JPS63265125A - 非接触型半導体温度センサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光吸収による温度上昇でセンサ部の電気抵抗
が変化することを利用して被測温体の温度を非接触で検
知する熱効果型の温度センサに関し、特に、宙吊状態の
センサ部を有する非接触型半導体温度センサに関するも
のである。

［従来の技術］ 被測温体の温度を非接触で測定する非接触型温度センサ
は、被測温体自身の温度に対応して熱輻射される光（赤
外線）を受光し、その光吸収による温度変化を抵抗変化
に変換して測温するもので、一般的に熱効果型赤外線温
度センサ（ボロメータ）と呼ばれている。そのセンサ部
の感度は温度増分に対する抵抗増分の比で与えられるが
、従来一般に、その比が大なる物質として例えば、Ｆｅ
　、Ｃｏ　、Ｎｉ　　、Ｍｎなどの酸化物が用いられて
いる。

従来、この種の非接触型温度センサとしては、第７図（
Ａ）　　、　（Ｂ）に示すように、基板ｌと赤外線フィ
ルタ２ａを有する遮光キャップ２とからなる容器内にお
いて、基板ｌに植立したビンｌａ、Ｌｂ間に金属線３ａ
、３ｂを以って横架された長方形薄膜の測温用センサ体
３と、基板ｌに植立したピン１ｂ、ｌｃ間に金属線４ａ
、４ｂを以って横架された長方形薄膜の温度補償用セン
サ体４とからなり、センサ体３．４は共に前述したよう
な物質で立体形単体に構成され、ピンｌａ、　ｌｂ、　
ｌｃ間の空間において宙吊状態で配置されている。測温
用センサ体３は赤外線フィルタ２ａの真下に位置してお
り、フィルタ２ａを通過した入射赤外光線が直接測温用
センサ体３を照射することから、そのセンサ体３は被測
温体の温度変化に対応した抵抗値に変化する。温度補償
用センサ体４は測温用センサ体３の脇に位置し、被測温
体からの赤外線には晒されず、容器内の環境温度のみに
感応して抵抗変化する。したがって、測温用センサ体３
の温度補償用センサ体４に対する相対的な抵抗値変化に
よって、環境温度を基準とする被測温体の温度が測定さ
れることになる。

ところで、温度補償用センサ体４は容器外に配設しても
よいが、赤外線を受光しない状態での測温用センサ体３
自体の温度に近ければ近いほど温度補償作用（環境温度
の正確性）が増すため、温度補償用センサ体４は容器内
で赤外線に晒されない範囲の温度補償用センサ体４の近
接位置に配置されている。また、測温用センサ体３及び
温度補償用センサ体４を宙吊状態とする理由は、容器内
の気体を断熱材とし、固体同士の接触による熱伝導を極
力防止して、一旦捕捉した赤外線による輻射熱を散逸さ
せないためである。更に、測温用センサ体３及び温度補
償用センサ体４を同一の物質で同一形状に構成する理由
は、その温度−抵抗特性を極カ一致させ、測定精度を高
めるためである。

［解決すべき問題点］ しかしながら、上記従来の非接触型温度センサにあって
は、次の問題点がある。

■測温用センサ体３及び温度補償用センサ体４は夫々別
体の構成部品として製造されるため、物質が同一であっ
ても、製品に形状の寸法精度や内部組織の均一さなどの
バラツキが不可避的に発生しているため、温度−抵抗特
性は必ずしも同一ではないので、必然的に器械誤差が無
視できず、測定精度が悪い。

■非接触型温度センサの製造にあたり、測温用センサ体
３及び温度補償用センサ体４をロウ付けなどでピンＩａ
、　ｌｂ、　ｌｃ間に架設する配設接続作業を余儀無く
され、手間及び時間がかかり、製品コスト高である。

［発明の目的］ 本発明は、上記問題点を解決するものであり、その目的
は、測温用センサ体と温度補償用センサ体の温度−抵抗
特性が相等しく、これに伴なう器械誤差をほぼ完全に解
消でき、しかも製品コストを低廉なものとしうる非接触
型温度センサを提供することにある。

