SU1114878A1 - Полупроводниковый тензорезистор - Google Patents
Полупроводниковый тензорезистор Download PDFInfo
- Publication number
- SU1114878A1 SU1114878A1 SU833606391A SU3606391A SU1114878A1 SU 1114878 A1 SU1114878 A1 SU 1114878A1 SU 833606391 A SU833606391 A SU 833606391A SU 3606391 A SU3606391 A SU 3606391A SU 1114878 A1 SU1114878 A1 SU 1114878A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- strip
- concentration
- strain gauge
- semiconductor
- areas
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР , содержащий резистнвную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл данного материала, И металлические токовыводы , закрепленные на концах полоски, отличающийс тем, что, с целью педаышени точности измерени , резистивна полоска выполнена с област ми предельной концентрации носителей в зонах размещени токовыводов по всей толщине.
Description
Изобретение относитс к измерительной технике, а именно к полупроводниковым тензорезисторам , и может быть Использовано при создании полупроводниковых датчиков механических параметров.
Известен полупроводниковый тензорезнстор , содержащий основную и дополнительную резистивные полоски из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл данного материала, несколько металлических токовыводов, закрепленных на различных участках полосок, и металлические перемычки, соедин ющие токовыводы между собой 1J.
Однако такой полупроводниковый тензорезистор характеризуетс ограниченной температурной и временной стабильностью, сопротикленп , так как сопротивление перехода полуироводинк - металл определ етс неоднородностью получаемого при этом потенциального пол , а последнее существенно мен етс от температуры и от длительности временного интервала эксплуатации тензор езистора.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату вл етс полупроводниковый тензорезистор , содержащий резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски (2).
Известный тензорезистор небтабилен во времени и от действи температуры, так как он имеет две области неоднородного потенциального пол на концах полоски .
Цель изобретени - попышение точности измерени .
Указанна цель достигаетс тем, что в полупроводниковом тензорезисторе, содержащем резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией
основных носителей, отличной от предельной концентрации дл данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные .на концах полоски, резистивна полоска выполнена с област ми предельной концентрации носителей в зонах размещени токовыводов по всей толщине.
Полупроводниковый тензорезистор содержит резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, равной предельной дл данного материала, на концах полоски и отличной от предельной в средней части полоски , а также металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски в област х предельной концентрации носителей. Области предельной концентрации носителей распростран ютс на всю толщину полоски и занимают всю площадь под токовыБодами .
Полупроводниковый тензорезистор работает следующим образом.
При включении теизорезистора в измерительную схему и подаче на него напр жени питани изменение сопротивлени тензорезистора определ етс его деформацией . В то же врем наличие областей предельной концентрации носителей в зоне контакта с металлическими токовыводами обуславливает низкую температурную чувствительность этого участка резистора и высокую временную стабильность его сопротивлени . Переход же от области предельной концентрации носите.1ей к области более низком концентриции внутри самой полоски не вызыва-, ет такого существенного разброса сопротивлени во времени, как переход от полупроводника к мeтaлv y.
Таким образом, предлагаемый полупроводниковый тензорезистор с переменной концентрацией носителей по длине полоски обеспечивает более высокую точность измерени путем повышени стабильности его сопротивлени во времени и от действи температуры.
Claims (1)
- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, содержащий резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.I
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833606391A SU1114878A1 (ru) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | Полупроводниковый тензорезистор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU833606391A SU1114878A1 (ru) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | Полупроводниковый тензорезистор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1114878A1 true SU1114878A1 (ru) | 1984-09-23 |
Family
ID=21068804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU833606391A SU1114878A1 (ru) | 1983-04-06 | 1983-04-06 | Полупроводниковый тензорезистор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1114878A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995007454A1 (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-16 | Alfred Ernst | Electrical resistance hardness tester for metallic materials |
-
1983
- 1983-04-06 SU SU833606391A patent/SU1114878A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
I. Авторское свидетельство СССР № 691682, кл. G 01 В 7/18, 1978. 2. Авторское свидетельство СССР № 1002825, кл. G 01 В 7/t8, 1981 (прототип). * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995007454A1 (en) * | 1993-09-10 | 1995-03-16 | Alfred Ernst | Electrical resistance hardness tester for metallic materials |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900019223A (ko) | 전류 검출 기능 부착 트랜지스터 | |
ES2008394A6 (es) | Sensor de corriente para determinar el valor de una corriente de carga. | |
DE59209626D1 (de) | Verfahren zur Bestimmung einer Messgrösse | |
SU1114878A1 (ru) | Полупроводниковый тензорезистор | |
JPS57144402A (en) | Sensor for detecting abrasion loss of brake lining | |
DE69018471D1 (de) | Selbsttragender dünnschichtsensor, verfahren zu seiner herstellung und anwendung in der gasdetektion und gaschromatographie. | |
DE3775165D1 (de) | Stromsensor und verfahren zum erfassen des stromflusses in auszuwertenden leitern. | |
US2334843A (en) | Strain gauge with thermal current control | |
SE8403843L (sv) | Anordning vid temperaturavkennare | |
JPS5693038A (en) | Semiconductor gas sensor | |
JPS55155253A (en) | Output compensation circuit for bridge type measuring apparatus | |
US2517628A (en) | Temperature responsive device | |
JPS5619209A (en) | Wave detecting circuit | |
ES2047927T3 (es) | Circuito electronico. | |
GB1518594A (en) | Temperature-measuring apparatus | |
JPS57103027A (en) | Semiconductor transducer | |
JPS5756744A (en) | Hygrometer | |
JPS593319A (ja) | 液位検知器 | |
JPS5648531A (en) | Semiconductor pressure sensor | |
JPS5547432A (en) | Lengthwise elongation measuring system | |
JPS55122162A (en) | Device for measuring velocity of wind | |
JPS5752837A (en) | Vacuum degree measuring instrument | |
SU130693A1 (ru) | Устройство дл измерени температуры контактной площадки электрического контакта при протекании через него тока | |
GB835817A (en) | Resistance unit for use in a clinical thermometer | |
JPS57182133A (en) | Temperature measuring circuit by temperature measuring resistor |