SU1269209A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
SU1269209A1
SU1269209A1 SU853876873A SU3876873A SU1269209A1 SU 1269209 A1 SU1269209 A1 SU 1269209A1 SU 853876873 A SU853876873 A SU 853876873A SU 3876873 A SU3876873 A SU 3876873A SU 1269209 A1 SU1269209 A1 SU 1269209A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
inputs
output
input
control
driver
Prior art date
Application number
SU853876873A
Other languages
English (en)
Inventor
Эдмунд Эдмундович Тенк
Original Assignee
Организация П/Я Х-5263
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Организация П/Я Х-5263 filed Critical Организация П/Я Х-5263
Priority to SU853876873A priority Critical patent/SU1269209A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1269209A1 publication Critical patent/SU1269209A1/ru

Links

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

Изобретение относитс  к вычислительной технике, а именно к запоминающим устройствам. Может быть использован.о в быстродействующих запоминающих устройствах на Л1ДГ1-транзистора в интегральном исполнении . Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства. Оно содержит накопитель, дешифраторы строк и столбцов, входы которых  вл ютс  адресными входами устройства, формирователь сигналов считывани , формирователь управл ющих сигналов и ключей, включенные между соответствующими выходами накопител , дешифраторов и общей тиной. Повышение быстродействи  обеспечиваетс  предзар дом шин устройства. 1 з.п. ф-лы, I ил.

Description

ьо
05 СО 1чЭ
Изобретение относитс  к вычислительной технике, а именно к за1юминаюни1м устройствам на МДП-транзисторах.
Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  устройства.
На чертеже представлена функциональна  схема устройства.
Устройство содержит адресные усилители 1, выходы которых соединены с входами дешифраторов строк 2 и столбцов 3, выходы которых соединены с соответствующими 1иинами накопител  4, ключи 5, одни выходы которых соединены с шиной 6, другие - с дополнительными выходами адреснь х усилителей 1, дешифраторов строк 2 и столбцов 3 и накопител  4, а управл ющие входы 7 9 ключей 5  вл ютс  управл ющими входами устройсгза.
Лдресиыс усили I :..,; ; ; ,: iiL,:i; торы 10 предзар да, стоки KOTOpi.ix н;)дк,;почены к 1нине 11 питани , истоки соединены со стоками ключевых транзисгоро15 12 и  вл ютс  выходами усилите.1е1|, истоли ключевых транзисторов 12 пб1,единены и  вл ютс  дополнительными выходами усилителей , а затворы транзисторов 10 предзар да  вл ютс  уг1равл юн;ими входами 13 устройства.
Дешифраторы 2 и 3 содержат ключевые транзйторы 14, истоки которых oбьeдинef ы, а затвор1 1 в каждом денжфраторе  в.;1 ютс  входами деншфраторов, стоки соединены с истоками транзисторов 15 предзар да, стоки которых подключены к шине пигании, а затворы  вл ютс  управл ющими входами 13 и 16 устройства.
Фо)мирователь 17 управл ющих си1налов содержит инвертор на транзисторах 18 и 19, элемент ИЛИ на транзисторах 20-22 и выходной усилитель на транзисторах 23-26 . Один вход элеменга ИЛИ через инвертор соединен с управл ющими входами 7 ключей 5 адреснь,1х усилителей, другой вход -- с управл ющим входом 9 ключа 5 накопител , выход элемента ИЛИ соединен с входом выходного усилител , выход которого подключен к затворам 16 транзисторов предзар да шин столбцов. Дополнительный ключ 27 из выходов подключен к шине 6 нулевого потенциала, другим - к дополнительному выходу де1пифратора 3 столбцов. Управл ющий вход ключа 27  вл етс  управл ющим входом 13 устройства. Шины 28 строк подключены к соответствующим выходам дешифратора 2 строк, а шины 29 столбцов - к выходам деи1ифратора столбцов 3. Между ц инами строк и столбцов имеютс  паразитные емкости 30 св зи. Шипы столбцов также подключены к входам 31 формировател  сигналов считывани  на элементе ИЛ И-НЕ 32, выход 33 которого служит информационным выходом устройства.
Устройство работает следующим образом. В промежуток времени, когда на управл ющих входах 13 действует высокий потенциал , а на входах 7-9 - низкий, происходит предварительный зар д выходов адресных усилителей через т|)анзисторы 10, щии 28 строк - через транзисторы 15 дешифратора 2 строк и емкостей 30 св зи -- через транзисторы 15 депшфратора 2 и ключ 27. После поступлени  кода адреса на затворы
ключевых транзисторов 12 адресных усилителей устанавливаетс  высокий потенциал на )правл ющем входе 7, отпираютс  соответствующие ключи 5, истоки которых соединены с 6 нулевого потенциала, и разр жаютс  соответствующие выходы адресных усилителей 1. Одновременно с началом работы адресных усилителей 1 прекращаетс  предзар д шин 28 строк накопител  (заканчиваетс  импульс иа (ходс 13 дешифратора 2) емкостей 30 св зи. Сигнал с управл ющего входа 7 поступает также па вход инвертора, вы11о;1ненно1 о на транзисто)ах 18 и 19, и да.1ее на вход э.лемепта ИЛИ- на транзисторах 2(- 22, на другой вход элемента ИЛИ подаетс  с управл ющего
входа 9.
Таким образом, элемент ИЛИ формирует имнульс, начало которого совпадает с началом сигнала на входе 7, а конец - с нача ..к)м сигнала на входе 9 устройства. Bi iходной усилите.. формировател  17, выполненный на транзисторах 23--26, усиливает импульс, сформи к:)ваимый элементом ИЛИ. С выхода формировател  Г/ этот импульс подаетс  на :,атворы 16 тра))зисторов 15 предзар да столбцов, строки которых подключены к источнику 1 1 посто п1юго питани . Высокий потенциал на управл ющем входе 8 вызывает отп;1рание соответствуюпхего ключа 5 и разр д певыбранных Н1ин стрсж накопител  в соотвегствии с кодом на затворах ключевых транзисторов 4 дешифратора 2.
Ио началу сигнала на управл ющем входе 9 прекращаетс  предзар д шип 29 столбцов (заканчиваетс  имггу.пьс на выходе 16 формировател  17) и начинаетс  р зр д певыбранных щин столбцов через дешифратор 3 столбцов и разр д (или неразр д - в зависимости от информации, хран ющейс  в выбранной  чейке na.MJти) выбранной цины
столбца накопител  чгрез выбранную  чейку пам ти и транзистор 5 накопител  4.
Кажда  из шин столбцов подключена к соответствующему входу 31 элемента ИЛИНЕ 32. Псккольку все невыбрапные шины столбцов разр жаютс , состо ние выхода 33 выходного элемента ИЛИ-НЕ 32 определ етс  состо нием выбранного столбца, т. е. информацией , хран ющсйс  в выбранной  чейке пам ти.

