SU1082777A1 - Способ травлени кристаллов танталата лити - Google Patents
Способ травлени кристаллов танталата лити Download PDFInfo
- Publication number
- SU1082777A1 SU1082777A1 SU823403044A SU3403044A SU1082777A1 SU 1082777 A1 SU1082777 A1 SU 1082777A1 SU 823403044 A SU823403044 A SU 823403044A SU 3403044 A SU3403044 A SU 3403044A SU 1082777 A1 SU1082777 A1 SU 1082777A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- acid
- etching
- crystals
- lithium tantalate
- mixture
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ. ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, включающий обрабоИеу . смесью концентрированной плавиковой кислоты и раствора органической кислоты в концентрированной азотной кислоте при нагревании, отличающийс тем, что, с целью получени контрастных фигур травлени при контроле степени монодоменности кристаллов, в качестве органической кислоты используют щавелевую кислоту и обработку ведут при 85-95 С в течение 13-17 мин при следующем соотнощенин компонентов смеси, об.%: Плавикова кислота31-35 Насыщенный при комнатной температуре раствор щавелевой кислоты в азотной кислоте65-69
Description
Изобретение относится к исследованию кристаллов, в частности к исследованию доменной структуры кристаллов танталата лития (ТЛ) путем химического травления, . и может быть использовано при изучении реальной структуры кристаллов ТЛ.
Известен способ получения фигур травления на монокристаллах ТЛ с помощью химического травления в смеси концентрированных азотной и плавиковой кислот, взятых в объемном соотношении HNO3 : HF = 2:1 при 110°С и выдержке 15 мин [1].
Вследствие неблагоприятного соотношения нормальной и тангенциальной скоростей травления и загрязнения поверхности продуктами, реакции известный способ не обеспечивает получения четких фигур травления. Размытые гою* хо ограненные ямки травления указывают на низкую контрастность указанного способа травления. Проводить исследования доменной структуры ТЛ с размерами доменов в несколько микрон таким способом невозможно.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является способ травления подложек танталата лития в смеси концентрированной плавиковой кислоты и раствора уксусной кислоты в концентрированной азотной кислоте {2].
Недостатком данного способа является то, что с его помощью нельзя получить контраст; 3θ ных фигур травления на поверхности кристаллов танталата литии.
Цель изобретения — получение контрастных фигур травления при контроле степени монодоменности кристаллов.
Поставленная цель достигается тем, что в 35 качестве органической кислоты используют щавелевую кислоту и обработку ведут π$ι 85—95°С в течение 13-17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%: Плавиковая кислота 31—35 40
Насыщенный при комнатной температуре раствор щавелевой кислоты в азотной кислоте 65—69 45
Введение щавелевой кислоты благоприятно изменяет кинетику травления, вследствие чего возрастает степень контрастности фигур травления. При микроскопическом наблюдении области разноименных доменов резко от- 50 личаются, видны междоменные границы и отдельные хорошо ограниченные ямки.
Допустимый интервал составов травителя объясняется погрешностью измерений при составлении травителя. Отклонение от заданного состава ведет к изменению температур5 но-временного режима травления. Уменьшение температуры или времени травления не позволяет получить ямки травления и четко выявить доменную структуру, а увеличение ведет к потере контрастности или искажению 10 картины травления.
Пример/ Монодоменный и полидоменный образцы размером 10x10x5 мм, изготовленные из монокристалла ТЛ, одновре)5 менно подвергают химическому травлению смесью, составленной из одного объема (30 см3) концентрированной плавиковой кислоты и двух объемов (60 см3) насыщенного раствора щавелевой кислоты в кон2θ центрированной азотной кислоте. Для получения последнего предварительно растворяют 15—20 г кристаллической щавелевой кислоты в 100 см3 концентрированной азотной кислоты при комнатной температуре. Травление проводят при 85—90°С в течение 15 мин, затем образцы промывают в горячей воде и сушат.
При микроскопическом исследовании травленых поверхностей наблюдают следующее.
Полидоменный образец. На обеих плоскостях (0001) четко обозначены антипараллельные домены и разделяющие их междоменные границы, междоменные границы также хорошо прослеживаются на плоскостях (1210).
