SU1720027A1 - Датчик СВЧ-мощности - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к технике СВЧ- измерений и может использоватьс  в измерител х малой мощности СВЧ. Цель изобретени  - повышение чувствительности и улучшение согласовани  с СВЧ-трак- том. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1 с двум  омическими контактами 2, 3; конструкци  выполнена планарно-коаксиальной с концентрически расположенными внутренними сферическими поверхност ми: центрального .контакта в виде шарового сло  с радиусом п, высотой hi и контакта в виде кольца с внутренней поверхностью в виде сферического по са с радиусом Г2 И ВЫСОТОЙ h2 тг ht, образующей контакт большей площади, при минимальном рассто нии между контактами Д г - Г2 - п, большем длины остывани  носител  зар да в полупроводниковом кристалле f. 2 ил.

Description

Фиг

Изобретение относитс  к измерительной технике СВЧ и может быть использовано в качестве датчика СВЧ мощности в измерител х малой мощности СВЧ,

Цель изобретени  - повышение чувствительности и улучшение согласовани  с СВЧ-трактом.

На фиг. 1 приведена конструкци  датчика СВЧ-мощности: на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.

Датчик СВЧ мощности состоит из полупроводникового кристалла 1 с двум  омическими контактами 2 и 3, центрального контакта в виде шарового сло  со сферической поверхностью радиусом п и высотой hi и второго контакта в виде-кольца со сферической внутренней поверхностью, радиуhi , образующего

Г2 СОМ Г2 И ВЫСОТОЙ П2 Г

контакт большей площади.

При помещении датчика в волновод- ный тракт СЙЧ-мощность концентрируетс  в основном между контактами 2,3 и носители зар да разогреваютс , причем разогрев носителей у сферической поверхности центрального контакта 2 существенно больше, чем у сферической поверхности контакта 3 большей площади, в то врем  как в остальном объеме полупроводникового кристалла 1 они остаютс  в тепловом равенстве с кристаллической решеткой. Возникающа  тер- моЭДС гор чих носителей зар да служит мерой СВЧ-мощности, поглощаемой датчиком .

Чувствительность увеличиваетс  при уменьшении высоты контакта hi и уменьше- ниирассто нил между контактами

п - п ( 1 . Первый фактор увеличива

0

5

0

5

0

5

сопротивление датчика, а второй уменьшает , поэтому желательно рассто ние хМежду контактами оставл ть минимальным, а снижение сопротивлени  компенсировать увеличением удельного сопротивлени , что также приведет к увеличению чувствительности .

Согласование удобно осуществл ть изменением высоты hi, так как при этом чувствительность измен етс  медленнее, чем при изменении п или рассто ни  п - п (измен етс  П/Г2).

Коаксиальна  конструкци  датчика хорошо согласуетс  с коаксиальными волно- водными трактами и элементами.

Claims (1)

1. Формула изобретени  

   Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двум  омическими контактами, один из которых имеет площадь поверхности большую , чем другой, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности и улучшени  согласовани  с СВЧ трактом, омический контакт меньшей площади вы-- полнен в виде шарового сло  радиусом п и высотой hi, а омический контакт большей площади - в виде кольца со сферической внутренней поверхностью, радиусом гг и

   Т2

   высотой hi , установленного

   концентрически с первым омическим контактом , при этом оба омических контакта размещены заподлицо в углублении, выполненном в полупроводниковом кристалле, а рассто ни  Д г между омическими контактами выбрано большим длины Ёостывани  носителей зар да в полупроводниковом кристалле.

   А -А

   г, Ъ гг