SU1082875A1 - Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца - Google Patents
Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца Download PDFInfo
- Publication number
- SU1082875A1 SU1082875A1 SU823487993A SU3487993A SU1082875A1 SU 1082875 A1 SU1082875 A1 SU 1082875A1 SU 823487993 A SU823487993 A SU 823487993A SU 3487993 A SU3487993 A SU 3487993A SU 1082875 A1 SU1082875 A1 SU 1082875A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- polishing
- crystals
- chemical polishing
- acid
- lead
- Prior art date
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА СВИНЦА в растворе, содержащем ортофосфорную кислоту, отличающийс тем, что, с целью упрощени процесса и повьшени качества полировки, в pacTBOj) дополнительно ввод т сол ную кислоту (уд. вес. 1,19 г/смЧ при отнощении ее к ортофосфорной; кислоте (уд.вес. 1,7 г/см), равном 1:2 (в об.ч) и процесс ведут при комнатной температуре в течение 3-5 мин. «Л
Description
Изобретение относитс к способам обработки кристаллов и может быть использована дл химической полировки монокристаллов молибдата свинца (РЬМоО) и изделий из них.
Известен способ химической полировки кристалло з РЬМоОх;, включающий погружение образца в 5-30%-ный раствор едкого натри при комнатной температуре Cl
Недостатком этого способа вл етс невозможность полировки произвольно ограненного кристалла, так как данный способ обеспечивает по-, лирующее травление лишь плоскости (001), в то врем как на практике часто требуетс полировка нескольких плоскостей различной ориентации с равной степенью качества.
Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ химической полировки кристаллов РЬМорф, включающий погружение образца на 2-8 г в насыщенный раствор хромного ангидрида в смеси с концентрированной ортофосфорной кислотой (Н2Р04) при соотно ,шении 1:3 и 30-100 С. Указанный способ позвол ет проводить полировку любых граней произвольно ограниченного кристалла С2 1.
Недостатки способа - больша продолжительность процесса полировки или (что то же) мала скорость растворени , в указанном интервале температур составл юща 2 мкм/ч высока температура полировки (до 100 С), манипул ции с образцом при таких услови х .могут вызвать растрескивание Кристаллов молибдата свинца,склонного г. возникновению термических направлений; образование и рост на отдельных участках обрабатываемой поверхности при использовании свечвеприготовленного раствора несмываемых кристаллических друз РЬСгОд- ркб-желтой окраски (так называемых каменньйс цветков), снижение веро тности образов и таких друз вплоть до полного их исключени возможно либо многократным использованием раствора в качестве полирующего травител , либо многодневным отстаиванием раствора (до 10-15 дней), общее положение образцов после обработки полирующим раствором.
Цель изобретени - упрощение и повьппение качества пблировки.
Поставленна цель достигаетс тем, что согласно способу химической полировки кристаллов молибдата свинца в раствор, содержащий орто5 фосфорную кислоту, дополнительно ввод т сол ную кислоту (уд. вес. 1,19 г/см) при отношении ее к ортофосфорной кислоте (уд.вес. 1,7 г/см,) равном 1:2 (в об.ч.) и процесс веO дут при комнатной температуре в течение 3-5 мин.
Комнатна температура позвол ет вести процесс химического полировани в стабильных услови х, что ис5 ключает растрескивание образцов молибдата свинца, которое возможно при незначительных тепловых ударах.
Высока скорость нормального растворени (60-70 мкм/ч) позвол ет
0 оперативно вести процесс полировки, врем пребывани образца в растворе зависит от толщины удал емого сло с поверхности кристалла.
Конценурированна сол на кисло5 та не может быть использована в ка честве травител дл кристаллов РЬМоО из-за образовани на поверхности образца белого, нерастворимого в воде и растворител х осадка, .
0 крепко сцепленного с образцом. Применение состава (1; ч. НС 1+2 ч..) в предлагаемом способе полировки также приводит к образованию белой пленки на обрабатываемой поверхнос , ти, котора легко отслаиваетс от поверхности при промывании образца проточной водой, обнажа при этом просветленную, отполированную поверхность .
Указанное соотношение ингредиентов в предлагаемом полирующем травителе обусловлено тем, что при обработке образца раствором с соотношением объемов меньшем, чем 1:2 образуетс осадок, который с трудом удал етс с поверхности, а при соотношении большем, чем 1:2 резко падает активность полирующего травител .
