SU1602254A1 - Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари - Google Patents

Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари Download PDF

Info

Publication number
SU1602254A1
SU1602254A1 SU884491425A SU4491425A SU1602254A1 SU 1602254 A1 SU1602254 A1 SU 1602254A1 SU 884491425 A SU884491425 A SU 884491425A SU 4491425 A SU4491425 A SU 4491425A SU 1602254 A1 SU1602254 A1 SU 1602254A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
posistor
value
components
increase
ratio
Prior art date
Application number
SU884491425A
Other languages
English (en)
Inventor
Ю.В. Андреев
И.В. Маркевич
Е.Н. Соловьева
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4816
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4816 filed Critical Предприятие П/Я Г-4816
Priority to SU884491425A priority Critical patent/SU1602254A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1602254A1 publication Critical patent/SU1602254A1/ru

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

(46) 30.06.92.Бкт. № 24
(21)4491425/21 :
(22).88
(72) Ю.В.Андреев, ИоВ„Маркевич и EiН.Соловьева
(53)621.316о8(088„8):
(56)Патент США № 3975307, клс Н 01 В 1/08, 1976,
Патент США № 3997479, кл. Н 01 Б 1/08, ,1976
(54)СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗЙСТОРОВ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ
(57)Изобретение относитс  к радиоэлектронике и может быть использовано при разработке и пpo e шшeннoм вй- пуске терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивлени  - позисторово Цель изобретени  - повьппение величины положительного температурного коэффициента сопротивлени  без увеличени  значений удельного сопротивлени  и усложнени  состава материала Способ изготовлени  позисторов включает приготовление шихты, введение легируют щей добавки в виде сплава оксидов ниоби  и иттри  при следующем соотношении компонентов - 1:8 - 6:1 о Использование предлагаемого способа позвол ет повысить выход годных 1 табЛс
Изобретение относитс  к радиоэлектронике и. может быть использовано при разработке и промьшмгеином выпуске терморезисторов с положительным температурным кoэффш иeнтoм сопротивлени  (ПТКС)-. позисторово
Целью изобретени   вл етс  повышение величины положительного температурного коэффициеита сопротивле- йи  без увеличени  значе шй удельного сопротивлени  и усложнени  состава материала керамикие
Физико-химические предпосылки предлагаемого способа заключаютс  в возможности образовани  промежутбч- 1ШХ продуктов взаимодействи  легиру- lanHx примесей; ,, YNbO, ,g04) и их. смеси. Образование промежуточных соединений способствует повьшению скорости диффузии примесей в BaTiO (нидкие значени  -24-9-5
при некотором снижении температуры обжига) и формированию окисных фаз на границе кристаллитов (повышение ПТКС). В данном случае и Y % и Nb выполн ют функцию доноров, 3 анима  узлы атомов соответственно в подре- шетках Ва и Ti
Существенным  вл етс  также тот фахст, что использование этого принципа направлено на упрощение (отсутствие комплекса специальных до6,а- вок), а не на усложнение состава материала с.
Технологи  изготовлени  позисторов по предлагаемому способу имеет следующую последовательность:
Компоненты дл  синтеза керамики ВаТхОз или твердых растворов типа Ва ЗГдТЮз и X ТЮз расчетного состава берут в виде промышлен (Л
С
но пыпускаеммх ВаСО,, TiOg, SrCO,, PbTiOj марки х.ч...
Сплавы типа NbjOg - приготавливаютс  предварительно путем обжига смеси окислов при в тече1ше 2.Чс , -
Смешивание компонентов IUHXTW производ т мокрым.способом в воде в шаровой мельнице с последующей суш- ю кой порошка при
Синтез материала провод т на воздухе при 1150 - 1200 с, в течение 2 Чс - ., .
Обжиг прессованных образцов задан- 15 ной конфигурации выполн ют при 1260 - 1380°С в течение I Чо Скорость охлаждени  образцов от температуры обжига составл ет 100 - 150 градо/Чо
Электроды дл  измерени  электри- 20 ческих параметров нанос т в виде эвтектики In-Gao
В конкретных примерах реализации предлагаемого способа приведены составы материалов позисторной керами- 25 кк с различным чолышм соотношением легирующих добавок при их суммарной концентрации, равной О, ,масо% (сМо таблицу)о В описании же приведет: данные в соответствии с описанием 30 аналогов и двух вариантов прототипа (с Та или Nb), а также совокупность значений ПТКС-позисторов из BaTiO и его твердых растворов со свинцом и стронцием при различном, г соотношении №2.05- и в сплаве
Основные выводы.по полученным результатам можно изложить следуннцим. образом ПоПо 1 и 2 таблицы соответственно характеризуют свойства по- зисторов из ,gPbo5 TiO,, легированного 0,1 молЛ с добавками Та или Nb (прототип) и позисторов из BaTiOg, легированного Nb205- или Y-jOj с комплексом добавок (аналог)о Необходимо при этом еще раз подчерк- Hj Tb, что в прототипе рассматриваютс  позисторы только из свинецсодер- жащей керамики, в которую ввод тс  Nb или Та fifin уменьшени  потерь евин- ца при обжиге керамикио Лучшие результаты по аналогу и прототипу J р - 12 Ом-смс, ПТКС 15% /С.
П,По 3-5 таблицы характеризуют услови  обжига и параметры позийторов 55 и  керамик состава BaTiOj, Ва. SryTiG| Ва,,,у PbijTiO, изготовленных по пред- лaгaeмo ly способу при соотношении
40
45
5
0
5 0 г
0
5
,, в сплаве, равном В: Видно , что при значени х удельного сопротивлени  одного пор дка с прототипом и аналогом дл  основного материала BaTiOj достигнуто значение ПТКС 55%/°С о Дл  твердых растворов со стронцием и свинцом эта величина, как и должно быть, несколько ниже, однако существенно превьиаает значени ., приведенные в описании прототипа и аналогов
Далее (псПс. 6-11) в таблице приведены аналогичные данные дл  пози- сторов, легированных сплавами - при соотношении компонентов,равном hi и l:8j а также результаты измерений их параметров при запредельных (поПо Ц 17) значени х соотношени  Nb и Y в сплавахо
Общий вывод по таблице, важный при использовании материала дл  конкретных целей, заключаетс  в следу1сщемс,
При соотношении Nb205-/Y2 03 « I в большей степени снижаетс  р., в меньшей степени повьш1аетс  11ТКС„
При соотношении Nb 05-/Y203 l в большей степени повьш1аетс  ПТКС, величина 2 снижаетс  незначительно или остаетс  неизменнойо / При соотношении Nb Oj/Yj O I по- зисторы обладают оптимальным сочетанием параметров ИТКС
При запредельном соотношении происходит повьшгение , оБжига материала до 1350-1420 0 и снижение величины ПТКС до 12-20%/°С„
При- использовании предлагаемого способа максимальна  температура обжига образцов из BaTiOj и Ва. не превьш1ает 1280-1300 С, Способ применим к стронцийсодержащим материалам , дл  которых характерны самые высокие темгтратуры обжига (1380 - 1400 С), При использовании предлагаемого способа температура обжига керамики состава o,z 3 превьш1ает 1350-1380°С
Технический эффект от предлагаемого способа за1шючаетс  в том, что уве- ПТКС до повьшает тактико-технические параметры .систем, использующих позисторы дл  контрол  и стабилиза1щи температуры Экономический эффект может быть peajm30BaH за счет увеличени  технологического запаса по величине ПТКС, а значит за счет повьш1ени  выхода годных.