Монодоменный образец. На одной из плоскостей (0001) видны хорошо ограненные высококонтрастные ямки трехгранной формы, соответствующие тригональной сингонии кристаллов ТЛ? на параллельной плоскости ямки травления отсутствуют.
Современная лазерная техника предъявляет высокие требования к кристаллам по качеству и оптической однородности. Поскольку практическое применение находят только монодоменные кристаллы, необходим метод контроля степени монодоменного состояния их. Предлагаемый способ дает возможность быстро, наглядно и точно устанавливать степень монодоменности кристаллов и таким образом, производить отбор годных кристаллов и вносить поправки в технологию их выращивания.
ВНИИПИ Заказ 1666/22 Тираж 352 Подписное
Филиал ППП ’’Патент”, г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Claims (1)
- СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ, включающий обработку ' смесью концентрированной плавиковой кисло ты и раствора органической кислоты в концентрированной азотной кислоте при нагревании, отличающийся тем, что, с целью получения контрастных фигур травления при контроле степени монодоменности кристаллов, в качестве органической кислоты используют щавелевую кислоту и обработку ведут при 85—95°С в течение 13—17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Плавиковая кислота Насыщенный при комнатной температуре раствор щавелевой кислоты в азотной кислоте31-3565-69 ОS1082777 2
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823403044A SU1082777A1 (ru) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Способ травлени кристаллов танталата лити |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823403044A SU1082777A1 (ru) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Способ травлени кристаллов танталата лити |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1082777A1 true SU1082777A1 (ru) | 1984-03-30 |
Family
ID=20999639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823403044A SU1082777A1 (ru) | 1982-02-19 | 1982-02-19 | Способ травлени кристаллов танталата лити |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1082777A1 (ru) |
-
1982
- 1982-02-19 SU SU823403044A patent/SU1082777A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
I.Levinstein К. I.,., Baltman А. А. and Capio С. О. Domain Structure and Curie Temperature ,of Sinyte Crystal L. T. - J. Appl. Phys,. N 37, 1966.45851. 2. За вка JP N« 53-126811, КЛ. С 23 F 1/02, опублик. 1980 (прототип). * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5110404A (en) | Method for heat processing of silicon | |
Kobayashi | Growing of ferroelectric PbTiO3 crystals | |
SU1082777A1 (ru) | Способ травлени кристаллов танталата лити | |
DE2428696A1 (de) | Mittel und verfahren zur chemischen oberflaechenbehandlung | |
CA1042772A (en) | Method of etching and polishing a surface of a substrate comprising litao3 linbo3 | |
JPH0274595A (ja) | ニオブ酸リチウム結晶の製造方法 | |
USRE29336E (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising LiTaO3 and chemically similar materials | |
SU1082875A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца | |
SU1710605A1 (ru) | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи | |
SU1583479A1 (ru) | Способ травлени монокристаллов ниобата лити | |
SU971922A1 (ru) | Способ определени скорости роста кристаллов из раствора | |
SU1675409A1 (ru) | Способ получени магнитнооптической структуры | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
SU1019032A1 (ru) | Раствор дл полировки монокристаллов ванади | |
US4713145A (en) | Method of etching etch-resistant materials | |
SU927863A1 (ru) | Способ химической полировки подложек галлий-гадолиниевого граната | |
SU1082874A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца | |
JP2804080B2 (ja) | 液晶配向膜検査方法 | |
JP2763489B2 (ja) | 光導波路基板の製造方法 | |
Lim et al. | Method of Etching a surface of a substrate comprising LiTaO3 and Chemically similar materials | |
MAHN-JICK et al. | Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO 3 and chemically similar materials | |
SU990892A1 (ru) | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити | |
RU1464516C (ru) | Способ измерения величины пересыщения раствора δt, соответствующей началу роста граней призмы | |
RU1774223C (ru) | Способ подготовки образцов дл электронно-микроскопического определени структуры ситаллов | |
JPH06194535A (ja) | 光導波路基板の製造方法 |