［問題点の解決手段］ 上記目的を達成するため、本発明に係る非接触型半導体
温度センサの構成は、次の■〜■構成要件を有するもの
である。

■半導体層上に形成された抵抗温度係数の大なる抵抗体
とこれを覆う光吸収率の大なる被覆膜とから構成された
測温用センサ部があること。

ここで「半導体」とは、例えば単結晶又は多結。

晶のシリコンを言う、「抵抗温度係数の大なる抵抗体Ｊ
には、例えばＡｕ拡散体などが含まれる。

「光吸収率の大なる被覆膜」には、例えばＡｕブラフク
、Ｐｔブラックなどの被覆膜が含まれる。

■該測温用センサ部に隣接する半導体層上において形成
された抵抗温度係数の大なる抵抗体とこれを覆う光吸収
率の小なる被覆膜とから構成された温度補償用センサ部
があること。

ここで「半導体」とは、例えば単結晶又は多結晶のシリ
コンを言う、「抵抗温度係数の大なる抵抗体」には、例
えばＡｕ拡散体などが含まれる。

また「光吸収率の小なる被覆膜」には、Ａｕ、Ｐｔなど
の被覆膜が含まれる。

■該測温用センサ部と該温度補償用センサ部とこれらを
囲む周辺半導体層との間に形成された非接触用間隙があ
ること。

ここで「半導体」とは、例えばシリコンを言う、前記測
温用センサ部及び前記温度補償用センサ部の各抵抗体の
厚さは、周辺半導体層のそれに比し薄い方が望ましい０
周辺半導体層の厚さは、母材である例えばシリコンウェ
ハ自体のそれに等しく、上記各抵抗体の厚さは例えばシ
リコンウェハ自体のそれ以下に設定される。

■該非接触用間隙に架設され該測温用センサ部及び該温
度補償用センサ部を該周辺半導体層に対して宙吊状態で
支持するメタルブリッジがあること。

ここで「メタルブリッジ」は、例えばＡｕ、Ｐｔなどを
以って構成される。また「メタルブリッジ」は、例えば
一対のブリッジ部を有するものが望ましい。

［作用］ かかる構成によれば、被測温体から輻射された赤外線が
非接触型半導体温度センサに照射すると、測温用センサ
部の被覆膜は赤外線をよく吸収透過することから、その
下層の抵抗温度係数の大なる抵抗体がこれを受光し、そ
の光吸収による温度変化によって抵抗値が変化すると共
に、半導体製造技術に作成された隣接する温度補償用セ
ンサ部に対しても被測温体からの赤外線が照射するが、
光吸収率の小なる被覆膜の遮光効果によりその下層の抵
抗体膜はこれに感応しないことから、この抵抗体は測温
用センサ部の近接周囲空間の環境温度のみに感応して抵
抗変化することになる。

宙吊状態の測温用センサ部の被覆膜及び温度補償用セン
サ部の被覆膜は半導体製造技術により作成されているこ
とから、両者の温度−抵抗特性はほぼ完全に等しく、器
械誤差の殆どない高精度測定が実現される。

［実施例］ 次に、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。

第１図は、本発明に係る非接触型半導体温度センサの一
実施例を示す拡大平面図である。

第２図は、第１図中ＩＩ　−ＩＩ線で切断した状態を示
す拡大切断図である。

第３図は、第１図中■−■線で切断した状態を示す拡大
切断図である。

実施例の非接触型半導体温度センサ１０は、シリコン基
板１１、測温用センサ部１２、温度補償用センサ部１３
、メタルブリッジ＋４．１５．１８及び非接触用間隙１
７から概略構成されている。

半導体としてのシリコン基板１１は、シリコンウェハを
区画細断してなる四角形状のチップで、測温用センサ部
１２及び温度補償用センサ部１３を中央に画成する非接
触用間隙１７を有する。測温用センサ部１２及び温度補
償用センサ部１３は、シリコン基板ｌｌ上に左右対称で
同一形状として形成されている。

測温用センサ部１２は、非接触用間隙１７で分割され、
四角形状の単結晶又は多結晶の薄層シリコン基板上にＡ
ｕ拡散によって形成された抵抗温度係数の極めて大なる
抵抗体１２ａと、これを被覆する絶縁膜１２ｂと、この
上に形成された光吸収率の犬なるＡｕブラック、Ｐｔブ
ラックなどの被覆膜１２Ｃと、これを被覆する保護膜１
２ｄと、から構成されている。このＡｕ拡散体の抵抗体
１２ａはＦｅ　　。

Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎなどの酸化物に比し非常に抵抗温度係
数が大きい。

また、温度補償用センサ部１３は、非接触用間隙１７で
分割され、四角形状の単結晶又は多結晶の薄層シリコン
基板上にＡｕ拡散によって形成された抵抗温度係数の極
めて大なる抵抗体１３ａと、これを被覆する絶縁膜１３
ｂと、この上に形成された光吸収率の小（反射率の大）
なるＡｕ、Ｐｔなどの被覆膜１２ｃと、これを被覆する
保護膜１３ｄと、から構成されている。

非接触用間隙１７は、隣接する測温用センサ部１２及び
温度補償用センサ部１３とこれらを囲む周辺シリコン層
１１ｃとを非接触で独立分離させており、測温用センサ
部１２及び温度補償用センサ部１３側（表面側）に形成
された断面７字状溝＋？ａとこれらの広さ範囲に亘すシ
リコン基板１１の裏面側に形成された断面台形状の凹所
１７ｂとの連通により形成されているΦ メタルブリッジ１４．１５．１８は測温用センサ部１２
及び温度補償用センサ部１３の一端側を宙吊状態で支持
し、電気伝導性のＡｕ、ＰＬなどで構成されている。メ
タルブリッジ１４．１８は、共に同一構造で、周辺シリ
コン層１１ｃ側に形成されたＡｕ線などのポンディング
が施されるポンディングパッド部＋４ａ　、　ｌｅａと
、非接触用間隙！？上に架設された一対のブリッジ部１
４ｂ　、　１６ｂと、薄層シリコン基板上に拡散形成さ
れた抵抗体１２ａ　、　１３ａに導通しするＡｕＡｓな
とのようなオーミック性物質のコンタクト部＋４ｃ　、
　ｌｅｅと、から構成されている。

またメタルブリッジ１５は、メタルブリッジ１４．１８
に対向して形成されており、測温用センサ部１２及び温
度補償用センサ部１３の他端側を宙吊状態で支持し、電
気伝導性のＡｕ、Ｐｔなどで構成されている。メタルブ
リッジ１５は、周辺シリコン層１１ｃ側に形成された連
結部１５ａと、非接触用間隙１７上に架設され測温用セ
ンサ部１２を支持する一対のブリッジ部＋５ｂ及び温度
補償用センサ部１３を支持する一対のブリッジ部１５ｃ
と、抵抗体１２ａ　　、　１３ａに導通するＡｕＡｓな
どのようなオーミック性物質のコンタクト部１５ｄ　、
　１５ｅと、から構成されている。

測温用センサ部１２及び温度補償用センサ部１３の構成
は、被覆膜１２ｃ　、被覆膜１３ｃの形成に用いられる
物質が異なるだけであり、他は同一構成とされている。

なお、１８ａ　、　＋８ｂ　、　１８ｃは５ｉ０２　、
５ｉｘＮ。

などの絶縁膜である。

かかる非接触型半導体温度センサ１０は一般的な半導体
製造プロセスにより製造される。

即ち、第４図に示すように、先ず、面方位（ｌ　　ＯＯ
）のシリコンウェハ１３に対してその上面側よりＡｕを
拡散させて抵抗温度係数の極めて大なる基板を形成する
。ここでＡｕはシリコンウェハ１９内へ容易に広く拡散
するので、シリコンウェハ１９はほぼ全体に亘って抵抗
温度係数の大なる基板となる０次に、Ａｕ拡散されたシ
リコンウェハ１９の両面にＳｉＯユ、ＳｌよＮ、などを
蒸着して絶縁膜を形成し、エツチングにより断面Ｖ字状
溝１７ａ及び凹所１７ｂを形成すべき開口部分２０ａ　
、　２０ｂのシリコンを露出させ、それ以外の絶縁膜＋
２ｂ　、　＋８ａ、１８ｃをシリコンウェハ１９のエツ
チングマスクとして残す。

