RU1800375C - Датчик СВЧ мощности - Google Patents

Abstract

Использование: в измерител х малой мощности СВЧ. Сущность изобретени : датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, омические контакты 2 и 3, один - в виде полоски, экспоненциально переход щей вдоль ее длины в шаровой слой радиусом п и высотой hi, а другой - в виде полусферического по са радиусом Г2 и Г2 высотой h2 hi - Така  конструкци  обеспечивает хорошее согласование при использовании в полосковой конструкции. 2 ил.

Description

Фиг. 2

Изобретение относитс  к измерительной техник еСВЧ и может быть использовано в качестве датчика СВЧ-мощности в измерител х малой мощности СВЧ полосковой конструкции .

Цель изобретени  - улучшение согласовани  с СВЧ-трактом при использовании в полосковых лини х передачи.

На фиг.1 и 2 изображен датчик СВЧ- мощности в двух проекци х.

Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двум  омическими контактами 2 и 3, контакт 2 выполнен в виде полоски экспоненциально переход щей вдоль ее длины в полуша- ровой слой радиусом п, а контакт 3 - в виде полукольцевого сло  радиусом Г2. Высоты hi и h2 контактов 2 и 3 выбраны из соотношений

П1 П2 Г2/М

При помещении датчика в волноводный тракт СВЧ мощность концентрируетс , в основном , между контактами датчика и /носител  зар да разогреваютс , причем разогрев носителей у сферической поверхности полушарового сло  контакта 2 существенно больше, чем у полусферической поверхности контакта большей площади 3, в то врем  как в остальном объеме полупроводникового кристалла 1 они остаютс  в тепловом равновесии с кристаллической решеткой . Возникающа  термо-ЭДС гор чих носителей зар да служит мерой СВЧ-мощности , поглощаемой датчиком.

0

5

0

5

0

5

Сопротивление датчика уменьшаетс  с уменьшением Д г Г2 - п и увеличиваетс  с уменьшением высоты шарового сло  контакта hi, что приводит к более широким возможност м согласовани  с СВЧ-трактом по сравнению с датчиком прототипом.

Чувствительность датчика увеличиваетс  с уменьшением рассто ни  между контактами () и уменьшением высоты шарового сло  полоски - контакта hi.

Рассто ние между контактами должно быть больше длины остывани  гор чих носителей зар да (длины нелокальности), т.е. Г2 - п I, I V - тэ , где V - теплова  скорость носителей зар да; тэ - врем  релаксации избыточной энергии носителей.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двум  омическими контактами, площадь поверхности одного из которых больше другого , при этом омические контакты размещены заподлицо в углублении, выполненном в полупроводниковом кристалле, а рассто ние между ними выбрано большим длины остывани  носителей зар да в полупроводнике , отличающийс  тем, что, с целью улучшени  согласовани  с СВЧ- трактом при использовании в полосковых лини х передачи, один из омических контактов выполнен в виде полоски, экспоненциально переход щей вдоль ее длины в полушаровой слой, а другой - в виде полусферического сло .