SU1547611A1 - Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем - Google Patents

Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем

Info

Publication number
SU1547611A1
SU1547611A1 SU4455806/25A SU4455806A SU1547611A1 SU 1547611 A1 SU1547611 A1 SU 1547611A1 SU 4455806/25 A SU4455806/25 A SU 4455806/25A SU 4455806 A SU4455806 A SU 4455806A SU 1547611 A1 SU1547611 A1 SU 1547611A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
mcm
titan
wolfram
thickness
Prior art date
Application number
SU4455806/25A
Other languages
English (en)
Inventor
Д.М. Боднарь
А.Н. Кастрюлев
С.Н. Корольков
Original Assignee
Д.М. Боднарь
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Д.М. Боднарь filed Critical Д.М. Боднарь
Priority to SU4455806/25A priority Critical patent/SU1547611A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1547611A1 publication Critical patent/SU1547611A1/ru

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии изготовления больших интегральных схем. Цель изобретения - повышение качества и надежности многоуровневых межсоединений. После формирования омических и выпрямляющих контактов к активным областям на основе силицила платины наносят слой титана-вольфрама толщиной 0,2 мкм и алюминия, легированного кремнием, толщиной 0,45 мкм. Формируют рисунок межсоединений по первому уровню металлизации. Далее наносят межслойный диэлектрик, состоящий из 0,3 мкм плазмохимического оксида кремния и 0,4 мкм пиролитического фосфорно-силикатного стекла (ФСС). В слое межуровневого диэлектрика вскрывают окна и проводят обработку поверхности ионно-химическим травлением в тетрафторметане CF. Напыляют пленку титана-вольфрама толщиной 0,15 мкм с удельным сопротивлением 65 мкОм • см магнетронным распылением на установке "Оратория 5" при давлении аргона 8 • 10 Торр. Затем, не разгерметизируя вакуумную систему, напыляют слой алюминия, легированного кремнием (1%) толщиной 0,85 мкм. После фотолитографии, травлении алюминия и удаления фоторезиста, проводят ионно-химическое травление слоя титан-вольфрам в гексафториде серы, недотравленный слой титан-вольфрам удаляют в разбавленном растворе перекиси водорода (1:1) при 40С в течение 1 мин. 5 з. п. ф-лы.
SU4455806/25A 1988-07-06 1988-07-06 Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем SU1547611A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4455806/25A SU1547611A1 (ru) 1988-07-06 1988-07-06 Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4455806/25A SU1547611A1 (ru) 1988-07-06 1988-07-06 Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1547611A1 true SU1547611A1 (ru) 1996-01-20

Family

ID=60528982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4455806/25A SU1547611A1 (ru) 1988-07-06 1988-07-06 Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1547611A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2550586C1 (ru) * 2013-10-08 2015-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2550586C1 (ru) * 2013-10-08 2015-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ) Способ изготовления контактно-барьерной металлизации

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5766977A (en) Method for producing semiconductor device
FR2578272B1 (fr) Procede de formation sur un substrat d'une couche de siliciure de tungstene, utilisable notamment pour la realisation de couches d'interconnexion des circuits integres.
JPS60138918A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010109950A (ja) 圧電デバイスの製造方法
EP0134938A2 (en) Dry process for forming metal patterns on a surface
SU1547611A1 (ru) Способ формирования многоуровневых межсоединений больших интегральных схем
ATE46791T1 (de) Verfahren zum selektiven auffuellen von in isolationsschichten geaetzten kontaktloechern mit metallisch leitenden materialien bei der herstellung von hoechstintegrierten halbleiterschaltungen sowie eine vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens.
JPH0729846A (ja) 半導体装置の電極形成方法
JP2837423B2 (ja) 半導体基板の前処理方法
Magerlein et al. Low defect density insulating films deposited on room temperature substrates
JP2523558B2 (ja) 処理方法
JPS63119527A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5543847A (en) Forming method of multilayer interconnection
JPS5559718A (en) Producing method of semiconductor unit
RU2198451C2 (ru) Способ диэлектрической изоляции элементов интегральных схем
JPS57162460A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5443466A (en) Electrode formation method for semiconductor device
JPS59178732A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH01239931A (ja) 炭素膜の形成された電子装置の作製方法
JPS57138159A (en) Formation of thin film
JPH0114701B2 (ru)
JPS5773941A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5792849A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS54103674A (en) Production of semiconductor device
JPH0719773B2 (ja) 表面処理方法およびその装置