SU1082875A1 - Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца - Google Patents

Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца Download PDF

Info

Publication number
SU1082875A1
SU1082875A1 SU823487993A SU3487993A SU1082875A1 SU 1082875 A1 SU1082875 A1 SU 1082875A1 SU 823487993 A SU823487993 A SU 823487993A SU 3487993 A SU3487993 A SU 3487993A SU 1082875 A1 SU1082875 A1 SU 1082875A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
polishing
crystals
chemical polishing
acid
lead
Prior art date
Application number
SU823487993A
Other languages
English (en)
Inventor
Константин Мнацаканович Туманян
Марат Мовсесович Геворкян
Ромео Ервандович Восканян
Original Assignee
Кировоканский Ордена Трудового Красного Знамени Химический Завод Им.Ал.Мясникяна
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кировоканский Ордена Трудового Красного Знамени Химический Завод Им.Ал.Мясникяна filed Critical Кировоканский Ордена Трудового Красного Знамени Химический Завод Им.Ал.Мясникяна
Priority to SU823487993A priority Critical patent/SU1082875A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU1082875A1 publication Critical patent/SU1082875A1/ru

Links

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА СВИНЦА в растворе, содержащем ортофосфорную кислоту, отличающийс  тем, что, с целью упрощени  процесса и повьшени  качества полировки, в pacTBOj) дополнительно ввод т сол ную кислоту (уд. вес. 1,19 г/смЧ при отнощении ее к ортофосфорной; кислоте (уд.вес. 1,7 г/см), равном 1:2 (в об.ч) и процесс ведут при комнатной температуре в течение 3-5 мин. «Л

Description

Изобретение относитс  к способам обработки кристаллов и может быть использована дл  химической полировки монокристаллов молибдата свинца (РЬМоО) и изделий из них.
Известен способ химической полировки кристалло з РЬМоОх;, включающий погружение образца в 5-30%-ный раствор едкого натри  при комнатной температуре Cl
Недостатком этого способа  вл етс  невозможность полировки произвольно ограненного кристалла, так как данный способ обеспечивает по-, лирующее травление лишь плоскости (001), в то врем  как на практике часто требуетс  полировка нескольких плоскостей различной ориентации с равной степенью качества.
Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  способ химической полировки кристаллов РЬМорф, включающий погружение образца на 2-8 г в насыщенный раствор хромного ангидрида в смеси с концентрированной ортофосфорной кислотой (Н2Р04) при соотно ,шении 1:3 и 30-100 С. Указанный способ позвол ет проводить полировку любых граней произвольно ограниченного кристалла С2 1.
Недостатки способа - больша  продолжительность процесса полировки или (что то же) мала  скорость растворени , в указанном интервале температур составл юща  2 мкм/ч высока  температура полировки (до 100 С), манипул ции с образцом при таких услови х .могут вызвать растрескивание Кристаллов молибдата свинца,склонного г. возникновению термических направлений; образование и рост на отдельных участках обрабатываемой поверхности при использовании свечвеприготовленного раствора несмываемых кристаллических друз РЬСгОд-  ркб-желтой окраски (так называемых каменньйс цветков), снижение веро тности образов и  таких друз вплоть до полного их исключени  возможно либо многократным использованием раствора в качестве полирующего травител , либо многодневным отстаиванием раствора (до 10-15 дней), общее положение образцов после обработки полирующим раствором.
Цель изобретени  - упрощение и повьппение качества пблировки.
Поставленна  цель достигаетс  тем, что согласно способу химической полировки кристаллов молибдата свинца в раствор, содержащий орто5 фосфорную кислоту, дополнительно ввод т сол ную кислоту (уд. вес. 1,19 г/см) при отношении ее к ортофосфорной кислоте (уд.вес. 1,7 г/см,) равном 1:2 (в об.ч.) и процесс веO дут при комнатной температуре в течение 3-5 мин.
Комнатна  температура позвол ет вести процесс химического полировани  в стабильных услови х, что ис5 ключает растрескивание образцов молибдата свинца, которое возможно при незначительных тепловых ударах.
Высока  скорость нормального растворени  (60-70 мкм/ч) позвол ет
0 оперативно вести процесс полировки, врем  пребывани  образца в растворе зависит от толщины удал емого сло  с поверхности кристалла.
Конценурированна  сол на  кисло5 та не может быть использована в ка честве травител  дл  кристаллов РЬМоО из-за образовани  на поверхности образца белого, нерастворимого в воде и растворител х осадка, .
0 крепко сцепленного с образцом. Применение состава (1; ч. НС 1+2 ч..) в предлагаемом способе полировки также приводит к образованию белой пленки на обрабатываемой поверхнос , ти, котора  легко отслаиваетс  от поверхности при промывании образца проточной водой, обнажа  при этом просветленную, отполированную поверхность .
Указанное соотношение ингредиентов в предлагаемом полирующем травителе обусловлено тем, что при обработке образца раствором с соотношением объемов меньшем, чем 1:2 образуетс  осадок, который с трудом удал етс  с поверхности, а при соотношении большем, чем 1:2 резко падает активность полирующего травител  .
Пример 1. Пластинку РЬМоО произвольной огранки размерами 10х х20х4 мм предварительно отшлифованную абразивным порошком № 7, погружают в раствор HC1:HjPO « 1:2 и
5 после 3 мин вьщержки извлекают из него. Затем образец с образовавшейс  на нем белой пленкой помещают в сосуд с проточной водой If промывают в течение 3-5 мин. Обработанные таким образом плоскости пластины представл ют собой гладкие просветленные поверхности, микроструктура которых дл  различно ориентированных поверхностей образца носит одно . типньй, ступенчатый характер с высотой ступенек 2-5 мкм, П р и м е р 2, Шайбу РЬМоО диаметром 28 мм и толщиной 0,15 мм, ориентированную вдоль направлени  (100), отшлифованную абразивным поponiKOM № 7, укрепл ют пчелиным воском на стекл нной пластинке, в кото рой вырезано окно размерами 10x20 м Подготовленную таким образом дл  дальнейшего рентгенотопографического исследовани  пластинку помещают в кювету с полирующим раствором НС1:Н,зРО 1:2 при 22°С на 10 мин, после чего кювету с раствором и образцом погружают в сосуд с водой комнатной температуры, извлекают , 754 образец из кюветы и тщательно промывают большим количеством воды комнатной температуры. Обследование образца показало хорошее просветление и качество химической полировки. Микрометрические измерени  показали, что толщина пластинки РЬМоО ; уменьшилась с каждой стороны на 12 мкм. Предлагаемьй способ химической полировки кристаллов РЬМоО ; позвол ет удал ть поверхностный деформированный слой с плоскостей таких ориентации , полировка которых известными составами сложна либо невозможна , что дает возможность проводить исследовани  истиннойструктуры кристалла в требуемом кристаллографическом направлении и открывает перспективу его применени  при просветлении и полировке изделий, сложных конфигураций, полировка которых другими способами затруднена или невозможна .

