SU1569969A2 - Транзисторный ключ - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в различных коммутирующих устройствах. Цель изобретени  - повышение КПД и увеличение глубины затухани  сигнала. Дл  достижени  цели введены пр мосмещенные диоды 6 и 8. Устройство содержит транзисторы 1,2 одного типа проводимости, транзисторы 3,4 другого типа проводимости. На чертеже также показаны входна  шины 7, выходна  шина 5, управл юща  шина 10 и обща  шина 9. 1 ил.

Description

ф-0

го

Изобретение относитс  к импульсной технике, может быть использовано в различных коммутирующих устройствах и  вл етс  усовершенствованием изобретени  по авт. св. № 1359900.

Цель изобретени  - повышение КПД и увеличение глубины затухани  сигнала .

На чертеже представлена электрическа  схема предлагаемого транзистор1 ного ключа.

Транзисторный ключ содержит первый 1 и второй 2 транзисторы одного типа проводимости, третий 3 и четвертый 4 транзисторы другого типа проводимости , коллектор первого транзистора 1 подключен к выходной шине 5, эмиттер через пр мосмещенный диод 6 подключен к входной шине 7, а база соединена с коллектором транзистора 3, коллектор транзистора 4 подключен к выходной шине 5, эмиттер через пр мосмещенный диод 8 подключен к входной шине 7, а база соединена с коллектором транзистора 2, база которого подключена к общей шине 9, а эмиттер - к эмиттеру транзистора 3, база которЬго соединена с управл ющей шиной 10.

Транзисторный ключ работает следующим образом.

При отсутствии напр жени  U на управл ющей шине 10 транзисторы 1-4 заперты, и на выходной шине 5 напр жение отсутствует при любой пол рности напр жени  на входной шине 7. При наличии положительного напр жени  на управл ющей шине 10 транзисторы 3 и 2 отпираютс , и напр жение любой пол рности U ах на шине 7 при активной

нагрузке повтор етс  на выходной шине 5. При этом положительна  полуволна входного сигнала проходит на выходную шину 5 через диод 6 и открытый транзистор 1, диод 8 преп тствует прохождению положительной полу- , на транзистор 4, база - эмит- терный переход которого представл ет собой небольшое сопротивление. Сопротивление перехода коллектор - база транзистора 2 дл  обратного напр жени  также имеет конечную величину. Сумма сопротивлений этих переходов

5

0

5

0

5

0

5

0

 вл етс  дополнительным сопротивлением нагрузки дл  входного сигнала. При отсутствии диода 8 часть энергии сигнала положительной пол рности потребл етс  ключом. Диод 8, представл ющий большое сопротивление дл  положительной полуволны сигнала, резко снижает потребление ключом энергии входного сигнала.

При отрицательной пол рности входного сигнала последней проходит на выходную шину 5 через диод 8 и открытый транзистор 4. При этом диод 6 преп тствует прохождению отрицательной полуволны сигнала на транзистор 1. Сопротивлениецепи: база - эмит- терный переход транзистора 1 - коллекторный переход транзистора 3 - база - эмиттерный переход транзистора 2 теперь не оказывает своего шунтирующего действи  на входной сигнал, т.е. при этом ключ также не потребл ет дополнительно энергию входного сигнала. В результате ГИД транзисторного ключа значительно возрастает.

При сн тии положительного управл ющего напр жени  с шины 10 транзисторы 1-4 запираютс , ток через диоды 6 и 8 при наличии входного сигнала резко падает, а сопротивлени  диодов при малых токах значительно возрастают . Суммиру сь с сопротивлением коллекторных переходов транзисторов 1 и 4, они значительно увеличивают общее сопротивление закрытого ключа и, соответственно, увеличивают глубину затухани  сигнала при отсутствии управл ющего напр жени .

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Транзисторный ключ по авт. св. № 1359900, отличающийс  тем, что, с целью повышени  КПД и увеличени  глубины затухани  сигнала , введены два пр мосмещенные диода , катод первого диода соединен с эмиттером первого транзистора, анод первого диода соединен с катодом второго диода и подключен к входной шине, анод второго диода соединен с эмиттером четвертого транзистора