SU1114878A1 - Полупроводниковый тензорезистор - Google Patents

Полупроводниковый тензорезистор Download PDF

Info

Publication number
SU1114878A1
SU1114878A1 SU833606391A SU3606391A SU1114878A1 SU 1114878 A1 SU1114878 A1 SU 1114878A1 SU 833606391 A SU833606391 A SU 833606391A SU 3606391 A SU3606391 A SU 3606391A SU 1114878 A1 SU1114878 A1 SU 1114878A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
strip
concentration
strain gauge
semiconductor
areas
Prior art date
Application number
SU833606391A
Other languages
English (en)
Inventor
Владислав Викторович Ульянов
Юрий Аркадьевич Зеленцов
Сергей Алексеевич Козин
Константин Иванович Афанасьев
Original Assignee
Предприятие П/Я А-1891
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-1891 filed Critical Предприятие П/Я А-1891
Priority to SU833606391A priority Critical patent/SU1114878A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1114878A1 publication Critical patent/SU1114878A1/ru

Links

Landscapes

  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)

Abstract

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР , содержащий резистнвную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл  данного материала, И металлические токовыводы , закрепленные на концах полоски, отличающийс  тем, что, с целью педаышени  точности измерени , резистивна  полоска выполнена с област ми предельной концентрации носителей в зонах размещени  токовыводов по всей толщине.

Description

Изобретение относитс  к измерительной технике, а именно к полупроводниковым тензорезисторам , и может быть Использовано при создании полупроводниковых датчиков механических параметров.
Известен полупроводниковый тензорезнстор , содержащий основную и дополнительную резистивные полоски из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл  данного материала, несколько металлических токовыводов, закрепленных на различных участках полосок, и металлические перемычки, соедин ющие токовыводы между собой 1J.
Однако такой полупроводниковый тензорезистор характеризуетс  ограниченной температурной и временной стабильностью, сопротикленп , так как сопротивление перехода полуироводинк - металл определ етс  неоднородностью получаемого при этом потенциального пол , а последнее существенно мен етс  от температуры и от длительности временного интервала эксплуатации тензор езистора.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату  вл етс  полупроводниковый тензорезистор , содержащий резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации дл  данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски (2).
Известный тензорезистор небтабилен во времени и от действи  температуры, так как он имеет две области неоднородного потенциального пол  на концах полоски .
Цель изобретени  - попышение точности измерени .
Указанна  цель достигаетс  тем, что в полупроводниковом тензорезисторе, содержащем резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией
основных носителей, отличной от предельной концентрации дл  данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные .на концах полоски, резистивна  полоска выполнена с област ми предельной концентрации носителей в зонах размещени  токовыводов по всей толщине.
Полупроводниковый тензорезистор содержит резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, равной предельной дл  данного материала, на концах полоски и отличной от предельной в средней части полоски , а также металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски в област х предельной концентрации носителей. Области предельной концентрации носителей распростран ютс  на всю толщину полоски и занимают всю площадь под токовыБодами .
Полупроводниковый тензорезистор работает следующим образом.
При включении теизорезистора в измерительную схему и подаче на него напр жени  питани  изменение сопротивлени  тензорезистора определ етс  его деформацией . В то же врем  наличие областей предельной концентрации носителей в зоне контакта с металлическими токовыводами обуславливает низкую температурную чувствительность этого участка резистора и высокую временную стабильность его сопротивлени . Переход же от области предельной концентрации носите.1ей к области более низком концентриции внутри самой полоски не вызыва-, ет такого существенного разброса сопротивлени  во времени, как переход от полупроводника к мeтaлv y.
Таким образом, предлагаемый полупроводниковый тензорезистор с переменной концентрацией носителей по длине полоски обеспечивает более высокую точность измерени  путем повышени  стабильности его сопротивлени  во времени и от действи  температуры.

Claims (1)

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕНЗОРЕЗИСТОР, содержащий резистивную полоску из полупроводникового материала с концентрацией основных носителей, отличной от предельной концентрации для данного материала, и металлические токовыводы, закрепленные на концах полоски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, резистивная полоска выполнена с областями предельной концентрации носителей в зонах размещения токовыводов по всей толщине.
    I
SU833606391A 1983-04-06 1983-04-06 Полупроводниковый тензорезистор SU1114878A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833606391A SU1114878A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Полупроводниковый тензорезистор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU833606391A SU1114878A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Полупроводниковый тензорезистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1114878A1 true SU1114878A1 (ru) 1984-09-23

Family

ID=21068804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU833606391A SU1114878A1 (ru) 1983-04-06 1983-04-06 Полупроводниковый тензорезистор

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1114878A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995007454A1 (en) * 1993-09-10 1995-03-16 Alfred Ernst Electrical resistance hardness tester for metallic materials

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I. Авторское свидетельство СССР № 691682, кл. G 01 В 7/18, 1978. 2. Авторское свидетельство СССР № 1002825, кл. G 01 В 7/t8, 1981 (прототип). *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995007454A1 (en) * 1993-09-10 1995-03-16 Alfred Ernst Electrical resistance hardness tester for metallic materials

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900019223A (ko) 전류 검출 기능 부착 트랜지스터
ES2008394A6 (es) Sensor de corriente para determinar el valor de una corriente de carga.
DE59209626D1 (de) Verfahren zur Bestimmung einer Messgrösse
SU1114878A1 (ru) Полупроводниковый тензорезистор
JPS57144402A (en) Sensor for detecting abrasion loss of brake lining
DE69018471D1 (de) Selbsttragender dünnschichtsensor, verfahren zu seiner herstellung und anwendung in der gasdetektion und gaschromatographie.
DE3775165D1 (de) Stromsensor und verfahren zum erfassen des stromflusses in auszuwertenden leitern.
US2334843A (en) Strain gauge with thermal current control
SE8403843L (sv) Anordning vid temperaturavkennare
JPS5693038A (en) Semiconductor gas sensor
JPS55155253A (en) Output compensation circuit for bridge type measuring apparatus
US2517628A (en) Temperature responsive device
JPS5619209A (en) Wave detecting circuit
ES2047927T3 (es) Circuito electronico.
GB1518594A (en) Temperature-measuring apparatus
JPS57103027A (en) Semiconductor transducer
JPS5756744A (en) Hygrometer
JPS593319A (ja) 液位検知器
JPS5648531A (en) Semiconductor pressure sensor
JPS5547432A (en) Lengthwise elongation measuring system
JPS55122162A (en) Device for measuring velocity of wind
JPS5752837A (en) Vacuum degree measuring instrument
SU130693A1 (ru) Устройство дл измерени температуры контактной площадки электрического контакта при протекании через него тока
GB835817A (en) Resistance unit for use in a clinical thermometer
JPS57182133A (en) Temperature measuring circuit by temperature measuring resistor