KR960001746A - 가스센서 및 그의 가스 검지방법 - Google Patents

가스센서 및 그의 가스 검지방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가스센서 및 그의 가스 검지방법에 관한 종래 복합가스센서는 그 구조와 제조공정이 복잡하여 경제성이 떨어지며, 또한 감지막의 어느 하나가 퇴화(degradation)될 경우 전체 패턴이 달라지므로 신뢰성을 갖추기 어려울 뿐더러 하나의 소자위에 여러가지 감지막이 나열되기 때문에 소자의 소형화가 어렵고 여러 감지막을 동시에 가열해 주어야 하므로 히터의 소비전력이 높은 단점이 있다. 또한, 종래 어레이 가스센서는 개별 가스 각각에 대한 패턴을 인식함으로써 개별가스를 구별할 수 있으나 이러한 여러종류의 가스들이 혼재해 있을 경우 인식이 어려운 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 간단한 구조의 단일 가스센서를 제조하여 그 가스센서의 히터전압을 주기적으로 변환시키고, 그에 따라 감지되는 가스의 감도특성으로 여러가지 가스를 동시에 검지할 수 있도록 하는 가스센서 및 그의 가스검지방법을 제공하는 것이다.

Description

가스센서 및 그의 가스 검지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 어레이 복합가스센서의 구조도
제2도는 종래 가스센서의 NH3, H2S, C10H20O, C8H18에 대한 감도패턴도
제3도는 본 발명 가스센서의 단면 구조도
제4도는 본 발명에 있어 히터전압에 따른 센서의 표면온도 표시도
제5도는 본 발명 가스센서의 온도변화에 따른 (CH3)3N, CH3SH, C2H5OH가스의 감도특성도
제6도의 (가)는 본 발명에 있어 히터 전압 변화도 (나)는 (가)에 의한 감지부의 온도 변화도
제7도의 (가) 내지 (다)는 본 발명의 가스센서의 가스감지 패턴도.

Claims (5)

  1. 기판하부에 히터부, 상기 기판상부에 전극 및 감지부가 형성된 단일가스센서로 가스를 검지하는 방법에 있어서, 상기 히터부에 주기적으로 전압을 인가하여 상기 감지부의 온도를 주기적으로 제어하여 그 감지부의 저항변화패턴으로 특저가스를 검지하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 가스 검지방법.
  2. 제1항에 있어서, 감지부의 온도가 150˚C~500˚C로 주기적으로 변화되도록 히터부에 전압을 가하는 것을 특징으로 하는 가스센서의 가스 검지방법.
  3. 기판하부에 히터부, 상부에는 전극과 감지부를 구비한 가스센서부와, 상기 가스센서부의 히터부에 주기적인 전압을 인가하는 전압 인가부와, 상기 감지부의 저항변화패턴을 감지하여 특정가스를 검지해내는 검지부로 구성되는 것을 특징으로 하는 가스센서.
  4. 제3항에 있어서, 감지부는 SnO2, ZnO, WO2, Fe2O2중 하나에 축매를 0.1~2wt% 첨가한 것을 특징으로 하는 가스센서.
  5. 제4항에 있어서, 촉매는 Pd, Pt중 하나가 사용되는 것을 특징으로 하는 가스센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100696980B1 (ko) * 2004-10-26 2007-03-20 경북대학교 산학협력단 반도체식 후막 가스 센서 소자, 및 가스 센서 소자의 성능측정 장치
KR100994779B1 (ko) * 2008-04-22 2010-11-17 한국이엔에쓰 주식회사 휘발성 유기화합물 가스 감지용 ｗｏ₃계 가스 센서 및 그제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100809421B1 (ko) * 2006-09-29 2008-03-05 한국전자통신연구원 나노 크기의 감지물질을 갖는 다중가스 감지센서 및 이를이용한 감지방법

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