SU136564A1 - Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремни - Google Patents
Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремниInfo
- Publication number
- SU136564A1 SU136564A1 SU654833A SU654833A SU136564A1 SU 136564 A1 SU136564 A1 SU 136564A1 SU 654833 A SU654833 A SU 654833A SU 654833 A SU654833 A SU 654833A SU 136564 A1 SU136564 A1 SU 136564A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- silicon carbide
- graphite crucible
- single crystals
- carbide single
- obtain silicon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
ОсуществленИе способа получени монокристаллов карбидов кремни кристаллизацией из расплава кремни затрудн етс отсутствием подход щего материала тигл дл расплавлени кремни . Кварцевые тигли при перегреве, необходимом дл выращивани монокристаллов карбида кремни , разм гчаютс , что вызывает выбросы кремни ; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний.
Описываемый способ подготовки графитового тигл позвол ет использовать последний дл выращивани монокристаллов карбида кремни . Сущность способа заключаетс в том, что графитовый тигель подвергают нагреву до 1000-1200° в атмосфере предельных углеводородов , например в атмосфере гептана, в результате чего повер.хность тигл и внутри и снаружи покрываетс пироуглеродом, что повышает стойкость тигл .
Предмет изобретени
Графитовый тигель дл получени монокристаллоВ карбида кремни путем выращивани из расплава кремни , отличающийс тем, что, с целью повыщени стойкости тигл , его подвергают нагреву при 1000-1200° в атмосфере предельных углеводородов, например в гептане .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU654833A SU136564A1 (ru) | 1960-02-16 | 1960-02-16 | Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремни |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU654833A SU136564A1 (ru) | 1960-02-16 | 1960-02-16 | Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремни |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU136564A1 true SU136564A1 (ru) | 1960-11-30 |
Family
ID=48292829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU654833A SU136564A1 (ru) | 1960-02-16 | 1960-02-16 | Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремни |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU136564A1 (ru) |
-
1960
- 1960-02-16 SU SU654833A patent/SU136564A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB827465A (en) | Improvements in or relating to methods and apparatus for the manufacture of single crystals of a substance, for example a semi-conductor such as germanium or silicon | |
| GB1044848A (en) | Method for producing homogeneous crystals of mixed semiconductive materials | |
| SU136564A1 (ru) | Графитовый тигель дл получени монокристаллов карбида кремни | |
| GB803830A (en) | Semiconductor comprising silicon and method of making it | |
| GB1336672A (en) | Methods of epitaxially depositing a semiconductor compound | |
| GB1220311A (en) | Improvements in or relating to the manufacture of magnesium-aluminium spinel crystals | |
| GB1065728A (en) | Improvements in or relating to the preparation of group b and vb compound crystals | |
| GB1059960A (en) | The production of semi-conductor rods | |
| GB816334A (en) | Improvements in or relating to crucibles | |
| JPS54122682A (en) | Single crystal growing device | |
| GB967933A (en) | Improvements in or relating to methods of preparing crystalline silicon carbide | |
| GB862600A (en) | Improvements in or relating to the preparation of single crystals from the vapour phase | |
| FR2122768A5 (en) | Ruby single crystals - prodn in cold crucibles in an oxidising atmos | |
| Marshall | Growth of silicon carbide from solution | |
| Sharma et al. | Growth of single crystals of cadmium sulphide in evacuated ampoules | |
| Bulakh | Growth of boule DdS single crystals from the vapour phase | |
| JPS5492597A (en) | Semi-insulating gallium arsenide crystals produced by liquid capsule pulling method | |
| JPS55113695A (en) | Single crystal growing device | |
| JPS55140792A (en) | Manufacture of 3-5 group compound semiconductor single crystal | |
| SU498958A1 (ru) | Способ получени фторбората магни | |
| SU121438A1 (ru) | Способ получени монокристаллов антрацена | |
| GB850595A (en) | Improvements in or relating to methods of producing single crystals | |
| GB809486A (en) | Method and apparatus for producing single-crystal semiconductor material | |
| KR20180134185A (ko) | 승화현상을 억제하는 개선된 브릿지만 결정성장법 | |
| JPS6117489A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 |