SU1159905A1 - Травильный раствор - Google Patents

Травильный раствор Download PDF

Info

Publication number
SU1159905A1
SU1159905A1 SU843728601A SU3728601A SU1159905A1 SU 1159905 A1 SU1159905 A1 SU 1159905A1 SU 843728601 A SU843728601 A SU 843728601A SU 3728601 A SU3728601 A SU 3728601A SU 1159905 A1 SU1159905 A1 SU 1159905A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
etching solution
glass
solution
yield
products
Prior art date
Application number
SU843728601A
Other languages
English (en)
Inventor
Елена Серафимовна Левшина
Евгений Нилович Пятышев
Людмила Васильевна Черненькая
Original Assignee
Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина filed Critical Ленинградский Ордена Ленина Политехнический Институт Им.М.И.Калинина
Priority to SU843728601A priority Critical patent/SU1159905A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1159905A1 publication Critical patent/SU1159905A1/ru

Links

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

ТРАВИЛЬНЫЙ РАСТВОР, включающий HF, HiS04., HCI, Htp, отличающийс  тем, что, с целью повышени  выхода годных изделий и сокращени  времени травлени , он дополнительно содержит HNO} при следующем соотношении компонентов, мас.%: HP20-40. H SO 1-10 нее3-15 НЖ),10-40 Hj,0Остальное

Description

СП
х ;о
Изобретение относитс  к технологии стекла, а именно к способам обработки поверхности стекла и може быть использовано в приборостроении радиотехнической, электронной и оптико-механической промышленности, где требуетс  точное избирательное травление поверхности стекла.
Цель изобретени  - повьпаение выхода годных изделий и сокращение времени травлени .
Обрабатывают пластины полированного стекла размером мм. На лицевую поверхность пластин методем вакуумного напылени  в установке УРМ-3 нанос т хром в течение 30-40 мин. Затем покрывают слоем фоторезиста и сущат на центрифуге. Дл  закреплени  фоторёзиста пластины подвергают температурному дублению в термостате при t в течение 15 мин. На поверхность накладывают фотошаблон с требуемым рисунком. Изображение экспонируют от источника актиничного излучени  в течение 2-3 мин. Затем фотошаблон поворачивают на 180 и экспонируют повтоно , что позвол ет устранить необлученные участки на поверхности пластины, возникающие из-за микродефектов в структуре фотошаблона.
Затем с облученных участков снимают фоторезист в про вителе при нагревании , промьшают дистиллированной водой. С незащищенных участков трав т хром в травителе хрома, промывают слабым раствором НС1 (чтобы не образовалс  белый осадок) и дистиллированной водой. В результате получают изображение на пластине ,
Дл  получени  рельефа предварительно поверхность пластины обезжиривают раствором .Oy в HiS04. Это повьшает чистоту вытравливаемой поверхности и тем самым уменьшает возможность образовани  непротравленных участков на поверхности рельефа. Затем стекло трав т в предлагаемом травильном растворе.
Результаты приведены в таблице.
С использованием предлагаемого раствора в пластинах получены углублени  10, 20, 40,60 мкм площадью 66 X28 мм. Поверхность рельефа провер ют с помощью оптического микроскопа. Непротравленных участков, а также выступов более 1 мкм на поверхности рельефа не обнаружено. Следовательно, чистота поверхности удовлетвор ет щ едъ вл емым требовани м.

Claims (1)

  1. ТРАВИЛЬНЫЙ РАСТВОР, включающий HF, HjlSOi., HCI, Ht0, о т л и чающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий и сокращения времени травления, он дополнительно содержит HNO} при следующем соотношении компонентов, мас.%:
    НЕ20-40
    HjSO»-1-Ю
    HCl3-15
    НМО,10-40 (Hj.0 Остальное >
SU843728601A 1984-01-26 1984-01-26 Травильный раствор SU1159905A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843728601A SU1159905A1 (ru) 1984-01-26 1984-01-26 Травильный раствор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843728601A SU1159905A1 (ru) 1984-01-26 1984-01-26 Травильный раствор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1159905A1 true SU1159905A1 (ru) 1985-06-07

Family

ID=21114376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843728601A SU1159905A1 (ru) 1984-01-26 1984-01-26 Травильный раствор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1159905A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2611772C1 (ru) * 2016-02-29 2017-03-01 Юлия Алексеевна Щепочкина Травильный раствор для обработки стекла.

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР № 300433, кл. С 03 С 15/00, 1969. Патент JP № 51-22490, кл: 21 В 33, опублшс. 1976. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2611772C1 (ru) * 2016-02-29 2017-03-01 Юлия Алексеевна Щепочкина Травильный раствор для обработки стекла.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4080246A (en) Novel etching composition and method for using same
EP0397988A3 (en) Plasma processing with metal mask integration
KR870010218A (ko) 포토 엣칭법에 의한 금속박판의 가공방법
CA2014285A1 (en) Device fabrication and resulting devices
SU1159905A1 (ru) Травильный раствор
ES465428A1 (es) Procedimiento para el ataque quimico de precision de un ma- terial fotosensible.
JPS57190912A (en) Production of color filter
JPS5630129A (en) Manufacture of photomask
JPS5483846A (en) Diffusing plate
JPS5672445A (en) Production of photomask
US2389504A (en) Process of making reticles or the like
JPS5461931A (en) Forming method of photo resist patterns
JPS5492527A (en) Manufacture of metal foil having apertures
ATE2980T1 (de) Verfahren zur uebertragung eines musters auf eine halbleiterscheibe.
FR2637428A1 (fr) Electrode interdigitee pour dispositif a ondes de surface et procede pour sa production
US3356500A (en) Production of infrared detector patterns
JPS5640823A (en) Forming method of negative type photoresist pattern
JPS5618429A (en) Minute electrode formation
JPS56114323A (en) Method for electron beam lighography
RU1398641C (ru) Способ получения контактной маски на прозрачной подложке
JPS5448485A (en) Photo etching method
SU911749A1 (ru) Способ формировани изображени
JPS5588057A (en) Production of photo mask
JPS57104106A (en) Production of optical circuit
JPS576848A (en) Photomask and its preparation