SU1668107A1 - Способ изготовлени оптических деталей - Google Patents
Способ изготовлени оптических деталей Download PDFInfo
- Publication number
- SU1668107A1 SU1668107A1 SU884615920A SU4615920A SU1668107A1 SU 1668107 A1 SU1668107 A1 SU 1668107A1 SU 884615920 A SU884615920 A SU 884615920A SU 4615920 A SU4615920 A SU 4615920A SU 1668107 A1 SU1668107 A1 SU 1668107A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- tool
- grinding
- coolant
- processing
- roughness
- Prior art date
Links
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к абразивной обработке стекла и может быть, в частности, использовано при шлифовании оптических поверхностей. Цель изобретени - повышение качества и производительности обработки за счет обеспечени возможности регулировани зернистости инструмента. Дл обработки используют инструмент на эпоксидной св зке, причем на стадии грубого шлифовани в зону обработки подают СОЖ с температурой 15 - 30°С, а при чистовом шлифовании СОЖ подают нагретую до температуры 45 - 110°С. Инструмент разогреваетс , абразивные зерна вдавливаютс в св зку и продолжаетс процесс шлифовани с меньшим врезанием абразивных зерен в обрабатываемый материал, что определ ет величину шероховатости обрабатываемой поверхности. 2 табл.
Description
Изобретение относитс к абразивной обработке стекла и может быть, в частности, использовано при шлифовании поверхностей оптических деталей.
Цель изобретени - повышение качества и производительности обработки за счет обеспечени возможности регулировани зернистости инструмента.
Дл реализации способа используют инструмент на эпоксидной св зке, причем шлифование на начальной стадии осуществл ют инструментом с температурой рабочей поверхности 15-30°С, а на завершающей стадии шлифовани рабочую поверхность инструмента нагревают до температуры, в пределах 45 1 10°С, определ емой выражением
р
.-- +20°С,
Да
где Ra20° - шероховатость обработанной по верхности, обеспечиваема инструментом с температурой рабочей поверхности 15-30°С, мкм;
Ra - требуема шероховатость обрабатываемой поверхности после обработки, мкм.
Врем шлифовани материала на завершающей стадии определ етс выражением
Н
„ Т ° (ЙЛРТаТ-ЙТ+О где п - заданна величина съема на
завершающей стадии шлифовани , мкм;
и о°
(-) -скорость съема абразивным инструментом при 15-30°С, мкм/с;
коэффициенты регрес- сии, завис щие от индивидуальных особенностей инструмента
а+П ..3)
6+(5...30)X10-3fС+ (0,5...1)
При разогревании св зки происходит вдавливание абразивных зерен в нее и выравнивание их по высоте, что определ ет шероховатость обрабатываемой поверхности стекла при использовании сравнительно крупных зерен, а при охлаждении CBHIKH до 15-30°С происходит восстановление аб (Л
о оэ оо
j
разивных зерен на прежнем уровне. Это объ сн етс теплофизическими свойствами эпоксидной смолы. От степени разогрева св зки на завершающей стадии шлифовани зависит величина шероховатости обрабатываемой детали и врем шлифова-ни .
Использование в способе инструмента на эпоксидной св зке с его разогревом на завершающей стадии позвол ет сделать инструмент сплошным, позвол ющим снизить шероховатость обрабатываемой поверхности, а прилагаемое давление в процессе обработки не измен ть, что повышает эксплуатационные свойства инструмента и качество обработки.
Способ шлифовани осуществл етс следующим образом.
На станок устанавливают обрабатываемую деталь, сверху накладывают обрабатывающий инструмент на эпоксидной св зке. В зону обработки подают смазочно-охлаж- дающую жидкость (СОЖ) при 15-30°С, прилагают давление, привод т в действие кинематическую часть станка и осуществл ют процесс шлифовани . После сн ти основной части припуска детали, не останавлива станка, вместо СОЖ при 15-30°С подают СОЖ, нагретую до 45-1 10°С. Инструмент разогреваетс , абразивные зерна вдавливаютс в св зку и продолжаетс процесс шлифовани с меньшим врезанием абразивных зерен в обрабатываемое стекло , что в конечном итоге определ ет величину шероховатости обработанной поверхности . После остановки кинематической части станка инструмент остывает, абразивные зерна восстанавливаютс на прежнем уровне.
