SU1618211A1 - Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Info

Publication number
SU1618211A1
SU1618211A1 SU4061700/25A SU4061700A SU1618211A1 SU 1618211 A1 SU1618211 A1 SU 1618211A1 SU 4061700/25 A SU4061700/25 A SU 4061700/25A SU 4061700 A SU4061700 A SU 4061700A SU 1618211 A1 SU1618211 A1 SU 1618211A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
power semiconductor
semiconductor devices
manufacturing power
irradiation
devices
Prior art date
Application number
SU4061700/25A
Other languages
English (en)
Inventor
С.С. Асина
А.М. Сурма
Б.В. Бромберг
В.В. Шмелев
В.В. Зумберов
М.Т. Ныгес
В.Н. Дороднев
В.Л. Кузьмин
Original Assignee
Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина filed Critical Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина
Priority to SU4061700/25A priority Critical patent/SU1618211A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1618211A1 publication Critical patent/SU1618211A1/ru

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов, включающий облучение полупроводниковых структур через защитные маски дефектообразующим излучением до максимальной концентрации дефектов в базовой области 10-10см, отличающийся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик приборов, облучение проводят электронами β-распада от изотопного источника Sr.
SU4061700/25A 1986-04-28 1986-04-28 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов SU1618211A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4061700/25A SU1618211A1 (ru) 1986-04-28 1986-04-28 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4061700/25A SU1618211A1 (ru) 1986-04-28 1986-04-28 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1618211A1 true SU1618211A1 (ru) 2000-06-10

Family

ID=60521503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4061700/25A SU1618211A1 (ru) 1986-04-28 1986-04-28 Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1618211A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE7702883L (sv) Minskning av omkopplingstiden hos halvledaranordningar medelst nukleer bestralning
JPS5618421A (en) Method of manufacturing semiconductor device using electron beam
KR890004466B1 (en) Semiconductor device
FR2445021A1 (fr) Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs reduisant leur temps de commutation par une irradiation par neutrons
NL7604553A (nl) Met corpusculaire stralen werkende doorstraal- rastermicroscoop met energie-analysator.
JPS5227355A (en) Diffusion layer formation method
SU1618211A1 (ru) Способ изготовления силовых полупроводниковых приборов
DE3752031D1 (de) Schattenmaske und deren Herstellungsverfahren
JPS51115342A (en) Solar collector pipe
JPS5327264A (en) Method of treating water
CA944870A (en) Semiconductor device fabrication using combination of energy beams for masking and impurity doping
GB1093822A (en) Improvements in or relating to the manufacture of semiconductor devices
JPS5227354A (en) Impurity diffusion method for iii-v group compound semiconductor region
SU1473611A1 (ru) Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах
JPS5511331A (en) Method of manufacturing semiconductor integrated circuit
JPS6448465A (en) Semiconductor device
JPS5788767A (en) Semiconductor device and manufacture thereof
JPS57198624A (en) Annealing method of semiconductor material
JPS53144685A (en) Production of semiconductor device
JPS5650583A (en) Semiconductor high frequency oscillator
JPS54118785A (en) Semiconductor device
RU97119811A (ru) Способ изготовления тиристора размыкания с запорным слоем со стороны анода и прозрачным анодным эмиттером
SU1031367A1 (ru) Способ обработки структур кремний-двуокись кремния
JPS5224475A (en) Planar thyristor process
JPS54114177A (en) Manufacture of semiconductor device