SU1511228A1 - Травильный раствор - Google Patents

Травильный раствор Download PDF

Info

Publication number
SU1511228A1
SU1511228A1 SU874284199A SU4284199A SU1511228A1 SU 1511228 A1 SU1511228 A1 SU 1511228A1 SU 874284199 A SU874284199 A SU 874284199A SU 4284199 A SU4284199 A SU 4284199A SU 1511228 A1 SU1511228 A1 SU 1511228A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
pattern
etching
glass
microns
etched
Prior art date
Application number
SU874284199A
Other languages
English (en)
Inventor
Сергей Викторович Павлов
Константин Семенович Золотухин
Original Assignee
Предприятие П/Я В-8071
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я В-8071 filed Critical Предприятие П/Я В-8071
Priority to SU874284199A priority Critical patent/SU1511228A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1511228A1 publication Critical patent/SU1511228A1/ru

Links

Landscapes

  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к технике травлени  стекла и может быть использовано при вытравлении рисунка на подложках из стекла. С целью увеличени  глубины травлени  и снижени  неравномерности кра  рисунка травильный раствор включает, мас.% : HF 10-10,5
HNO3 10-14
NH4F 17,6-18
H2O - остальное. После формировани  покрыти  из тантала или титана стекло трав т в растворе. Глубина вытравленного рисунка составл ет 7 мкм
неравномерность кра  1-1,6 мкм
шероховатость 0,1-0,3 мкм.

Description

Изобретение относитс  к технике травлени  стекла и может быть исполь- .зовано при вытравлении рисунка на подложках из стекла.
Цель изобретени  - увеличение глубины травлени  и снижение неравномерности кра  рисунка.
Пример l.Ha подложках из натрий-кальциевого стекла ионно-плаз- менным методом напыл ют пленку тантала толщиной 0,5 мкм. Методом фотолитографии формируют рисунок, через который стекло трав т в течение 3 мин в растворе, содержащем, мас.%: HF (45%-ный..
раствор)10,5
N11 F
18,0
ШГО5 (65%-ный раствор)10,5 61,0 Глубина вытравленной структурысоставила 12 мкм, т.е.скорость травпе- они  равна 4 мкм/мин.Неровность кра  0,5 мкм.
Пример 2вВ травильном растворе , -содержащем в своем составе, мас,%:
HF
NbUF ШО
10,0 17,5 10,0 62,5
скорость травлени  стекла составл ет 3,5 мкм/муш, шероховатость равна 0,3 мкм, неравномерность кра  рисунка не превышает 1 мкм, используемьш в качестве маски фоторезист начинает отслаиватьс  через 120 с. С учетом приведенных данных максимальна  глубина вытравленного рисунка без искажений составл ет 7 мкм,
Пример 3, В травильном растворе , содержащем в своем составе, мас.%:
НЕ10,5
18,0 14,0
HNOj
57,5
скорость травлени  стекла составл ет
315
4 мкм/мнн, шероховатость равна 0,1 мкм неравномерность кра  рисунка не превышает 1,6 мкм. Используемый в качестве маски фоторезист начинает отела- иватьс  через 80 с, т,е, максимальна  глубина вытравленного рисунка составл ет 5 мкм.
Таким образом, введение в состав травильного раствора азотной кислоты способствует увеличению скорости травлени  до 3,5-4,0 мкм/мин, в первую очередь вследствие улучшени  растворимости фторидов кальци  и магни  Использование в качестве маски пленок тантала или титана позвол ет улучшить качество формируемого рисунка за счет уменьшени  подтрава по краю рисунка и уменьшени  количества
что обуслов-
дефектов типа прокол.
t
лено значительно более Н)1сокими адгезией мет аллических пленок к стеклу и устойчивостью пленок тантала и титана к используемому травильному раствору

Claims (1)

  1. Формула изобретени
    Травипьньш раствор, включающий HF, HNOg, , отличающий с   тем, что,, с целью увеличени  глубины травлени  и снижени  неравнмерности кра  рисунка, он дополнительно содержит при следующем соотношении компонентов, масв%: HF- 10-10,5
    ННОз10-14
    NH4F17,6-18,0
    Н ООстальное
SU874284199A 1987-07-13 1987-07-13 Травильный раствор SU1511228A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874284199A SU1511228A1 (ru) 1987-07-13 1987-07-13 Травильный раствор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU874284199A SU1511228A1 (ru) 1987-07-13 1987-07-13 Травильный раствор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1511228A1 true SU1511228A1 (ru) 1989-09-30

Family

ID=21319413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU874284199A SU1511228A1 (ru) 1987-07-13 1987-07-13 Травильный раствор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1511228A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
За вка DE N 2541205, кл. С 03 С 15/00, 1976. Авторское свидетельство СССР № 1159905, кл. С 03 С 15/00, 1984. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4725375A (en) Etchant composition
US3841905A (en) Method of preparing printed circuit boards with terminal tabs
US4957653A (en) Composition containing alkane sulfonic acid and ferric nitrate for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces, and method for stripping tin or tin-lead alloy
US4919752A (en) Bath solution and process for the removal of lead/tim, lead or tin coatings from copper or nickel surfaces
SU1511228A1 (ru) Травильный раствор
SU1511229A1 (ru) Травильный раствор
US3037896A (en) Masking process
CN109594079A (zh) 一种钼铝共用蚀刻液及蚀刻方法
JPS5621666A (en) Surface treatment of aluminum cast product
US3532569A (en) Aluminum etchant and process
JPH0311093B2 (ru)
DE1934743A1 (de) Verfahren zum AEtzen von Siliciumnitrid
SU566866A1 (ru) Раствор дл травлени алюмини
SU816983A1 (ru) Травильный раствор
JPS57196589A (en) Manufacture of nonlinear element
JPS5497546A (en) Etching method of permalloy thin layer
JPH01172241A (ja) 石英ガラスのエッチング方法
JPS5767164A (en) Partially filming method in watch band
JPS5524923A (en) Manufacture of transparent titanium oxide film
JPS6455307A (en) Production of acicular powder
RU2016915C1 (ru) Раствор для травления тугоплавких металлов
SU375820A1 (ru)
EP0542228A1 (de) Entschichtungsmittel
JPS642390A (en) Formation of metallic thin-film pattern
DE2036153A1 (en) Semiconductor exposure masks - with chalocogenide coating for accurate adjustment