次に、第５図に示すように、絶縁膜１２ｂの一部をエツ
チングしてその部分にＡｕＡｓなとのようなオーミック
性物質を蒸着し、しかる後熱処理によりコンタクト部１
４ｃ　、　１５ｄを作成する１次に、絶縁膜１２ｂ上に
Ａｕブラック、Ｐｔブラックなどを蒸着して光吸収率の
大なる被覆膜１２ｃを形成すると共に、絶縁１１１２Ｌ
３ｂ上にＡｕ、Ｐｔなどを蒸着して光吸収率の小なる被
覆＋１！１３Ｃを形成する。なお、縁膜膜１２ｂ　、　
１３ｂを形成する理由は、Ａｕブラック、Ｐｔブラック
、Ａｕ　、Ｐｔなどの被覆膜＋２ｃ　　、　１３ｃは電
気伝導性が良いので、被覆膜１２ｃ、１３ｃを介した短
絡を防止し抵抗体１２ａ　　、　＋３ａに対しすべて電
流を通すためである。

次に、第６図に示すように、被覆膜１２Ｃ１被覆膜＋３
ｃ上にＳｉＯユ、Ｓ馬などを蒸着してこれらを保護絶縁
する保護膜１２ｄ　、　１３ｄ及び絶縁膜！８ｂを形成
した後、エアブリッジ技術によりメタルブリッジ＋４．
１５．１８を形成する。しかる後、異方性エツチング液
を以ってエツチングを施すことにより、絶縁膜＋８ｂ　
、　１８ｃを対エツチングマスクとして異方性エツチン
グがシリコンウェハ１９ノ表裏両面の開口部分２０ａ　
、　２０ｂからその幅方向に比しより深さ方向に速く進
行し、第３図に示すように、表面側に幅寸法の小なる断
面７字状溝１７ａと裏面側に測温用センサ部１２及び温
度補償用センサ部１３の広さ範囲に亘り大きな断面台形
状の凹所１７ｂが形成され、やがてこれらが連通して非
接触用間隙１７が形成される。これにより、周辺シリコ
ン層１１Ｃに対して薄層シリコン基板としての抵抗体１
２ａ、＋３ａが孤立形成される。測温用センサ部１２及
び温度補償用センサ部１３は非接触用間隙１７をおいて
周辺シリコン層１１ｃと島状に分離独立し、単にメタル
ブリッジ１４，１５．ｌｆｔにより宙吊状態で支持され
ることになる。この後、各チップ毎に区画細断し、非接
触型半導体温度センサ１０が完成される。

ここで非接触用間隙１７の形成にあたり１表面側の絶縁
膜１８ａ　　、　！８ｂによる目抜き開口部分２０ａは
狭く、裏面側の絶縁１８ｃによる目抜き開口部分２０ｂ
は広くしであるため、非接触用間隙１７をより細くでき
るから、測温用センサ部１２及び温度補償用センサ部１
３の近設配置が実現でき、温度補償作用が高くなると共
に、両面エツチングの結果で作成される抵抗体１２ａ　
、　１３ｂの厚さは借手な値で、測温用センサ部１２及
び温度補償用センサ部１３の体積が極力低減されるので
、熱容量を小さくできることから、測定の応答性が向上
し、また軽量化によりメタルブリッジ１４，１５，１Ｂ
の支持安全率を高くすることに寄与する。更に、メタル
ブリッジ１４゜１５．１８のポンディングパッド部１４
ａ　、　１５ａ　　、　１ｆｔａの若床部位は、異方性
エツチングの採用によって、周辺シリコン層ｌｉｅの支
持強度の充分な厚さがなお確保された縁部にあることか
ら、ポンディング強度をもたせるために、ポンディング
パッド部１４ａ　、　１５ａ　　、　ｌｅａをあえて長
くとる必要なく、また非接触用間隙１７が狭いことから
、ブリッジ部１４ｂ　、　１５ｂ　、　１５ｃ　　、　
１８ｂも短くできるノテ、メタルブリッジ１４，１５．
１８は全体として短くでき、抵抗損失を軽減できる。更
に、各メタルブリッジ１４、１５．１８による支持は一
対のブリッジ部１４ｂ　。

