SU1182659A1 - Полупроводниковый ключ - Google Patents

Полупроводниковый ключ Download PDF

Info

Publication number
SU1182659A1
SU1182659A1 SU843730222A SU3730222A SU1182659A1 SU 1182659 A1 SU1182659 A1 SU 1182659A1 SU 843730222 A SU843730222 A SU 843730222A SU 3730222 A SU3730222 A SU 3730222A SU 1182659 A1 SU1182659 A1 SU 1182659A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
transistor
resistor
bus
diode
Prior art date
Application number
SU843730222A
Other languages
English (en)
Inventor
Евгений Владимирович Машуков
Борис Вениаминович Кабелев
Виктор Васильевич Сергеев
Original Assignee
Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.Серго Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.Серго Орджоникидзе filed Critical Московский Ордена Ленина И Ордена Октябрьской Революции Авиационный Институт Им.Серго Орджоникидзе
Priority to SU843730222A priority Critical patent/SU1182659A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1182659A1 publication Critical patent/SU1182659A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ, содержащий составной транзистор, усилитель мощности, первый транзистор, первый и второй диоды, первый резистор и конденсатор, входную шину, первый выход составного транзистора i подключен к первому выводу первого диода и выходной шине, второй выход j соединен с общей шиной, а вход под ключей к выходу усилител  мощности, первый и-второй питающие выводы коIторого соединены соответственно с первой и второй шинами источника питани , а вход подключен к коллектору первого транзистора, змиттер которого соединен с общей шиной и .-первым выводом первого резистора, о тличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД, в него введены второй, третий и четвертый транзисторы , причем тип проводимости второго и четвертого транзисторов противоположен типу проводимости первого транзистора, а тип проводимости третьего транзистора соответствует типу проводимости первого транзистора , третий и четвертый диоды, восемь резисторов, .причем коллектор второго транзистора подключен к первому выводу третьего диода и через второй диод к выходной шине, второй вывод третьего диода соединен с змиттером второго транзистора, первой шиной источника питани  и через второй резистор с базой, второго транзистора и одним выводом третьего ре (П зистора, другой вывод которого подключен к коллектору третьего транзистора , змиттер которого соединен с первым выводом четвертого резистора, второй шиной источника питани  и через п тый резистор с первым выводоМошестого резистора и одним вьшо- дом конденсатора, другой вьгеод которого подключен к первым выводам четвертого диода и седьмого резистора и к базе четвертого транзистора, коллектор которого через восьмой резистор соединен с базой третьего транзистора и вторым выводом четвертого резистора, а эмиттер под- ключен к общей шине и вторым выводам четвертого диода и седьмого резистора , второй вывод шестого резистора соединен с управл ющей шиной и через дев тый резистор с базой первого транзистора и вторым выводом перво; .го резистора, второй вывод первого диода подключен к общей шине.

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в преобразовател х напр жени , в импульсных усилител х и стабилизаторах , в бесконтактной коммутационно-защитной аппаратуре. Цель изобретени  - повьппение КПД полупроводникового ключа за счет уменьшени  рассеиваемой мощности на составном транзисторе при выключении ключа. 1. На чертеже представлена схема полупроводникового ключа. Полупроводниковый ключ содержит составной транзистор 1, усилитель 2 мощности, че1тыре транзистора 3 - 6, из которых первый 3 и третий 5 транзисторы имеют один тип проводимости, а второй 4 и четвертый 6 транзисторы другой тип проводимости, четтре диода 7 - 10, дев ть резисторов 11 19 и конденсатор 20, причем первый выход составного транзистора 1 подключен к первому вьгеоду первого диода 7 и выходной шине 21, второй выход соединен с общей шиной 22, а вход подключен к выходу усилител  2мощности, первый и второй питающие выводы которого соединены соответственно с первой 23 и второй 24 шинами источника питани , а вход подключен к коллектору первого транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной 22 и первым выводом первого резистора 11, коллектор второго транзистора 4 подключен к первому вы воду третьего диода 9 и через второй диод 8 к выходной шине 21, второй вывод третьего диода 9 соединен с эмиттером второго транзистора 4, первой шиной 23 источника питани  и через резистор 12 с базой второго транзистора 4 и одним выводом третьего резистора 13, другой вывод которого подключен к коллектору третьего транзистора 5, эмиттер которого соединен с первым выводом четвертого резистора 14, второй шиной 24 источника питани  и через п тый резистор 15 с первым выводом шестого резистора 16 и одним вьтодом конденсатора 20, другой вывод которо го подключен к первым выводам четвертого диода 10 и седьмого резистора 17 и к базе четвертого транзистора 6, коллектор которого через восьмой -резистор 18 соединен с базой тре тьего транзистора 5 и вторым выводом четвертого резистора 14, а эмиттер подключен к общей шине 22 и вторым выводам четвертого диода 10 и седьмого резистора 17, второй вывод шестого резистора 16 соединен с управл ющей шиной 25 и через дев тый резистор 19 с базой первого транзистора 3 и вторым выводом первого резистора 11, второй вывод первогб диода 7 подключен к общей шине 22. Полупроводниковый ключ работает следующим образом. При наличии сигнала О на управл ющей шине 25 транзисторы 3, 6, 5 и 4 заперты, отрицательным выходным сигналом усилител  2 мощности заперт составной транзистор 1. Ключ разомкнут . Пол рность напр жени  на конденсаторе 20 соответствует указанной на чертеже без скобок. При поступлении положительного сигнала на управл ющую шину 25 открываетс  транзистор 3 и положительный выходной сигнал усилител  2 мощности открывает составной транзистор 1. Одновременно происходит перезар д конденсатора 20 по цепи; уп-. равл юща  шина 25 - резистор 16 .конденсатор 20 - диод 10 - обща  шина 22. Транзисторы 6, 5 и 4 остаютс  в запертом состо нии, а пол рность напр жени  на конденсаторе 20 измен етс  на указанную на чертеже в скобках .При поступлении сигнала О на управл ющую шину 25 транзистор 3 закрываетс , выходной сигнал усилител  2 мощности инвертируетс , а транзисторы 6, 5 и 4 открываютс . При этом начинают рассасыватьс  избыточные носители зар да в составном транзис-/ торе 1, а по цеди: ишна 23 - цепь коллектор-эмиттер транзистора 4 диод 8 - силова  цепь составного транзистора 1 - обща  шина 22,.протекает ток, вызывающий накопление зар да в базе диода 8. По окончании рассасывани  в составном транзисторе 1 напр жение на его выходных выводах увеличиваетс  до напр жени , приблизительно равного сумме напр жени  отпирающего источника питани , подключенного к шине 23 и общей шине 22, и пр мого напр жени  диода 9. В это врем  ток в силовой цепи составного транзистора 1 спадает, а ток нагрузки протекает по цепи: выходна 
шина 21 - диод 8 - диод 9 - шина 2 обща  шина 22. После окончани  рассасывани  зар да в базе диода 8 ключ запираетс ..
КПД предлагаемого полупроводникового ключа вьше, чем у известных полупроводниковых ключей, за счет уменьшени  рассеиваемой мощности на состав Ном транзисторе при выключении ключа, которое обеспечиваетс  импульсным накоплением зар да в баз1е диода 8 и подключением его к выходной цепи составного транзистора 1.

