SU139440A1 - Apparatus for producing silicon single crystals - Google Patents
Apparatus for producing silicon single crystalsInfo
- Publication number
- SU139440A1 SU139440A1 SU2252966A SU2252966A SU139440A1 SU 139440 A1 SU139440 A1 SU 139440A1 SU 2252966 A SU2252966 A SU 2252966A SU 2252966 A SU2252966 A SU 2252966A SU 139440 A1 SU139440 A1 SU 139440A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- melting
- producing silicon
- silicon single
- single crystals
- frequency
- Prior art date
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
В известных устройствах дл получени монокристаллов кремни больших сечений, выполненных в виде вертикальной установки дл бестигельной зонной плавки с индукционным нагревателем и электромагнитным подиором жидкой зоны, удаетс получать слитки кремни диаметром не более 15-17 мм.In the known devices for producing silicon monocrystals of large cross sections, made in the form of a vertical installation for a crucibleless zone melting with an induction heater and an electromagnetic source of the liquid zone, it is possible to produce silicon ingots with a diameter of not more than 15-17 mm.
Предложенное устройство позвол ет получить слитки монокристаллического кремни диаметром 20-40 мм и длиной до 400-500 мм, что во много раз повышает производительность плавильного агрегата и значительно расшир ет возможности приборостроени .The proposed device makes it possible to produce single-crystal silicon ingots with a diameter of 20-40 mm and a length of up to 400-500 mm, which greatly increases the productivity of the melting unit and greatly expands the capabilities of the instrument-making industry.
С этой целью устройство выполнено в едином экранированном корпусе и снабжено ламповым инвертором дл регулировани частоты низкочастотного генератора, индуктор которого монтирован под плавильным контуром.To this end, the device is made in a single shielded case and is equipped with a tube inverter for controlling the frequency of the low-frequency generator, the inductor of which is mounted under the melting circuit.
На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, выполненное п едином экранированном корпусе; на фиг. 2 - схема -плавильной печи.FIG. 1 shows the proposed device made in a single shielded case; in fig. 2 is a diagram of a melting furnace.
Основными элементами устройства вл ютс двухчастотный генератор / и плавильный агрегат 2, плавильна камера 3 которого имеет плав щий 4 и низкочастотный 5 индукторы.The main elements of the device are a two-frequency generator / and a melting unit 2, the melting chamber 3 of which has melting 4 and low-frequency 5 inductors.
Генератор / предназначен дл одновременного воздействи н зону расплава токов двух частот: высокой (5Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво-; слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует сво частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усили .The generator / is intended for simultaneous influence of the melt zone of currents of two frequencies: high (5 MHz) and low, adjustable in the range from 8 to 25 KHz. This ensures the holding of fluent; ingots of various diameters, each of which corresponds to its own frequency of the current, creating the necessary electromagnetic prop and supporting forces.
Низкочастотный генератор собран по схеме электронного инвертора , в котором используютс импульсы анодного тока, близкие к пр моугольной форме, которую имеет и напр жение на аноде генераторнойThe low-frequency generator is assembled according to the circuit of an electronic inverter, in which anode current pulses are used, which are close to a rectangular shape, which the voltage on the anode of the oscillator also has
лалшы. За счет посто нного напр жени на аноде лампы в период ее проводимости и пр моугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д: лампы и мощность, отдаваема ею.lalshy Due to the constant voltage on the anode of the lamp in the period of its conductivity and the rectangular form of the anode current, the efficiency and the power delivered by it is sharply increased to 90%.
Плавильна печь (фиг- 2) имеет плавильную камеру 3, верхнюю о и нижнюю 7 траверсы, редукторы 8 ручного и 9 механического перемещени камеры 3, привод и другие узлы.The melting furnace (FIG. 2) has a melting chamber 3, an upper and lower 7 crossheads, gears 8 for manual and 9 mechanical movements of the chamber 3, an actuator and other components.
