SU1602254A1 - Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари - Google Patents
Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари Download PDFInfo
- Publication number
- SU1602254A1 SU1602254A1 SU884491425A SU4491425A SU1602254A1 SU 1602254 A1 SU1602254 A1 SU 1602254A1 SU 884491425 A SU884491425 A SU 884491425A SU 4491425 A SU4491425 A SU 4491425A SU 1602254 A1 SU1602254 A1 SU 1602254A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- posistor
- value
- components
- increase
- ratio
- Prior art date
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
(46) 30.06.92.Бкт. № 24
(21)4491425/21 :
(22).88
(72) Ю.В.Андреев, ИоВ„Маркевич и EiН.Соловьева
(53)621.316о8(088„8):
(56)Патент США № 3975307, клс Н 01 В 1/08, 1976,
Патент США № 3997479, кл. Н 01 Б 1/08, ,1976
(54)СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЗЙСТОРОВ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ
(57)Изобретение относитс к радиоэлектронике и может быть использовано при разработке и пpo e шшeннoм вй- пуске терморезисторов с положительным температурным коэффициентом сопротивлени - позисторово Цель изобретени - повьппение величины положительного температурного коэффициента сопротивлени без увеличени значений удельного сопротивлени и усложнени состава материала Способ изготовлени позисторов включает приготовление шихты, введение легируют щей добавки в виде сплава оксидов ниоби и иттри при следующем соотношении компонентов - 1:8 - 6:1 о Использование предлагаемого способа позвол ет повысить выход годных 1 табЛс
Изобретение относитс к радиоэлектронике и. может быть использовано при разработке и промьшмгеином выпуске терморезисторов с положительным температурным кoэффш иeнтoм сопротивлени (ПТКС)-. позисторово
Целью изобретени вл етс повышение величины положительного температурного коэффициеита сопротивле- йи без увеличени значе шй удельного сопротивлени и усложнени состава материала керамикие
Физико-химические предпосылки предлагаемого способа заключаютс в возможности образовани промежутбч- 1ШХ продуктов взаимодействи легиру- lanHx примесей; ,, YNbO, ,g04) и их. смеси. Образование промежуточных соединений способствует повьшению скорости диффузии примесей в BaTiO (нидкие значени -24-9-5
при некотором снижении температуры обжига) и формированию окисных фаз на границе кристаллитов (повышение ПТКС). В данном случае и Y % и Nb выполн ют функцию доноров, 3 анима узлы атомов соответственно в подре- шетках Ва и Ti
Существенным вл етс также тот фахст, что использование этого принципа направлено на упрощение (отсутствие комплекса специальных до6,а- вок), а не на усложнение состава материала с.
Технологи изготовлени позисторов по предлагаемому способу имеет следующую последовательность:
Компоненты дл синтеза керамики ВаТхОз или твердых растворов типа Ва ЗГдТЮз и X ТЮз расчетного состава берут в виде промышлен (Л
С
но пыпускаеммх ВаСО,, TiOg, SrCO,, PbTiOj марки х.ч...
Сплавы типа NbjOg - приготавливаютс предварительно путем обжига смеси окислов при в тече1ше 2.Чс , -
Смешивание компонентов IUHXTW производ т мокрым.способом в воде в шаровой мельнице с последующей суш- ю кой порошка при
Синтез материала провод т на воздухе при 1150 - 1200 с, в течение 2 Чс - ., .
Обжиг прессованных образцов задан- 15 ной конфигурации выполн ют при 1260 - 1380°С в течение I Чо Скорость охлаждени образцов от температуры обжига составл ет 100 - 150 градо/Чо
Электроды дл измерени электри- 20 ческих параметров нанос т в виде эвтектики In-Gao
В конкретных примерах реализации предлагаемого способа приведены составы материалов позисторной керами- 25 кк с различным чолышм соотношением легирующих добавок при их суммарной концентрации, равной О, ,масо% (сМо таблицу)о В описании же приведет: данные в соответствии с описанием 30 аналогов и двух вариантов прототипа (с Та или Nb), а также совокупность значений ПТКС-позисторов из BaTiO и его твердых растворов со свинцом и стронцием при различном, г соотношении №2.05- и в сплаве
Основные выводы.по полученным результатам можно изложить следуннцим. образом ПоПо 1 и 2 таблицы соответственно характеризуют свойства по- зисторов из ,gPbo5 TiO,, легированного 0,1 молЛ с добавками Та или Nb (прототип) и позисторов из BaTiOg, легированного Nb205- или Y-jOj с комплексом добавок (аналог)о Необходимо при этом еще раз подчерк- Hj Tb, что в прототипе рассматриваютс позисторы только из свинецсодер- жащей керамики, в которую ввод тс Nb или Та fifin уменьшени потерь евин- ца при обжиге керамикио Лучшие результаты по аналогу и прототипу J р - 12 Ом-смс, ПТКС 15% /С.
