SU1249594A1 - Storage - Google Patents
Storage Download PDFInfo
- Publication number
- SU1249594A1 SU1249594A1 SU853864488A SU3864488A SU1249594A1 SU 1249594 A1 SU1249594 A1 SU 1249594A1 SU 853864488 A SU853864488 A SU 853864488A SU 3864488 A SU3864488 A SU 3864488A SU 1249594 A1 SU1249594 A1 SU 1249594A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- output
- input
- register
- multiplexer
- block
- Prior art date
Links
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
, Изобретение относитс к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств повышенной надежности. Цель изобретени - повышение быстродействи устройства. Устройство со;держит блоки пам ти, служащие дл хранени данных и начальных адресов страниц, блок управлени , сумматор дл преобразовани адреса, счетчик, формирующий адреса регенерации, дешифратор , регистры, мультиплексоры, блок кодировани , блок контрол . В устройстве осуществл етс исправление одиночной ошибки и обнаружение двойной ошибки. Синхронный режим управлени обеспечивает высокое быстродействие, т.к. при этом исключаетс запас времени, необходимый дл перекрыти разброса параметров , присущего асинхроиным схемам. ,4 ил, 2 табл.The invention relates to computing and can be used in the construction of storage devices of increased reliability. The purpose of the invention is to increase the speed of the device. The device contains memory blocks for storing data and initial page addresses, a control unit, an adder for address translation, a counter that generates regeneration addresses, a decoder, registers, multiplexers, a coding unit, a control unit. The device corrects a single error and detects a double error. Synchronous control mode provides high speed, because this eliminates the time needed to cover the variation of the parameters inherent in asynchronous circuits. , 4 silt, 2 tab.
Description
I 1I 1
Изобретение относитс к вычисли- - тельной технике и может быть испольN .The invention relates to computing technology and can be usedN.
зовано в запоминающих устройствах.Called in storage devices.
Цель изобретени - повышение быстродействи устройства.The purpose of the invention is to increase the speed of the device.
На фиг. 1 изображена структурна схема запоминающего устройства; на фиг. 2 - схема селектора режимов; на фиг. 3 - схема дешифратора операций; на фиг. 4 - схема дешифратора регистров.FIG. 1 shows a block diagram of a memory device; in fig. 2 - diagram of the mode selector; in fig. 3 - scheme of the decoder operations; in fig. 4 shows a register decoder circuit.
Устройство (фиг. 1) содержит первый блок 1 пам ти, блок 2 управлени , второй блок 3 пам ти, служащий дл хранени начальных адресов страниц , сумматор 4, счетчик 5, дешифратор 6, первый 7, второй 8, третий 9, четвертый 10 и п тый 11 регистры, первьй 12, второй 13, третий 14, четвертый 15, п тый 16 и шестой 17 мультиплексоры, блок 18 кодировани , блок 19 контрол , первый 20 и второй 21 формирователи сигналов.The device (Fig. 1) contains the first memory block 1, the control block 2, the second memory block 3 used to store the initial page addresses, the adder 4, the counter 5, the decoder 6, the first 7, the second 8, the third 9, the fourth 10 and fifth 11 registers, first 12, second 13, third 14, fourth 15, fifth 16 and sixth 17 multiplexers, coding block 18, control block 19, first 20 and second 21 signal conditioners.
Блок 2 управлени состоит из селектора режимов, дешифратора операции и дешифратора регистров.The control unit 2 consists of a mode selector, an operation decoder and a register decoder.
Селектор режимов предназначен дл выбора одного из режимов: обращение, регенераци .The mode selector is designed to select one of the modes: reversal, regeneration.
Селектор режимов (фиг. 2) содержит кварцевый генератор 22 импульсов , триггеры 23 и 24, счетчик 25, элемент И-НЕ 26, элементы И 27-29, регистр 30, одновибратор 31, элемент И-НЕ 32, элемент НЕ 33, регистр 34, элементы И 35, элемент НЕ 36, элемент И 37, элемент НЕ 38 и элемент ИЛИ 39.The mode selector (Fig. 2) contains a crystal oscillator 22 pulses, triggers 23 and 24, counter 25, AND-NO element 26, And 27-29 elements, register 30, one-shot 31, AND-NE element 32, HE element 33, register 34, elements AND 35, the element NOT 36, the element AND 37, the element NOT 38 and the element OR 39.
