Ci-CV

Ячейка пам ти работает в режимах хранени , записи и считывани .

Р еж и м хранени .

Транзисторы Г:-Гз закрыты, на вход Ф подаетс  периодически медленно измен ющеес  иапр жен.е. Предположим, что транзистор Гз закрыт, а транзистор Т:, открыт. В этом случае конденсатор Сз разр жгн, а конденсатор C.i зар жен. Когда транзистор Гз закрыт, конденсатор d медлепно разр жаетс  током обратно смещеп :ых р переходов, образованных нстсковыми област ми транзисторов Т. Т-; и стоковой областью транзистора TS, с подложкой .

Периодическое открывание транзистора 7i создает цепь иод ар да конденсатора Ci,, вход 01, конденсатор Ci транзистор Гь конденсатор С.; земл . Одновременно открываетс  транзистор TZ. Однако конденсатор Сз зар дитьс  не .может, так как он защунтирован открытым транзистором Ti.

Таким образом, периодическ медленно из .меп ющеес  напр жение на входе Ф, дает возможность поддерживать зар д конденсатора С4 па необходимом уровне, а так как отсутствует делитель сопротивлений, подключенный к источнику питани , то отсутствует св занное с ним рассе ние энергии.

Режим 3 а п и с и.

Во врем  записи импульсы напр жени  поступают на входы Ф, открываютс  транзисторы TI, TS. Предположим, что во врем  записи состо ние  чейки пам ти мен етс  на претиЕоположное . Тогда выход «1  чейки соедин етс  с землей, а на выход «О подаетс  папр жение Е. В этом случае конденсатор С/, разр жаетс  по цепи: конденсатор Ci,, открытый транзистор Гт, выход «1  чейки. Так как во врем  разр да конденсатора C.i закрываютс  транзисторы Ti и Тц, запоминающий конденсатор Сз зар жаетс  по цепи: выход «О, открытый транзистор TS, конденсатор Сз земл .

Так как в  чейке пам ти все транзисторы могут быть выполнены одинаковыми, т. е. минимальных размеров, то емкости запоминающих конденсаторов Сз и C в 6-8 раз меньще емкостей аналогичных конденсаторов в известной  чейке пам ти. Таким образом врем  записи в иредлагаемую  чейку пам ти существенно меньще, чем врем  записи в известную  чейку.

Режим считывани 

Считывание информации осуществл етс  с вспомогательных транзисторов Т- и TS, состо ние которых аналогичны состо ни м запоминающих транзисторов Тз и П. При считывании информации св зь выходов «О и «1  чейки с землей обеспечиваетс  вспомогательными информационными транзисторами Tj и 7е. и так как всегда один из них закрыт, а другой открыт, то ток протекает только по одной линии , в которой находитс  открытый транзистор .

Дифференциальный усилитель, подключенный к разр дным лини м, определ ет, по какой из них проходит ток, а следовательно, и состо ние выбранной  чейки пам ти.

П р е д :vi е т и з о б р е т е и ii  

Ячейка пам ти на МОП-транзисторах по авт. св. ЛЬ 277856, отличающа с  тем, что, с целью уменьщени  времени обращени , в нее дополнительно введены транзисторы записи, истоки которых подключены к стокам запоминающих транзисторов, стоки - к выходам «О и «1  чейки, затворы - к щине записи, и вспомогательные И1;формацнонные транзисторы , затворы которых подсоединены к затворам информационных транзисторов, стоки - к стокам транзисторов записи, а истоки - к общей точке схемы.