Способ испытывали в лабораторных услови х на испытательной установке при обработке стекла марки К8 с шероховатостью поверхности 1,25 мкм алмазным инструментом на эпоксидной св зке с зернистостью АСМ 60/40 1%-ной концентрации. Окружна скорость вращени инструмента при этом выбиралась равной 15 м/с, давление 5ХЮ4 Па. В качестве СОЖ использовали 30%-ный водный раствор глицерина. Подача СОЖ осуществл лась двум помпами с разных резервуаров (в одном СОЖ холодна при 15-30°С, в другом - нагреваема ). Врем шлифовани в процессе испытани поддерживалось посто нным и выбиралось таким, чтобы на 1 переходе обеспечивалс съем стекла, равный 80- 100 мкм. Съем 1 перехода контролировалс прибором активного контрол БВ 4111,
° после чего происходило переключение СОЖ. Сравнительные данные испытани предложенного способа с различной исходной зернистостью инструмента и известного способа представлены в табл. 1 и 2.
5Из приведенных данных видно, что шероховатость обработанной поверхности по предложенному способу улучшаетс в 1,1 - 2,5 раза по сравнению со шлифованием по известному способу.
Врем шлифовани по предложенному
0 способу уменьшаетс в 1,7 раза по сравнению со шлифованием по известному способу
Кроме того, при шлифовании по предложенному способу не требовалось измен ть приложенное давление. По сравнению с известным способом конструкци инструмента была сплошной, не требующей подналадки в процессе обработки и состо ла из одной фракции алмаза, что характеризует высокие эксплуатационные свойства инструмено та, используемого при шлифовании
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ изготовлени оптических деталей, при котором с одной установки детали по5 следовательно осуществл ют операции грубого и тонкого шлифовани абразивным инструментом , отличающийс тем, что, с целью повышени качества и производительности обработки, берут инструмент на эпоксидной св зке, причем на операции грубого шлифо0 вани рабочую поверхность инструмента нагревают до 15-30°С, а на операции чистового шлифовани - до 45-110°С.51668107Таблица 1Предложенный способкци аза АСВ 50, зка Ml, -на центи20 20 20 20 20 20 20 20 202035455570809010011012020 20 20 20 20 20 20 20 20Известный способФракци 50 алмаза АСН 20/14, св зка М-015, 10%-на концентрацитость исходной поверхности , котора соответствовала R 2,5Таблица20,25 0,19 О, 12 0,11 О, 10 0,09 0,08 0,08 0,280,20
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884615920A SU1668107A1 (ru) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Способ изготовлени оптических деталей |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884615920A SU1668107A1 (ru) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Способ изготовлени оптических деталей |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1668107A1 true SU1668107A1 (ru) | 1991-08-07 |
Family
ID=21413254
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884615920A SU1668107A1 (ru) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | Способ изготовлени оптических деталей |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1668107A1 (ru) |
-
1988
- 1988-12-05 SU SU884615920A patent/SU1668107A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 946888, кл. В 24 В 13/00, 1981. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100365774C (zh) | 半导体晶片的制造方法及晶片 | |
US5036630A (en) | Radial uniformity control of semiconductor wafer polishing | |
US6325709B1 (en) | Rounded surface for the pad conditioner using high temperature brazing | |
DE69723338T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben | |
JP3925580B2 (ja) | ウェーハ加工装置および加工方法 | |
EP1118429B1 (en) | Method and device for simultaneously grinding double surfaces, and method and device for simultaneously lapping double surfaces | |
CN101337336B (zh) | 研磨半导体晶片的方法 | |
CN112908834B (zh) | 一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法 | |
KR20010092732A (ko) | 배면 손상을 형성하는 반도체 웨이퍼 처리방법 | |
EP2128896B1 (en) | Method of polishing a silicon wafer | |
KR100467872B1 (ko) | 폴리싱 슬러리 | |
CN106736875A (zh) | 一种蓝宝石整流罩的加工方法 | |
SU1668107A1 (ru) | Способ изготовлени оптических деталей | |
EP3093105A1 (en) | Method for producing substrates | |
US7367865B2 (en) | Methods for making wafers with low-defect surfaces, wafers obtained thereby and electronic components made from the wafers | |
CN102019574B (zh) | 超薄区熔硅抛光片的无蜡抛光工艺 | |
JPH07100737A (ja) | 半導体ウエーハの研磨方法 | |
US6217417B1 (en) | Method for polishing thin plate and plate for holding thin plate | |
JPH10328986A (ja) | ディスク基板中間体とその製造方法及び研削加工装置 | |
CN118165701B (zh) | 一种金刚石用研磨液及金刚石衬底的研磨方法 | |
CN111646479B (zh) | 一种制备大粒径硅溶胶的方法 | |
JPH11138422A (ja) | 半導体基板の加工方法 | |
SU1764958A1 (ru) | Способ абразивно-жидкостной обработки | |
SU1348145A1 (ru) | Способ абразивной обработки исландского шпата | |
JPS5927316B2 (ja) | 結晶の無じよう乱鏡面研摩方法 |