Дешифратор операций (фиг. 3) содержит элемент И-НЕ 40, элемент ИЛИ 41, элемент И 42, элемент ИЛИ-НЕ 43, элемент И-НЕ 44, элементы НЕ 45-47, элементы И 48 и 49, элементы И-НЕ 50 и 51, элемент И 52 и элемент ИЯИ-НЕ 53.The decoder operations (Fig. 3) contains the element AND-NOT 40, the element OR 41, the element AND 42, the element OR-NOT 43, the element AND-NOT 44, the elements NOT 45-47, the elements AND 48 and 49, the elements AND-NOT 50 and 51, the element And 52 and the element INR-NOT 53.
Дешифратор регистров (фиг. 4) со держит элемент ИЛИ 54, элемент И-НЕ 55, дешифратор 56, элемент НЕ 57, элементы ИЛИ 58 и 59, элемент И-НЕ 60 и элемент НЕ 61.The decoder registers (Fig. 4) contains the element OR 54, the element AND-NOT 55, the decoder 56, the element NOT 57, the elements OR 58 and 59, the element AND-NOT 60 and the element NOT 61.
Запоминающее устройство работает следующим образом.The storage device operates as follows.
На входы устройства поступают управл ющие сигналы Запрос, Запись , Операци , Байт и 17 разр дов адреса. На выходах блока 2 выбираетс один из режимов: обраще- к пам ти, обращение к регистрам, регенераци .The device inputs the control signals Request, Write, Operation, Byte and 17 bits of the address. At the outputs of block 2, one of the modes is selected: access to memory, access to registers, regeneration.
10ten
f5f5
249594 2249594 2
Назначение управл ющих Appointment of managers
и вьтолн емые операции описаны вand executable operations are described in
табл. 1 ,tab. one ,
Пример использовани логических адресов описан в табл. 2.An example of the use of logical addresses is described in Table. 2
Семнадцатиразр дный логический адрес, прин тый на входе устройства, - преобразуетс в 21-разр дный физичес кий адрес следующим образом.The seventeen-bit logical address received at the input of the device is converted to a 21-bit physical address as follows.
В блок 3 предварительно записываютс начальные адреса страниц пам ти .In block 3, the starting addresses of the memory pages are pre-recorded.
.При обращении к пам ти п ть старших разр дов логического адреса передаютс через мультиплексор Л 7 и используютс дл выбора одного из регистров блока 3. Из этого регистра- считываетс начальный адрес страницы пам ти. Младшие 12 разр дов логического , адреса используютс дл определени смещени внутри страницы .When accessing the memory, the five most significant bits of the logical address are transmitted through multiplexer L 7 and are used to select one of the registers of block 3. From this register, the starting address of the memory page is read. The lower 12 bits of the logical address are used to determine the offset within the page.
Физический адрес формируетс на сумматоре 4 сложением начального 25 адреса и смещени и запоминаетс на регистре 11 . Старшие 5 разр дов фи зического адреса и управл юпще сигналы запоминаютс на регистре 8. .Старшие разр ды адреса служат дл выбора модул пам ти блока 1 на дешифраторе 6 и выбора линейки микросхем внутри модул . The physical address is formed on the adder 4 by adding the initial 25 address and offset and is stored in register 11. The upper 5 bits of the physical address and the control signals are stored in register 8. The upper bits of the address are used to select the memory module of block 1 on the decoder 6 and to select the chip family inside the module.
Младшие семнадцать разр дов мультиплексируютс на блоке 15, который формирует две посыпки: адрес строки и адрес столбца.The lower seventeen bits are multiplexed on block 15, which forms two dressings: the row address and the column address.
При операции Запись в пам ть данные запоминаютс на регистре 9 и передаютс через мультиплексор 14.In the Write to Memory operation, the data is stored in register 9 and transmitted through multiplexer 14.
Блок 18 формирует контрольные разр ды по коду Хэмминга.Block 18 generates check bits for the Hamming code.
Блок 2 формирует строб адреса строки, строб адреса столбца, разрешение записи, сигнал Ответ, который выдаетс на выход устройст30Block 2 generates a row address strobe, a column address strobe, write resolution, a Response signal that is output to the device.
3535
4040
4545
5050
ва.va.
При операции Чтение пам ти адрес и управл ющие сигналы дл блока пам ти формируютс также, как при записи.During the Read Memory operation, the address and control signals for the memory block are generated in the same way as when writing.
Информаци считываетс из блока 1 пам ти и фиксируетс на регистре 7 и в блоке 19.The information is read from memory block 1 and fixed to register 7 and in block 19.
Блок I9 контрол провер ет пра- вильность считанного кода. При отсутствии ошибки данные с регистра 7 через коммутатор 12 поступают на выходы устройства.The control unit I9 checks the correctness of the read code. In the absence of an error, the data from register 7 through the switch 12 arrive at the outputs of the device.