Claims (1)

  1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ, содержащий составной транзистор, усилитель мощности, первый транзистор, первый и второй диоды, первый резистор и конденсатор, входную шину, первый выход составного транзистора iподключен к первому выводу первого диода и выходной шине, второй выход соединен с общей шиной, а вход под ключей к выходу усилителя мощности, первый и·второй питающие выводы которого соединены соответственно с первой и второй шинами источника питания, а вход подключен к коллектору первого транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной и -первым выводом первого резистора, о тличающийся тем, что, с целью повышения КПД, в него введены второй, третий и четвертый транзисторы, причем тип проводимости второго и четвертого транзисторов противоположен типу проводимости первого транзистора, а тип проводимости третьего транзистора соответствует типу проводимости первого транзистора, третий и четвертый диоды, восемь резисторов, причем' коллектор второго транзистора подключен к первому выводу третьего диода и через второй диод к выходной шине, второй вывод третьего диода соединен с эмиттером второго транзистора, первой шиной источника питания и через второй резистор с базой второго транзистора и одним выводом третьего резистора, другой вывод которого подключен к коллектору третьего транзистора, эмиттер которого соединен с первым выводом четвертого резистора, второй шиной источника питания и через пятый резистор с первым выводом,, шестого резистора и одним выводом конденсатора, другой вывод которого подключен к первым выводам четвертого диода и седьмого резистора и к базе четвертого транзистора, коллектор которого через восьмой.резистор соединен с базой третьего транзистора й вторым выводом четвертого резистора, а эмиттер подключен к общей шине, и вторым выводам четвертого диода и седьмого резистора, второй вывод шестого резистора соединен с управляющей шиной и через девятый резистор с базой первого транзистора и вторым выводом первого резистора, второй вывод первого диода подключен к общей шине.
    «-SU 1182659
    I 1182659 2
SU843730222A 1984-04-21 1984-04-21 Полупроводниковый ключ SU1182659A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843730222A SU1182659A1 (ru) 1984-04-21 1984-04-21 Полупроводниковый ключ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU843730222A SU1182659A1 (ru) 1984-04-21 1984-04-21 Полупроводниковый ключ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1182659A1 true SU1182659A1 (ru) 1985-09-30

Family

ID=21114986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU843730222A SU1182659A1 (ru) 1984-04-21 1984-04-21 Полупроводниковый ключ

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1182659A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Булатов О.Г. и др. Опыт применени силовых транзисторов типа КТ40.Электротехника, 1982, № 3, с. 21. Электронна техника в автоматике./ Под ред. Ю.И.Конева. М.: Советское радио, 1977, вьт. 9, с. 172, рис. 4. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB2195506A (en) Cascode bimos driving circuit
SU1182659A1 (ru) Полупроводниковый ключ
JPH06500210A (ja) 3端子非反転形トランジスタスイッチ
SU1661935A1 (ru) Транзисторный ключ без дополнительного запирающего источника напр жени
SU1721807A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1390796A1 (ru) Транзисторный ключ
SU1058055A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU1051717A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU843234A1 (ru) Магнитно-транзисторный ключ
SU1598152A1 (ru) Транзисторное реле
SU949790A1 (ru) Преобразователь двухпол рного сигнала в однопол рный
SU1499475A1 (ru) Магнитно-транзисторный ключ
SU1370732A1 (ru) RS-триггер
SU1182661A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU1083340A1 (ru) Усилитель мощности
SU1320896A1 (ru) Микромощный инвертор
SU1387137A1 (ru) Двухоперационный ключ
SU1624680A1 (ru) Ключ посто нного тока
SU1557674A1 (ru) Полупроводниковый ключ
SU1569969A2 (ru) Транзисторный ключ
SU1218458A1 (ru) Транзисторный ключ
SU1580525A1 (ru) Двухтактный трансформаторный усилитель мощности
RU1805538C (ru) Преобразователь посто нного напр жени
RU1810974C (ru) Двухтактный преобразователь напр жени
SU1283957A1 (ru) Транзисторный ключ