Claims (1)

  1. СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА СВИНЦА в растворе, содержащем ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полировки, в раствор дополнительно вводят соляную кислоту (уд. вес.1,19 г/см3)* • при отношении ее к ортофосфорной:
    кислоте (уд.вес. 1,7 г/см3), равном 1:2 (в об.ч) и процесс ведут при комнатной температуре в течение 3-5 мин.
SU823487993A 1982-06-16 1982-06-16 Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца SU1082875A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823487993A SU1082875A1 (ru) 1982-06-16 1982-06-16 Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU823487993A SU1082875A1 (ru) 1982-06-16 1982-06-16 Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU1082875A1 true SU1082875A1 (ru) 1984-03-30

Family

ID=21028065

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU823487993A SU1082875A1 (ru) 1982-06-16 1982-06-16 Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU1082875A1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Ёриц н А.Х. и Оганес н . Травление кристаллов молибдата свинца. Ереванский госуниберситет, Молодой научный работг ик, 1980, № 2 1 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jongebloed et al. The dissolution of single crystals of hydroxyapatite in citric and lactic acids
Hähnert et al. New defect etchants for CdTe and Hg1-xCdxTe
SU1082875A1 (ru) Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца
EP0005919B1 (en) Process for sealing anodised aluminium and product so obtained
Sangwal et al. Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals
SU1082874A1 (ru) Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца
Lee et al. Transmission electron microscope study of arsenic precipitates in GaAs: Morphology and orientation relationship with the matrix
US4640718A (en) Process for accelerating Pd/Sn seeds for electroless copper plating
US4273609A (en) Rinse melt for LPE crystals
SU1738878A1 (ru) Состав дл травлени монокристаллов германата свинца Р @ G @ О @
SU816331A1 (ru) Полирующий травитель дл иодида ртути
Nicoarǎ et al. Dissolution kinetics and etch pit morphology of CaF2 single crystals
US3758387A (en) Ion displacement crystal growth
Fuith et al. Solution growth of large, high quality KSCN crystals
SU1710605A1 (ru) Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи
SU1082777A1 (ru) Способ травлени кристаллов танталата лити
US4372808A (en) Process for removing a liquid phase epitaxial layer from a wafer
SU1686034A1 (ru) Состав дл сн ти тонкопленочных покрытий на основе окислов @ -элементов IY-й группы с металлических деталей
SU1127477A1 (ru) Травитель дл химического полировани монокристаллов фосфида галли
Wermke et al. Comprehensive characterization of CdTe and (Cd, Zn) Te single crystals by a chemical etchant
JPS62290135A (ja) CdTeウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法
SU1660407A1 (ru) Травитель дл ниобата бари -стронци
DE2237825C3 (de) Verfahren zum Reinigen von gesägten Halbleiterscheiben und dessen Verwendung zum Reinigen von Siliciumscheiben
RU2051207C1 (ru) Способ получения слоев гидроксидов металлов
EP0081831B1 (en) Process for purifying elastase