П,По 3-5 таблицы характеризуют услови обжига и параметры позийторов 55 и керамик состава BaTiOj, Ва. SryTiG| Ва,,,у PbijTiO, изготовленных по пред- лaгaeмo ly способу при соотношении
40
45
5
0
5 0 г
0
5
,, в сплаве, равном В: Видно , что при значени х удельного сопротивлени одного пор дка с прототипом и аналогом дл основного материала BaTiOj достигнуто значение ПТКС 55%/°С о Дл твердых растворов со стронцием и свинцом эта величина, как и должно быть, несколько ниже, однако существенно превьиаает значени ., приведенные в описании прототипа и аналогов
Далее (псПс. 6-11) в таблице приведены аналогичные данные дл пози- сторов, легированных сплавами - при соотношении компонентов,равном hi и l:8j а также результаты измерений их параметров при запредельных (поПо Ц 17) значени х соотношени Nb и Y в сплавахо
Общий вывод по таблице, важный при использовании материала дл конкретных целей, заключаетс в следу1сщемс,
При соотношении Nb205-/Y2 03 « I в большей степени снижаетс р., в меньшей степени повьш1аетс 11ТКС„
При соотношении Nb 05-/Y203 l в большей степени повьш1аетс ПТКС, величина 2 снижаетс незначительно или остаетс неизменнойо / При соотношении Nb Oj/Yj O I по- зисторы обладают оптимальным сочетанием параметров ИТКС
При запредельном соотношении происходит повьшгение , оБжига материала до 1350-1420 0 и снижение величины ПТКС до 12-20%/°С„
При- использовании предлагаемого способа максимальна температура обжига образцов из BaTiOj и Ва. не превьш1ает 1280-1300 С, Способ применим к стронцийсодержащим материалам , дл которых характерны самые высокие темгтратуры обжига (1380 - 1400 С), При использовании предлагаемого способа температура обжига керамики состава o,z 3 превьш1ает 1350-1380°С
Технический эффект от предлагаемого способа за1шючаетс в том, что уве- ПТКС до повьшает тактико-технические параметры .систем, использующих позисторы дл контрол и стабилиза1щи температуры Экономический эффект может быть peajm30BaH за счет увеличени технологического запаса по величине ПТКС, а значит за счет повьш1ени выхода годных.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ изготовлени позисторов на основе титамата бари , включающий приготовление шихты,введение легирующей добавки, содержащей оксиды нио би и иттри , смешивание компонентов , обжиг, прессование и нанесениеэлектродов, отличающийс тем, что, с целью повьйпени величины положительного температурного ко- ,эффициента сопротивлени , введение оксидов ниоби и иттри осуществл ют в вида сплава при следующем соотношении компонентов - Ij8 - 8tl,
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884491425A SU1602254A1 (ru) | 1988-10-10 | 1988-10-10 | Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884491425A SU1602254A1 (ru) | 1988-10-10 | 1988-10-10 | Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1602254A1 true SU1602254A1 (ru) | 1992-06-30 |
Family
ID=21403043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884491425A SU1602254A1 (ru) | 1988-10-10 | 1988-10-10 | Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1602254A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2451539C2 (ru) * | 2006-10-02 | 2012-05-27 | Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх | Устройство и способ испарения реагента |
RU2552456C2 (ru) * | 2013-09-23 | 2015-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | СПОСОБ СИНТЕЗА ПОРОШКОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ BaSrTiO3 |
-
1988
- 1988-10-10 SU SU884491425A patent/SU1602254A1/ru active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2451539C2 (ru) * | 2006-10-02 | 2012-05-27 | Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх | Устройство и способ испарения реагента |
RU2552456C2 (ru) * | 2013-09-23 | 2015-06-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" | СПОСОБ СИНТЕЗА ПОРОШКОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ BaSrTiO3 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910009895B1 (ko) | 환원 재산화형 반도체 콘덴서용 세라믹 조성물 | |
JPS62869B2 (ru) | ||
SU1602254A1 (ru) | Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари | |
US4789653A (en) | Method for production of ceramic composition | |
JPH068210B2 (ja) | バリスタ材料及びその製法 | |
EP0221696A2 (en) | Dielectric compositions | |
JPH075363B2 (ja) | Ptc磁器組成物及びその製造方法 | |
SU1730080A1 (ru) | Полупроводниковый керамический материал | |
JP3595090B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2848712B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
SU1600560A1 (ru) | Способ изготовлени позисторов на основе титаната бари | |
RU2023706C1 (ru) | Керамический материал преимущественно для низкочастотных конденсаторов и способ его получения | |
JPH07297009A (ja) | 正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
JPS6143841B2 (ru) | ||
KR100254798B1 (ko) | 고유전율계 캐패시터용 자기 조성물 | |
SU1138395A1 (ru) | Керамический материал | |
KR100474249B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 제조방법 | |
JP3699195B2 (ja) | 正特性半導体磁器およびその製造方法 | |
JPS6111404B2 (ru) | ||
JPH10308302A (ja) | 酸化亜鉛系磁器組成物とその製造方法および酸化亜鉛バリスタ | |
JPH03112858A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
SU1106806A1 (ru) | Шихта дл изготовлени керамического диэлектрического материала | |
JPH11224803A (ja) | 高キュリー点ptcサーミスタ組成物及びその製造方法 | |
JPS6050004B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS594802B2 (ja) | コウユウデンリツジキソセイブツ |