Claims (1)

  1. Формула изобретени 
    Способ изготовлени  позисторов на основе титамата бари , включающий приготовление шихты,введение легирующей добавки, содержащей оксиды нио би  и иттри , смешивание компонентов , обжиг, прессование и нанесение
    электродов, отличающийс  тем, что, с целью повьйпени  величины положительного температурного ко- ,эффициента сопротивлени , введение оксидов ниоби  и иттри  осуществл ют в вида сплава при следующем соотношении компонентов - Ij8 - 8tl,
SU884491425A 1988-10-10 1988-10-10 Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари SU1602254A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884491425A SU1602254A1 (ru) 1988-10-10 1988-10-10 Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU884491425A SU1602254A1 (ru) 1988-10-10 1988-10-10 Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1602254A1 true SU1602254A1 (ru) 1992-06-30

Family

ID=21403043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU884491425A SU1602254A1 (ru) 1988-10-10 1988-10-10 Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1602254A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2451539C2 (ru) * 2006-10-02 2012-05-27 Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх Устройство и способ испарения реагента
RU2552456C2 (ru) * 2013-09-23 2015-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" СПОСОБ СИНТЕЗА ПОРОШКОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ BaSrTiO3

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2451539C2 (ru) * 2006-10-02 2012-05-27 Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх Устройство и способ испарения реагента
RU2552456C2 (ru) * 2013-09-23 2015-06-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" СПОСОБ СИНТЕЗА ПОРОШКОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ BaSrTiO3

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR910009895B1 (ko) 환원 재산화형 반도체 콘덴서용 세라믹 조성물
JPS62869B2 (ru)
SU1602254A1 (ru) Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари
US4789653A (en) Method for production of ceramic composition
JPH068210B2 (ja) バリスタ材料及びその製法
EP0221696A2 (en) Dielectric compositions
JPH075363B2 (ja) Ptc磁器組成物及びその製造方法
SU1730080A1 (ru) Полупроводниковый керамический материал
JP3595090B2 (ja) 誘電体磁器組成物
JP2848712B2 (ja) 誘電体磁器組成物
SU1600560A1 (ru) Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари
RU2023706C1 (ru) Керамический материал преимущественно для низкочастотных конденсаторов и способ его получения
JPH07297009A (ja) 正特性サーミスタ及びその製造方法
JPS6143841B2 (ru)
KR100254798B1 (ko) 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물
SU1138395A1 (ru) Керамический материал
KR100474249B1 (ko) 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법
JP3699195B2 (ja) 正特性半導体磁器およびその製造方法
JPS6111404B2 (ru)
JPH03112858A (ja) 誘電体磁器組成物
SU1106806A1 (ru) Шихта дл изготовлени керамического диэлектрического материала
SU801117A1 (ru) Резистивный материал
JPS63225403A (ja) 誘電体磁器の製造方法
JPH11224803A (ja) 高キュリー点ptcサーミスタ組成物及びその製造方法
JPS6050004B2 (ja) 高誘電率磁器組成物