１５ｂ　、　１５ｃ　、　１８ｂを介した２重支持構造
であるため、測温用センサ部！２及び温度補償用センサ
部１３のねじれ等を有効的に防止することができる。

上記実施例にあっては、非接触半導体温度センサｌＯの
面積は借手であるから、被測温体から輻射された赤外線
が共に測温用センサ部１２及び温度補償用センサ部１３
に照射するが、その照射赤外線は測温用センサ部１２の
被覆膜１２ｃによく吸収透過されことから、その下層の
抵抗温度係数の大なる抵抗体１２ａがこれを受光し、そ
の光吸収による温度変化によって抵抗値が変化する。半
導体製造技術に作成された隣接する温度補償用センサ部
１３に対しても被測温体からの赤外線が照射するが、光
吸収率の小なる被覆膜１３ｃの存在による遮光効果によ
り、その下層の抵抗体１３ａはこれに感応しないことか
ら、この抵抗体１３ａは測温用センサ部１２の近接周囲
空間の環境温度（即ち赤外線を受光しないとき測温用セ
ンサ部１２自身の温度）のみに感応して抵抗変化するこ
とになり、測温用センサ体１２の温度補償用センサ体１
３に対する相対的な抵抗値変化によって環境温度を基準
とする被測温体の温度が高精度に測定されることになる
。

抵抗体＋２ａ　、　＋３ａはＡｕ拡散により同一チップ
内に同時に形成されることから、膜厚、内部組織状態な
どが均一でほぼ完全に等しく、したがって２両者の温度
−抵抗特性は殆ど同一で、器械誤差は借手となり、高精
度測定が実現できる。また、半導体製造プロセスによっ
て温度補償用センサ部１３は測温用センサ部１２により
近設配置されていることから、温度補償用センサ部１３
は測温用センサ部１２自身の環境温度をより精度良く測
温できるので、環境温度を基準とした被測温体の輻射温
度の測定正確度が向上する。温度補償用センサ部１３が
測温用センサ部１２と共に薄層シリコン基板上に形成さ
れ、メタルブリッジ＋４．１５．１６によって宙吊状態
で支持されているから、作成されたチップ状の非接触覆
半導体温度センサ１０は適宜な外囲器などにじか付けす
ればよく、温度補償用センサ部１３が測温用センサ部１
２を金線などで宙吊状態にロウ付は作業が不要となる。

なお、ポンディングパッド部１４ａ　、　１５ａ　、　
１８ａと端子とは金線などで容易に接続することができ
る。測温用センサ部１２及び温度補償用センサ部１３は
凹所１７ｂの存在により薄い抵抗体１２ａ　、　１３ａ
上に形成されていることから、従来に比し熱容量を小さ
くできるので、応答特性が改善される。また、薄い抵抗
体１２ａ　、　１３ａの存在により、測温用センサ部１
２及び温度補償用センサ部！３の軽量化が一層図れるの
で、メタルブリッジ１４．１５．１８による宙吊支持に
耐久性が保証され、耐振性などの高いものとなる。更に
。

チップ状の非接触型半導体温度センサｌＯは従来に比し
小型軽量であることから、適材適所に組み込み易くなり
、設置場所の制限が緩和されて用途がより拡大する。更
に、従来の測温用センサ体及び温度補償用センサ体は単
体の立体形状であり、赤外線受光面積対構成物質容積の
比が非常に小さく、熱容量が不必要に大きかったが、上
記実施例における測温用センサ部１２及び温度補償用セ
ンサ部１３の抵抗体１２ａ　、　１３ａは薄膜で上記比
が極めて大きいので、かかる面からも応答特性がすこぶ
る改善される。

なお、実施例に係る非接触型半導体温度センサ１０には
、温度補償用センサ部１３が含まれるが、環境温度がさ
ほど変動しない場合又は無視できる場合における温度測
定にあっては、温度補償用センサ部１３を含まず、測温
用センサ部１２のみの非接触型半導体温度センサを構成
し、これを使用することができることは言う迄もない。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係る非接触半導体温度セ
ンサにあっては、測温用センサ部及びこれに隣接する温
度補償用センサ部が周辺半導体層に対して非接触用間隙
を以って夫々分離独立の半導体層上に形成され１両セン
サ部がその非接触用間隙を跨ぐメタルブリッジによって
周辺半導体層にて宙吊状態で支持されたものであること
から、次の効果を奏する。

■測温用センサ部及び温度補償用センサ部の抵抗温度係
数の大なる各抵抗体は、半導体製造プロセスにより同時
に形成することができることから、その温度−抵抗特性
の高精度の同一性が保証されるので、測温センサとして
の器械誤差が殆どなく、１Ｔ１１定の正確度がすこぶる
向上する。なお、測温用センサ部及び温度補償用センサ
部の各抵抗体をＡｕ拡散体とした場合には、従来に比し
極めて高感度のセンサを実現できる。