Плавильна камера 3 состоит из двух зажимных головок 10, смонтированных на траверсах (5 и 7, и кварцевой трубы, внутри которой через вильсоновскио уплотнени ввод тс щтоки /7, между которыми закрепл етс обрабатываемый слиток 12. К зажимным головкам 10 подведена вода дл охлаждени уплотнителей, через ниппель верхней головки в камеру ввод т газ, выход которого обеспечиваетс через ниппель нижней головки.The melting chamber 3 consists of two clamping heads 10 mounted on cross-arms (5 and 7) and a quartz tube, inside which rods / 7 are inserted through Wilson's seals, between which the processed ingot 12 is fixed. The clamping heads 10 are supplied with water to cool the seals , through the nipple of the upper head, gas is introduced into the chamber, the output of which is provided through the nipple of the lower head.
Предмет изобретени Subject invention
Устройство дл получени монокристаллов кремни больщих сечений , выполненные в виде вертикальной установки дл бестигельной зонной плавки с индукционным нагревателем и электромагнитным подпором жидкой зоны, отличающеес тем, что устройство выполнено в едином экранированном корпусе и снабжено ламповым инвертором, с целью регулировани частоты низкочастотного генератора, индуктор которого монтирован под плавильным контуром.A device for producing silicon monocrystals of large cross sections, made in the form of a vertical installation for a crucibleless zone melting with an induction heater and an electromagnetic liquid in a liquid zone, characterized in that the device is made in a single shielded case and equipped with a lamp inverter to control the frequency of the low-frequency generator, the inductor mounted under the melting circuit.
2121
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2252966A SU139440A1 (en) | 1960-07-06 | 1960-07-06 | Apparatus for producing silicon single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU2252966A SU139440A1 (en) | 1960-07-06 | 1960-07-06 | Apparatus for producing silicon single crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU139440A1 true SU139440A1 (en) | 1960-11-30 |
Family
ID=48295527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU2252966A SU139440A1 (en) | 1960-07-06 | 1960-07-06 | Apparatus for producing silicon single crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU139440A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3994690A (en) * | 1974-02-15 | 1976-11-30 | Elphiac | Universal apparatus for elaborating semiconductive monocrystals |
-
1960
- 1960-07-06 SU SU2252966A patent/SU139440A1/en active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3994690A (en) * | 1974-02-15 | 1976-11-30 | Elphiac | Universal apparatus for elaborating semiconductive monocrystals |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3265469A (en) | Crystal growing apparatus | |
US3296410A (en) | Induction coupled plasma generators | |
GB833290A (en) | Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances | |
KR890011010A (en) | Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal | |
GB1497566A (en) | Non-crucible zone melting | |
SU139440A1 (en) | Apparatus for producing silicon single crystals | |
US2820263A (en) | Device for ultrasonic treatment of molten metal | |
US3472941A (en) | Coreless induction furnace and method of melting and stirring metals in this furnace | |
GB1349106A (en) | Apparatus for the non-crucible zone melting of semiconductor rods | |
US3310384A (en) | Method and apparatus for cruciblefree zone melting | |
US1286395A (en) | Oscillation-current method and apparatus. | |
US4045278A (en) | Method and apparatus for floating melt zone of semiconductor crystal rods | |
GB1145769A (en) | Improvements in or relating to apparatus for the heat treatment of electrically conductive materials | |
US3916088A (en) | Electric current supply lines for an induction heating coil used with a crucible-free melt zone apparatus | |
GB1102390A (en) | Method and device for supervising and controlling the course of the reaction in the basic-oxygen process | |
US1676926A (en) | High-frequency furnace | |
GB931975A (en) | Method of drawing monocrystalline semi-conductor rods | |
CA1041177A (en) | Cooled capacitor container for semiconductor melting device | |
GB843460A (en) | Improvements in or relating to apparatus for use in melting a zone of a rod of semi-conductor materlal | |
DE3782132D1 (en) | APPARATUS FOR GENERATING SHOCK WAVES WITH A TUBULAR ELEMENT FOR LIMITING ELECTROMAGNETIC LOSSES. | |
GB869461A (en) | Improvements in or relating to apparatus for use in melting a zone of a rod of semi-conductor material | |
US2789153A (en) | Furnace for producing single crystals for transistors | |
GB1491123A (en) | Production of a compound or alloy | |
GB937190A (en) | Process for the zone melting of rods of semi-conducting or conducting material | |
FR1455670A (en) | Method of manufacturing semiconductor bars of practically constant diameter by melting by zone without crucible |