Блок 2 формирует строб адреса строки, строб адреса столбца, разрешение записи, сигнал Ответ, который выдаетс на выход устройстBlock 2 generates a row address strobe, a column address strobe, write resolution, a Response signal that is output to the device.
ва.va.
При операции Чтение пам ти адрес и управл ющие сигналы дл блока пам ти формируютс также, как при записи.During the Read Memory operation, the address and control signals for the memory block are generated in the same way as when writing.
Информаци считываетс из блока 1 пам ти и фиксируетс на регистре 7 и в блоке 19.The information is read from memory block 1 and fixed to register 7 and in block 19.
Блок I9 контрол провер ет пра- вильность считанного кода. При отсутствии ошибки данные с регистра 7 через коммутатор 12 поступают на выходы устройства.The control unit I9 checks the correctness of the read code. In the absence of an error, the data from register 7 through the switch 12 arrive at the outputs of the device.
33
При одиночной ошибке сигнал Одиночна ошибка выдаетс в блок 2 управлени на элемент И 60, который формирует сигнал Разрешение коррекции , который включает в ыходы блока 19. Элемент НЕ 61 блока 2 выключает выходы регистра 7. Cкoppeкtиpoвaн- ные данные с выхода блока 19 через коммутатор 12 поступают на выходы устройства.In the case of a single error, a single error signal is output to control unit 2 on element 60, which generates a correction enable signal, which includes the output of block 19. The NOT element of 61 block 2 turns off the outputs of register 7. Scattered data from the output of block 19 through switch 12 arrive at the outputs of the device.
При двойной ошибке в блоке 19 формируетс сигнал Двойна ошибка и выдаетс на выход устройства.When a double error occurs in block 19, a double error signal is generated and output to the device.
При операции Запись байта выполн етс чтение слова по заданному адресу, затем с регистра 9 принимаетс один байт данных на коммутатор 14, ас регистра 7 - другой байтDuring the operation Write byte, the word is read at the specified address, then from register 9 one data byte is received to switch 14, register 7 is used by another
Блок 18 формирует контрольные разр ды. Таким образом, данные и контрольные разр ды поступают в блок 1 пам ти. При этом вьтолн етс за- пись одного байта и регенераци другого. Запрос регенерации формируетс в блоке 2 с помощью счетчика 25, триггера 24 и элемента И 26.Block 18 generates check bits. Thus, the data and check bits come into memory block 1. This completes the recording of one byte and the regeneration of another. The request for regeneration is generated in block 2 by means of a counter 25, a trigger 24, and an AND element 26.
Признак режима регенерации в блоке 2 формируетс с помощью элемента И 27 на третьем триггере регистра 30, после чего взводитс первьй триг гер регистра 30 и запускаетс одно- вибратор 31, которьй формирует строб адреса регенерации. Текущий адрес регенерации формируетс на счётчике 5 и передаетс через мультиплексор 15 в блок 1 пам ти.The sign of the regeneration mode in block 2 is formed with the help of element 27 on the third trigger of register 30, after which the first trigger of register 30 is cocked and a single vibrator 31 is started, which forms the gate of the regeneration address. The current regeneration address is generated on the counter 5 and transmitted through the multiplexer 15 to the memory unit 1.
Наращивание адреса регенерации вьтоли етс по заднему фронту строба адреса регенерации. Регистр 10 обеспечивает вьтолнение диагностических операций. Нулевой разр д регистра 10 отмен ет коррекцию одиночных ошибок с целью обеспечени тесто вого контрол информационных разр дов блока 1.The regeneration address increment is raised along the falling edge of the regeneration address strobe. Register 10 provides for the execution of diagnostic operations. Zero bit of register 10 cancels the correction of single errors in order to ensure the test control of the data bits of block 1.
Первый разр д регистра 10 отмен ет формирование правильных контрольных разр дов и разрешает запись произвольно заданных контрольных разр дов из регистра 10 в блок 1 с цельюThe first bit of register 10 cancels the formation of correct check bits and allows the writing of arbitrarily specified check bits from register 10 to block 1 for the purpose of
5five
10ten
1515
2020
495944495944
обеспечени тестового контрол контрольных разр дов блока 1, а также имитации ошибок и проверки блока 19.providing test control check bits of block 1, as well as simulating errors and checking block 19.
Разр ды 2-7 регистра 10 служат дл приема контрольных разр дов, считанных из пам ти, или старших разр дов адреса при двойной ошибке, с целью локализации обнаруженной неисправности , а также дл приема произвольных контрольных разр дов с информационного входа устройства.Bit 2-7 register 10 serves to receive the check bits read from the memory, or the upper bits of the address in case of double error, in order to localize the detected fault, as well as to receive arbitrary check bits from the information input of the device.
