SU139440A1 - Apparatus for producing silicon single crystals - Google Patents

Apparatus for producing silicon single crystals

Info

Publication number
SU139440A1
SU139440A1 SU2252966A SU2252966A SU139440A1 SU 139440 A1 SU139440 A1 SU 139440A1 SU 2252966 A SU2252966 A SU 2252966A SU 2252966 A SU2252966 A SU 2252966A SU 139440 A1 SU139440 A1 SU 139440A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
melting
producing silicon
silicon single
single crystals
frequency
Prior art date
Application number
SU2252966A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
А.В. Бамунер
А.С. Васильев
Н.К. Данилков
А.Г. Дудин
Л.Л. Кочергин
А.Ю. Малинин
В.В. Моргун
Г.Л. Пекерис
Ю.Б. Петров
А.Е. Слухоцкий
Original Assignee
А.В. Бамунер
А.С. Васильев
Н.К. Данилков
А.Г. Дудин
Л.Л. Кочергин
А.Ю. Малинин
В.В. Моргун
Г.Л. Пекерис
Ю.Б. Петров
А.Е. Слухоцкий
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by А.В. Бамунер, А.С. Васильев, Н.К. Данилков, А.Г. Дудин, Л.Л. Кочергин, А.Ю. Малинин, В.В. Моргун, Г.Л. Пекерис, Ю.Б. Петров, А.Е. Слухоцкий filed Critical А.В. Бамунер
Priority to SU2252966A priority Critical patent/SU139440A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU139440A1 publication Critical patent/SU139440A1/en

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

В известных устройствах дл  получени  монокристаллов кремни  больших сечений, выполненных в виде вертикальной установки дл  бестигельной зонной плавки с индукционным нагревателем и электромагнитным подиором жидкой зоны, удаетс  получать слитки кремни  диаметром не более 15-17 мм.In the known devices for producing silicon monocrystals of large cross sections, made in the form of a vertical installation for a crucibleless zone melting with an induction heater and an electromagnetic source of the liquid zone, it is possible to produce silicon ingots with a diameter of not more than 15-17 mm.

Предложенное устройство позвол ет получить слитки монокристаллического кремни  диаметром 20-40 мм и длиной до 400-500 мм, что во много раз повышает производительность плавильного агрегата и значительно расшир ет возможности приборостроени .The proposed device makes it possible to produce single-crystal silicon ingots with a diameter of 20-40 mm and a length of up to 400-500 mm, which greatly increases the productivity of the melting unit and greatly expands the capabilities of the instrument-making industry.

С этой целью устройство выполнено в едином экранированном корпусе и снабжено ламповым инвертором дл  регулировани  частоты низкочастотного генератора, индуктор которого монтирован под плавильным контуром.To this end, the device is made in a single shielded case and is equipped with a tube inverter for controlling the frequency of the low-frequency generator, the inductor of which is mounted under the melting circuit.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, выполненное п едином экранированном корпусе; на фиг. 2 - схема -плавильной печи.FIG. 1 shows the proposed device made in a single shielded case; in fig. 2 is a diagram of a melting furnace.

Основными элементами устройства  вл ютс  двухчастотный генератор / и плавильный агрегат 2, плавильна  камера 3 которого имеет плав щий 4 и низкочастотный 5 индукторы.The main elements of the device are a two-frequency generator / and a melting unit 2, the melting chamber 3 of which has melting 4 and low-frequency 5 inductors.

Генератор / предназначен дл  одновременного воздействи  н  зону расплава токов двух частот: высокой (5Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво-; слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует сво  частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усили .The generator / is intended for simultaneous influence of the melt zone of currents of two frequencies: high (5 MHz) and low, adjustable in the range from 8 to 25 KHz. This ensures the holding of fluent; ingots of various diameters, each of which corresponds to its own frequency of the current, creating the necessary electromagnetic prop and supporting forces.

Низкочастотный генератор собран по схеме электронного инвертора , в котором используютс  импульсы анодного тока, близкие к пр моугольной форме, которую имеет и напр жение на аноде генераторнойThe low-frequency generator is assembled according to the circuit of an electronic inverter, in which anode current pulses are used, which are close to a rectangular shape, which the voltage on the anode of the oscillator also has

лалшы. За счет посто нного напр жени  на аноде лампы в период ее проводимости и пр моугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д: лампы и мощность, отдаваема  ею.lalshy Due to the constant voltage on the anode of the lamp in the period of its conductivity and the rectangular form of the anode current, the efficiency and the power delivered by it is sharply increased to 90%.

Плавильна  печь (фиг- 2) имеет плавильную камеру 3, верхнюю о и нижнюю 7 траверсы, редукторы 8 ручного и 9 механического перемещени  камеры 3, привод и другие узлы.The melting furnace (FIG. 2) has a melting chamber 3, an upper and lower 7 crossheads, gears 8 for manual and 9 mechanical movements of the chamber 3, an actuator and other components.

