SU1058055A1 - Полупроводниковый ключ - Google Patents

Description

L

СЛ

00 о

СЛ СЛ

//

J -кн

/г 1

Изобретение относитс  к импульсной технике и может бьггь использовано в качестве силового полупровод никового .ключа в составе преобразовательных устройств различного назначени . Известен полупроводниковый ключ содержащий первый и второй транзисторы и диод, включенный между коллекторами транзисторов Cl L Недостаток указанного полупровод никового ключа - невысокий КПД. Известен также полупроводниковый ключ, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к выходной клемме и к одному из выводов первого диода, при этом база первого транзистора через второй диод подключена к эмит теру первого транзистора и базе второго транзистора, эмиттер которого подключен, к общей шине, первый резистор/ первый вывод которого подключен к входной клемме 2 Д. Недостатком известного полупроводникового ключа также  вл етс  невысокий КПД, что обусловлено поте р ми мощности во втором транзисторе изгэа большого напр жени  коллек тор - эмиттер этого транзистора в открытом состо нии при номинальном токе нагрузки, которое определ етс  суммой напр жени  коллектор - эмиттер первого транзистора и напр жени  база - эмиттер второго транзистора . Цель изобретени  - повышение КПД Указанна  цель достигаетс  тем, что в полупроводниковый ключ, содер жащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к выходной клемме и к одному из выводов первого диода, при этом база первого транзистора через второй диод подключена к эмиттеру первого транзистора и базе второго транзистора , эмиттер которого подключен к общей шине, первый резистор, первый вывод которого подключен к вход ной клемме, введены третий транзистор обратной проводимости по отношению к первому и второму транзисторам , второй резистор и цепочка из третьего и четвертого диодов, которые включены встречно-параллель но между базой порвого транзистора и вторым выводом первого резистора который подклк1чен к эмиттеру третье го транзистора, причем база ijpeTbeго транзистора соединена через второй резистор с другим выводом первого диода, а коллектор - с базой второго транзистора. На чертеже представлена схема предлагаемого полупроводникового ключа. Полупроводниковый ключ содержит первый 1 и второй 2 транзисторы. коллекторы которых подключены к выходной клемме 3 и к одному из выводов первого диода 4, при этом база первого транзистора 1 через второй диод 5 подключена к эмиттеру первого транзистора 1 и базе второго транзистора 2, эмиттер которого подключен к общей шине б, первый резистор 7, первый вывод которого подключен к входной клемме 8 третий транзистор- 9 обратной проводимости по отношению к первому 1 и второму 2 транзисторам, второй резистор 10 и цепочку из третьего 11 и четвертого 12 диодов, которые включены встречно-параллельно между базой первого транзистора 1 и вторым выводом первого резистора 7, который подключен к эмиттеру третьего транзистора 9, причем база третьего транзистора 9 соединена через второй резистор 10 с другим выводом первого диода 4, а коллектор - с базой второго транзистора 2. Устройство работает следующим образом . При отрицательном управл ющем сигнале навходной клемме 8 транзисторы 1, 2 и 9 закрыты. При изменении пол рности управл ющего сигнала на входной клемме 8 с отрицательной на положительную открываютс  транзисторы 1 и 2, образующие составную структуру, котора  имеет вы;сокий коэффициент усилени . Остаточное напр жение на ключе в открытом состо нии при пусковом токе нагрузки равно сумме напр жений коллектор - эмиттер транзистора 1 и база - эмиттер транзистора 2. После окончани  пускового режима ток нагрузки уменьшаетс , уменьшаетс  и напр жение.коллектор - эмиттер транзистора 2. Когда это напр жение стс1Новитс  меньше напр жени , приложенного к аноду диода 4 от источника управл ющего сигнала, подключенного к входной клемме 8, диод 4 открываетс . При этом включаетс  транзистор 9, транзистор 1 закрываетс , а транзистор 2 переходит в режим насыщени . Дл  включени  транзистора 9 необходимо, чтобы пр мое напр жение диода 4 было меньше пр мого напр жени  диода 11, поэтому нужно выбирать диоды 11 и 4 с разными пр мыми напр жени ми или в качестве, диода 11 примен ть последовательное соединение двух диодов. При изменении пол рности управл ющего сигнала на входной клемме 8 с положительной На отрицательную транзисторы 2 и 9 закрываютс  и нагрузка обесточиваетс . Диоды 12 и 5 необходимы дл  активного запирани  транзисторов 1 и 2. Таким образом, КПД предлагаемого полупроводникового ключа выше, чем

у известных полупроводниковых ключей , так как напр жение на открытом ключе при пусковом токе нагрузки равно сумме напр жени  коллектор эмиттер транзистора 1 и напр жени  :база - эмиттер транзистора 2, а при номинальном токе нагрузки напр жению насыщени  транзистора 2,

Claims (1)

1. (54 ) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КЛЮЧ, содержащий первый и второй транзисторы, коллекторы которых подключены к выходной клемме и.к одному из выводов первого диода, при этом ба-; ' за первого транзистора через второй диод подключена к эмиттеру первого транзистора и базе второго транзистора, эмиттер которого подключен к общей шине, первый резистор, первый вывод которого подключен к входной клемме, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, введены третий транзистор обратной проводимости по отношению к перво-» му и второму транзисторам, второй резистор и цепочка из третьего и четвертого диодов, которые включены встречно-параллельно между базой первого транзистора и вторым выходом первого резистора, который подключен к.эмиттеру третьего транзистора, причем база третьего транзистора соединена через второй резистор с другим выводом первого диода, а коллектор - с базой второго транзистора.