SU141999A1

SU141999A1 - Method to prevent diffusion of impurities from products made of quartz glass into the semiconductor metal melt

Info

Publication number: SU141999A1
Application number: SU722900A
Authority: SU
Inventors: О.К. Ботвинкин; А.И. Запорожский
Original assignee: О.К. Ботвинкин; А.И. Запорожский
Priority date: 1961-03-20
Filing date: 1961-03-20
Publication date: 1961-11-30

Description

Известны способы предотвращени диффузии примесей из изделий из кварцевого стекла в расплав полупроводникового металла. Однако эти способы недостаточно эффективны.Methods are known for preventing the diffusion of impurities from quartz glass products into the semiconductor metal melt. However, these methods are not effective enough.

В описываемом способе дл иредотвращени термодиффузии примесных катионов из излТели , изготовленного из кварцевого стекла, и усилени сорбционных свойств его внутренней поверхности на наружную поверхность издели от маломощного источника посто нного тока подают ток мощностью 50-100 милливатт на 1 см рабочей поверхности издели из кварцевого стекла.In the described method, in order to prevent thermal diffusion of impurity cations from ejection made of quartz glass and enhance the sorption properties of its inner surface, a current of 50-100 milliwatts per 1 cm of working surface of the quartz glass product is supplied to the outer surface of the product from a low-power DC source.

На чертеже изображено устройство дл осуществлени способа.The drawing shows a device for implementing the method.

Способ предотвращени диффузии примесей состоит в том, что при выращивании монокристалла / из расплава 2 полупроводникового металла на наружную поверхность 3 издели 4 из кварцевого стекла, г котором происходит процесс плавки и выращивани монокристалла 1, подают отрицательное смещение от маломощного источника тока, имеющего хорошую стабилизацию. С этой целью между изделием 4 н графитовым катодом 5 помещают тонкий слой 6 графитового порощка . Электрическа мощность, обусловленна напр жением смещени , составл ет 50-100 милливатт на 1 см рабочей поверхности 7 нллели 4. Величину напр жени отрицательного смещени принимают в пределах 100-200 в на 1 мм толщины стенки 8 издели 4, но не меfiee 400 в при толщине стенки, меньще 3 мм.The way to prevent the diffusion of impurities is that when a single crystal is grown / from a melt 2 of semiconductor metal onto an outer surface 3 of a quartz glass product 4, which is being melted and a single crystal is grown 1, a negative bias from a low-power current source having good stabilization is applied. To this end, between the product 4n graphite cathode 5 is placed a thin layer 6 of graphite powder. The electrical power due to the bias voltage is 50-100 milliwatts per 1 cm of the working surface of 7 n bells 4. The magnitude of the negative bias voltage is within 100-200 V per 1 mm of wall thickness 8 of product 4, but not mefiee 400 V at wall thickness less than 3 mm.

При подаче отрицательного электрического смещени на нгру/К ную поверхность 3 издели 4 в системе расплаз 2 - изделие i --катод 5 возбуждают слабый электрический ток, обусловленный диффузионным пере.мещением примесных катионов, содержащихс в кварцевом стекле издели 4, от внутренней положительно зар женной поверхности 7 издели 4 к наружной поверхности 3, наход щейс ггодWhen a negative electrical bias is applied to the ngr / n surface 3 of the article 4 in the spacing system 2 - product i - cathode 5, a weak electric current, caused by diffusional displacement of impurity cations contained in the quartz glass product 4, is excited from the internal positively charged surface 7 of the product 4 to the outer surface 3 of the year