Плавильна  камера 3 состоит из двух зажимных головок 10, смонтированных на траверсах (5 и 7, и кварцевой трубы, внутри которой через вильсоновскио уплотнени  ввод тс  щтоки /7, между которыми закрепл етс  обрабатываемый слиток 12. К зажимным головкам 10 подведена вода дл  охлаждени  уплотнителей, через ниппель верхней головки в камеру ввод т газ, выход которого обеспечиваетс  через ниппель нижней головки.The melting chamber 3 consists of two clamping heads 10 mounted on cross-arms (5 and 7) and a quartz tube, inside which rods / 7 are inserted through Wilson's seals, between which the processed ingot 12 is fixed. The clamping heads 10 are supplied with water to cool the seals , through the nipple of the upper head, gas is introduced into the chamber, the output of which is provided through the nipple of the lower head.

Предмет изобретени Subject invention

Устройство дл  получени  монокристаллов кремни  больщих сечений , выполненные в виде вертикальной установки дл  бестигельной зонной плавки с индукционным нагревателем и электромагнитным подпором жидкой зоны, отличающеес  тем, что устройство выполнено в едином экранированном корпусе и снабжено ламповым инвертором, с целью регулировани  частоты низкочастотного генератора, индуктор которого монтирован под плавильным контуром.A device for producing silicon monocrystals of large cross sections, made in the form of a vertical installation for a crucibleless zone melting with an induction heater and an electromagnetic liquid in a liquid zone, characterized in that the device is made in a single shielded case and equipped with a lamp inverter to control the frequency of the low-frequency generator, the inductor mounted under the melting circuit.

2121

SU2252966A 1960-07-06 1960-07-06 Apparatus for producing silicon single crystals SU139440A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2252966A SU139440A1 (en) 1960-07-06 1960-07-06 Apparatus for producing silicon single crystals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU2252966A SU139440A1 (en) 1960-07-06 1960-07-06 Apparatus for producing silicon single crystals

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU139440A1 true SU139440A1 (en) 1960-11-30

Family

ID=48295527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2252966A SU139440A1 (en) 1960-07-06 1960-07-06 Apparatus for producing silicon single crystals

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU139440A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994690A (en) * 1974-02-15 1976-11-30 Elphiac Universal apparatus for elaborating semiconductive monocrystals

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3994690A (en) * 1974-02-15 1976-11-30 Elphiac Universal apparatus for elaborating semiconductive monocrystals

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3296410A (en) Induction coupled plasma generators
US3099534A (en) Method for production of high-purity semiconductor materials for electrical purposes
GB833290A (en) Improvements in or relating to processes and apparatus for the production of ultra-pure substances
ATE21239T1 (en) METHOD AND DEVICE FOR CONTINUOUSLY MANUFACTURING LONG BODIES STARTING FROM UNMOLTEN SOLID MATERIAL.
KR890011010A (en) Method and apparatus for manufacturing silicon single crystal
GB1497566A (en) Non-crucible zone melting
SU139440A1 (en) Apparatus for producing silicon single crystals
US2820263A (en) Device for ultrasonic treatment of molten metal
US2382187A (en) Apparatus for treating glass
US3351433A (en) Method of producing monocrystalline semiconductor rods
GB1349106A (en) Apparatus for the non-crucible zone melting of semiconductor rods
US2223399A (en) Supply of electric discharge tubes excited inductively
GB1145769A (en) Improvements in or relating to apparatus for the heat treatment of electrically conductive materials
GB1045664A (en) A process for melting a rod of polycrystalline material zone-by-zone
US3916088A (en) Electric current supply lines for an induction heating coil used with a crucible-free melt zone apparatus
GB1102390A (en) Method and device for supervising and controlling the course of the reaction in the basic-oxygen process
US1676926A (en) High-frequency furnace
GB931975A (en) Method of drawing monocrystalline semi-conductor rods
CA1041177A (en) Cooled capacitor container for semiconductor melting device
GB843460A (en) Improvements in or relating to apparatus for use in melting a zone of a rod of semi-conductor materlal
DE3782132T2 (en) APPARATUS FOR GENERATING SHOCK WAVES WITH A TUBULAR ELEMENT FOR LIMITING ELECTROMAGNETIC LOSSES.
GB869461A (en) Improvements in or relating to apparatus for use in melting a zone of a rod of semi-conductor material
US2789153A (en) Furnace for producing single crystals for transistors
GB1524243A (en) Method of inserting an aperture mask support pin into a viewing panel for a cathode ray tube
GB937190A (en) Process for the zone melting of rods of semi-conducting or conducting material