Мультиплексор 13 передает адрес или данные на регистр 10 (в зависи- мости от кода первого разр да регист ра 10). Формирователь 21 вьшолн ет передачу произвольных контрольных разр дов с регистра 10 в блок 1. При операции обращени к регистрам на шестом триггере регистра 30 блока 2 формируетс признак режима обращени к регистрам. Дешифратор адреса 56 вьтолн ет выбор регистра.The multiplexer 13 transmits the address or data to the register 10 (depending on the code of the first bit of the register 10). The shaper 21 performs the transfer of arbitrary test bits from register 10 to block 1. During the operation of accessing registers, the sixth trigger of register 30 of block 2 forms a sign of the mode of addressing registers. Address decoder 56 enables the selection of a register.
При чтении из регистра 11 его дан ные поступают на выход устройства. Регистр 11 служит дл тестового контрол формировани физического адреса . При чтении из регистра 10 его данные поступают на выход устройства через мультиплексор 12. При обращении к блоку 3 пам ти мультиплексор 17 передает младшие п ть разр дов адреса на входы блока 3. При операции запись с элементов ИЛИ 58 и 59 блока 2 поступают сигналы записи соответственно в младшее или старшее слово блока 3, ас формировател 20 поступают данные.When reading from register 11, its data arrive at the output of the device. Register 11 is used to test control the formation of a physical address. When reading from register 10, its data is sent to the output of the device through multiplexer 12. When accessing memory block 3, multiplexer 17 transmits the lower five bits of the address to the inputs of block 3. During an operation, the write signals are received from the OR 58 and 59 elements of block 2 respectively, in the low or high word of block 3, the ac shaper 20 receives data.
При операции чтени данные с выхода блока 3 поступают через мультиплексор 16 на выход устройства. Муль типлексор 16 выполн ет вьщачу младшего или старшего ( в зависимости от младшего разр да адреса) слова, считанного из блока 3 на выход устройства .During a read operation, data from the output of block 3 is fed through multiplexer 16 to the output of the device. The multiplexer 16 performs a lower or higher (depending on the lower bit of the address) word read from block 3 to the output of the device.
2525
00
5five
00
5five
При чтении регистров один из блоков 11, 16 и 12 (в зависимости от выбранного регистра) выводитс из третьего состо ни .When reading registers, one of blocks 11, 16 and 12 (depending on the selected register) is derived from the third state.
Т а б л и ц а 1Table 1
АдресаAddresses
0-367777 370000-3700770-367777 370000-370077
370100, 370101 370102370100, 370101 370102
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853864488A SU1249594A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Storage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU853864488A SU1249594A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Storage |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1249594A1 true SU1249594A1 (en) | 1986-08-07 |
Family
ID=21166004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU853864488A SU1249594A1 (en) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | Storage |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1249594A1 (en) |
-
1985
- 1985-01-18 SU SU853864488A patent/SU1249594A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент JP 55-51279, кл. 97(7)с, 1980. Авторское свидетельство СССР 1120412, кл. G 11 С 29/00, 1983. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR880008324A (en) | Dual Port Semiconductor Memory Device | |
SU1249594A1 (en) | Storage | |
SU1073798A1 (en) | Device for correcting errors in memory units | |
SU1215137A1 (en) | Storage with information correction | |
SU1587600A2 (en) | Dynamic memory with error corrections | |
SU824319A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1075312A1 (en) | Storage with error correction | |
SU1026163A1 (en) | Information writing/readout control device | |
SU936035A1 (en) | Redundancy storage | |
SU1615803A1 (en) | On-line memory | |
SU1302321A1 (en) | Sequential buffer storage with self-checking | |
SU1203364A1 (en) | On-line storage with data correction | |
SU1020863A1 (en) | Control device or domain storage | |
SU1273999A1 (en) | Bubble storage | |
RU1837364C (en) | Self-correcting random access memory | |
SU1339654A1 (en) | Device for checking magnetic memory integrated circuits | |
SU618799A1 (en) | Self-checking storage | |
SU1524094A1 (en) | Buffer storage | |
SU1019492A1 (en) | Buffer storage with self check | |
SU1265860A1 (en) | Storage with self-check | |
SU1536443A1 (en) | Device for substitution of information in read-only memory | |
SU1580378A1 (en) | Device for interfacing external device with trunk | |
SU1439685A1 (en) | Self-check storage | |
SU1183979A1 (en) | Device for gathering information on processor operation | |
SU1367042A1 (en) | Read-only memory |