110 Изобретение относитс к радиотехнике , и может использоватьс в импуль ных усилител х. Известен усилитель мощности, содержащий два последовательно соедивенных через диод транзистора одной структуры, база одного из которых соединена с коллектором другого тран зистора и через резистор смещени с источником питани CU« Однако усилитель имеет сравнитель но малый 1ШД., вследствие рассеивани мощности на резисторе смещени одного транзистора в моменты насыщени другого. Наиболее близким по технической Сущности к предлагаемому вл етс усилитель, мощности, содержащий соеди ненные последовательно по посто нном току входной тразистор, включенный по схеме с общим эмиттером, пр мосме щенный диод, выходной транзистор, включенный по схеме с коллекто ром, база которого соединена с коллектором входного транзистора и через резистор смещени с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последовательно Включены конденсатор и резистор нагрузки. При этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру с 2 2. Однако известный усилитель мощг ности имеет также малый КЦД, так как потери выходного транзистора как по напр жению, так и по мощности в насыщении определ ютс напр жение ; коллектор - эмиттер, которое равно сумме напр жени база - эмиттер выходного транзистора и падению напр жени на резисторе смещени . Дл уменьшени потерь необходимо уменьшить величину резистора смещени , од нако в этом случае возрастает мощность рассеивани на этом резисторе в моменты насыщени входного транзистора ( в нерабочий полупериод дл выходного транзистора ). Цель изобретени - повышение КЦЦ Поставленна цель; достигаетс тем что усилитель мощности, содержащий соединенные последовательно по посто нному току входной транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером , пр мосмещенный диод, выходной транзистор, включенный по схеме с общим коллектором, база которого сое динена с коллектором входного транзистора и через резистор смещени с коллектором выходного транзистора, между эмиттером и коллектором которого последовательно включены конденсатор и резистор нагрузки, при этом входной и выходной транзисторы имеют одну структуру, между точкой соединени конденсатора и резистора нагрузки и базой выходного транзистора введены последовательно соединенные дополнительней резистор и дополнительный транзистор, имеющий другую структуру, включенный по схеме с общей базой. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема усилител мощности.. Усилитель мощности содержит входной транзистор 1, выходной транзистор 2, диод 3, дополнительный транзистор 4, резистор 5 смещени , резистор 6 нагрузки, конденсатор 7, дополнительный резистор 8, источник питани с шинами 9 и to. Усилитель мощности работает следующим образом. В управл кшщй полупериод входного сигнала входной транзистор 1 насыщен и от шины 9 источника питани через резистор 6 нагрузки, конденсатор 7, диод 3 и входной транзистор V протекает ток - происходит зар д конденсатора 7, а на резисторе 6 нагрузки по в4; етс напр жение. Под действием напр жени на резисторе 6 нагрузки и диоде 3 дополнительный и выходной транзисторы 4 и 2 закрыты . В этот момент времени напр жение на резисторе 5 смещени равно напр жению источника питани . В следующий полупериод входного сигнала входной.транзистор 1 закрыт и конденсатор 7 начинает разр жатьс ., через резистор 6 нагрузки, резистор 5 смещени и переход база - эмит-. тер выходного транзистора 2. Под действием тока разр да выходной транзистор 2 начинает открьшатьс и конденсатор 7 дополнительно разр жаетс через выходной транзистор 2 и резистор 6 нагрузки. В результате на резисторе 6 нагрузки по вл етс напр жение обратной пол рности, дополнительный транзистор 4 открываетс и через дополнительный резистор 8, дополнительный транзистор 4 и переход база - эмиттер выходного транзистора 2 также начинает протекать ток
310833404
разр да - выходной транзистор 2 на- транзистора 2). Так как ток через сьщаетс и все напр жение на конден- резистор 5 смещени обеспечивает саторе 7 прикладываетс к резисто- , только начальное отпирание выходного ру 6 нагрузки. Напр жение на ре- транзистора 2, то величина его созисторе 5 смещени в этот момент вре- 5 противлени может быть вз та на помени равно разности напр жени откры- р док больше сопротивлени дополнитого перехода база - эмиттер, а на- тельного резистора 8. пр жение коллектор - эмиттер насыщен- Таким образом, введение в предланого выходного транзистора 2 близко гаемое устройство дополнительного к нулю..10 транзистора 4 и дополнительного реВеличина сопротивлени дополнитель- в выходном транзисторе 2 и значительного резистора 8 выбираетс из уело- но снизить рассеиваемую мощность на ВИЯ обеспечени насыщени выходного резисторе 5 смещени , а также повытранзистора 2 по соотношению 8 R6 15 , сить быстродействие переключени вы (.- коэффициент усилени выходнбго ходкого транзистора 2.
,зистора 8 позволило уменьшить потери