Claims (2)

1. Запоминающее устройство, содержащее накопитель, адресные и разр дные щины которого соединены с выходами дешифраторов строк и столбцов соответственно, адресные входы которых  вл ютс  адресными входами устройства первой и второй группы , формирователь сигналов считывани , выход которого  вл етс  информационным выходом устройства, а входы соединены с разр дными щинами накопител , ключи, одни входы которых соединены с щиной нулевого потенциала, другие - с соответствующими выходами дешифраторов строк и столбцов и накопител , а управл ющие входы ключей  вл ютс  управл ющими входами устройства, отличающеес  тем, что, с целью повышени  его быстродействи , оно содержит формирователь управл ющих сигналов
И дополнительный ключ, причем выход формировател  управл ющих сигналов соединен с управл ющими входами дешифратора столбцов, а управл ющие входы  вл ютс  соответствующими управл ющими входами устройства, информационный вход и выход дополнительного ключа соединены с выходом дешифратора столбцов и шиной нулевого потенциала соответственно, а управл ющий вход  вл етс  дополнительным управл ющим входом устройства.
2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что формирователь управл ющих сигналов содержит инвертор, элемент ИЛИ и усилитель , выход которого  вл етс  выходом формировател , а вход соединен с выходом элемента ИЛИ, один из входов которого соединен с выходом инвертора, вход которого и другой вход элемента ИЛИ  вл ютс  управл ющими входами формировател .
SU853876873A 1985-04-02 1985-04-02 Запоминающее устройство SU1269209A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853876873A SU1269209A1 (ru) 1985-04-02 1985-04-02 Запоминающее устройство

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU853876873A SU1269209A1 (ru) 1985-04-02 1985-04-02 Запоминающее устройство

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1269209A1 true SU1269209A1 (ru) 1986-11-07

Family

ID=21170473

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU853876873A SU1269209A1 (ru) 1985-04-02 1985-04-02 Запоминающее устройство

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1269209A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 788176, кл. СПС 11/40, 1979. Авторское свидетельство СССР № 987679, кл. G И С 11/40, 1981. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0061289B1 (en) Dynamic type semiconductor monolithic memory
WO2000026920A1 (fr) Dispositif de circuit integre semi-conducteur
KR900002666B1 (ko) 반도체 기억회로
KR930001226A (ko) 고속 센싱 동작을 수행하는 센스 앰프
US3962686A (en) Memory circuit
JP2593894B2 (ja) 半導体記憶装置
US4133049A (en) Memory circuit arrangement utilizing one-transistor-per-bit memory cells
US5003542A (en) Semiconductor memory device having error correcting circuit and method for correcting error
KR860003604A (ko) 반도체 메모리 장치
US5805515A (en) Semiconductor memory device for high speed operation
JPS649680B2 (ru)
US4054865A (en) Sense latch circuit for a bisectional memory array
EP0144223B1 (en) Semiconductor memory device
SU1269209A1 (ru) Запоминающее устройство
JPH09139075A (ja) Dramアレイ
JPS62222489A (ja) 半導体記憶装置
US5657275A (en) Semiconductor memory device including sense amplifier for high-speed write operation
KR930018584A (ko) 워드선(Word line)구동회로와 이를 이용한 반도체 기억장치
JPS59223994A (ja) ダイナミツク型ram
US4620298A (en) High-speed output circuit
SU421045A1 (ru) Запоминающее устройство на мдп-транзисторах
JPS6021439B2 (ja) センスアンプ
JP2835079B2 (ja) 半導体記憶装置の制御方法
JP2907481B2 (ja) 半導体記憶装置
KR970071791A (ko) 강유전체 불휘발성 반도체 메모리 장치