SU1665316A1 - Датчик СВЧ мощности - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к измерительной технике и может быть использовано дл  измерени  малой мощности. Цель изобретени  - увеличение чувствительности датчика, улучшение согласовани  с СВЧ-трактом и повышение надежности. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двум  омическими контактами 2, 3, один из которых имеет большую площадь, чем другой. Цель достигаетс  тем, что омический контакт 2 меньшей площади выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры, обращенна  к контакту большей площади, имеет полусферическую форму. 2 ил.

Description

О

о ел

OJ

в О

Фиг.1

Изобретение относитс  к измерительной технике и может использоватьс  дл  измерени  малой мощности,

Цель изобретени  - увеличение чувствительности датчика, улучшение согласова- ни  с СВЧ-трактом и повышение надежности,

На фиг.1 приведена конструкци  датчика СВЧ-мощности; на фиг.2 - конструкци  омического контакта.

Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двум  омическими контактами, один из которых - омический контакт 2 выполнен меньшей площади, чем омический контакт 3, датчик размещен на металлическом основании 4, причем омический контакт 2 выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник. Омический контакт 2 представл ет собой металлический электрод правильной формы , например, шестиугольника, диска, с поверхностью границы раздела металл-полупроводник в виде системы соприкасающихс  полусфер радиусом г«.

Датчик СВЧ-мощности работает следующим образом.

При помещении датчика СВЧ-мощности в волноводный тракт СВЧ-мощность концентрируетс  вблизи элемента матрич- ного контакта - омического контакта 2 и носители зар да у этих элементов разогреваютс , в то врем  как у второго контакта 3 они остаютс  в тепловом равновесии с кристаллической решеткой полупроводниковр- го кристалла 1. Возникающа  термо-ЭДС

гор чих носителей зар да служит мерой СВЧ-мощности, падающей на датчик.

Чувствительность датчика с матричным контактом отличаетс  в к3/п раз от известного датчика при одинаковых сопротивлени х и отличающихс  радиусах, где К -- ,

Гэф

Гэф-эффективный радиус, п - количество элементов в матрице. Сопротивление такого датчика зависит от п, гу, т.е., измен   п, легко получить необходимое сопротивление дл  согласовани  с СВЧ-трактом при оптимальном радиусе полусферического элемента дл  получени  максимальной чувствительности, что снимает ограничение на чувствительность датчика. Выход из стро  одного элемента почти не отражаетс  на его параметрах, следовательно, он надежнее .

Claims (1)

1. Формула изобретни  Датчик СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый кристалл, снабженный двум  омическими контактами, один из которых имеет большую площадь, чем другой, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  чувствительности датчика, улучшени  согласовани  с СВЧ-трактом и повышени  надежности, омический контакт меньшей площади выполнен с матричной структурой поверхности границы раздела металл-полупроводник, причем поверхность каждого элемента матричной структуры , обращенна  к контакту большей площади, имеет полусферическую форму.