■半導体製造プロセスにおいて測温用センサ部及び温度
補償用センサ部の配置及びメタルブリッジの形成が実現
されることから、量産性に優れていることは勿論のこと
、金線などによる煩雑な宙吊作業が不要となり、製造コ
ストが低廉である。また外囲器などへのしか付けを行な
うことができ、また小型軽量であることから、センサの
組込場所の制限が緩和されるので、汎用性のある非接触
型温度センサとなる。

■温度補償用センサ体自体は半導体製造プロセスにより
従来に比し小面積で形成されると共に、その抵抗温度係
数の大なる抵抗体を覆う光吸収率の小なる被覆膜の存在
により、温度補償用センサ部は従来に比し測温用センサ
部に対して近設配置できることから、測温用センサ部の
環境温度を基準とした輻射温度の測定がより一層精度の
高いものとなる。

■測温用センサ部及び温度補償用センサ部の抵抗温度係
数の大なる各抵抗体は、輻射線受光面積対構成物質容積
の比が極めて大で、熱容量が小であるから、応答特性が
改善され、測定開始時の立上がりが速く、・被測温体自
身の温度変化の敏感な追従測定が可能である。なお、測
温用センサ部及び温度補償用センサ部の各基板となるべ
き半導体層の厚さを１周辺半導体層のそれに比し薄くし
た場合には、なお一層熱容量を小とできるので、更に応
答特性が改善されたセンサを実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る非接触半導体温度センサの一実
施例を示す拡大平面図である。 第２図は、第１図中ＩＩ　−ＩＩ線で切断した状態を示
す拡大切断図である。 第３図は、第１図中■−■線で切断した状態を示す拡大
切断図である。 第４図乃至第６図は、同実施例の製造プロセスにおける
各状態を示す拡大切断図である。 第７図（Ａ）は従来の非接触型温度センサの一例を示す
縦断面図で、第７図（Ｂ）はその平面図である。 ｌＯ・・・非接触型半導体温度センサ、１１・・・シリ
コン基板、　ｌｉｅ・ａｓ周辺シリコン層、１２・・・
測温用センサ部、　１３・・・温度補償用センサ部、１
２ａ　　、　＋３ａ　・・・抵抗係数の大なる抵抗体、
＋２ｂ　、　＋３ｂ・・・絶縁膜、１２ｃｍΦ・光吸収
率の大なる被覆膜、１３ｃ　・・・光吸収率の小なる被
覆膜、＋２ｄ　、　＋３ｄ　−−−保護膜、１４．１５
’、　１Ｂ−−−メタルブリッジ、１４ｂ　、　１５ｂ
　、　１５ｃ　　、　１８ｂ　・・・ブリッジ部、１７
・・・非接触用間隙、１７ａ・・・断面Ｖ字状溝、１７
ｂ　・・・断面台形状の凹所、１８ａ　、　１８ｂ　、
　１８ｃ　・・・絶縁膜、１８・・・シリコンウェハ。 出願人　　　　　新日本無線株式会社 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体層上に形成された抵抗温度係数の大なる抵
   抗体とこれを覆う光吸収率の大なる被覆膜とから構成さ
   れた測温用センサ部と、該測温用センサ部に隣接する半
   導体層上において形成された抵抗温度係数の大なる抵抗
   体とこれを覆う光吸収率の小なる被覆膜とから構成され
   た温度補償用センサ部と、該測温用センサ部と該温度補
   償用センサ部とこれらを囲む周辺半導体層との間に形成
   された非接触用間隙と、該非接触用間隙に架設され該測
   温用センサ部及び該温度補償用センサ部を該周辺半導体
   層に対して宙吊状態で支持するメタルブリッジと、を有
   することを特徴する非接触型半導体温度センサ。
2. （２）前記測温用センサ部及び前記温度補償用センサ部
   の各抵抗体はＡｕ拡散体であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の非接触型半導体温度センサ。
3. （３）前記測温用センサ部及び前記温度補償用センサ部
   の各抵抗体の厚さは、前記周辺半導体層のそれに比し薄
   いことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の非接
   触型半導体温度センサ。
4. （４）前記メタルブリッジは、一対のブリッジ部を有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の非接
   触型半導体温度センサ。