Пример 1. Пластинку РЬМоО произвольной огранки размерами 10х х20х4 мм предварительно отшлифованную абразивным порошком № 7, погружают в раствор HC1:HjPO « 1:2 и
5 после 3 мин вьщержки извлекают из него. Затем образец с образовавшейс на нем белой пленкой помещают в сосуд с проточной водой If промывают в течение 3-5 мин. Обработанные таким образом плоскости пластины представл ют собой гладкие просветленные поверхности, микроструктура которых дл различно ориентированных поверхностей образца носит одно . типньй, ступенчатый характер с высотой ступенек 2-5 мкм, П р и м е р 2, Шайбу РЬМоО диаметром 28 мм и толщиной 0,15 мм, ориентированную вдоль направлени (100), отшлифованную абразивным поponiKOM № 7, укрепл ют пчелиным воском на стекл нной пластинке, в кото рой вырезано окно размерами 10x20 м Подготовленную таким образом дл дальнейшего рентгенотопографического исследовани пластинку помещают в кювету с полирующим раствором НС1:Н,зРО 1:2 при 22°С на 10 мин, после чего кювету с раствором и образцом погружают в сосуд с водой комнатной температуры, извлекают , 754 образец из кюветы и тщательно промывают большим количеством воды комнатной температуры. Обследование образца показало хорошее просветление и качество химической полировки. Микрометрические измерени показали, что толщина пластинки РЬМоО ; уменьшилась с каждой стороны на 12 мкм. Предлагаемьй способ химической полировки кристаллов РЬМоО ; позвол ет удал ть поверхностный деформированный слой с плоскостей таких ориентации , полировка которых известными составами сложна либо невозможна , что дает возможность проводить исследовани истиннойструктуры кристалла в требуемом кристаллографическом направлении и открывает перспективу его применени при просветлении и полировке изделий, сложных конфигураций, полировка которых другими способами затруднена или невозможна .
Claims (1)
- СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ МОЛИБДАТА СВИНЦА в растворе, содержащем ортофосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полировки, в раствор дополнительно вводят соляную кислоту (уд. вес.1,19 г/см3)* • при отношении ее к ортофосфорной:кислоте (уд.вес. 1,7 г/см3), равном 1:2 (в об.ч) и процесс ведут при комнатной температуре в течение 3-5 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823487993A SU1082875A1 (ru) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823487993A SU1082875A1 (ru) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1082875A1 true SU1082875A1 (ru) | 1984-03-30 |
Family
ID=21028065
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823487993A SU1082875A1 (ru) | 1982-06-16 | 1982-06-16 | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1082875A1 (ru) |
-
1982
- 1982-06-16 SU SU823487993A patent/SU1082875A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. Ёриц н А.Х. и Оганес н . Травление кристаллов молибдата свинца. Ереванский госуниберситет, Молодой научный работг ик, 1980, № 2 1 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Jongebloed et al. | The dissolution of single crystals of hydroxyapatite in citric and lactic acids | |
Hähnert et al. | New defect etchants for CdTe and Hg1-xCdxTe | |
SU1082875A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца | |
EP0005919B1 (en) | Process for sealing anodised aluminium and product so obtained | |
Sangwal et al. | Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals | |
SU1082874A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца | |
Lee et al. | Transmission electron microscope study of arsenic precipitates in GaAs: Morphology and orientation relationship with the matrix | |
US4640718A (en) | Process for accelerating Pd/Sn seeds for electroless copper plating | |
US4273609A (en) | Rinse melt for LPE crystals | |
SU1738878A1 (ru) | Состав дл травлени монокристаллов германата свинца Р @ G @ О @ | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
Nicoarǎ et al. | Dissolution kinetics and etch pit morphology of CaF2 single crystals | |
US3758387A (en) | Ion displacement crystal growth | |
Fuith et al. | Solution growth of large, high quality KSCN crystals | |
SU1710605A1 (ru) | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи | |
SU1082777A1 (ru) | Способ травлени кристаллов танталата лити | |
US4372808A (en) | Process for removing a liquid phase epitaxial layer from a wafer | |
SU1686034A1 (ru) | Состав дл сн ти тонкопленочных покрытий на основе окислов @ -элементов IY-й группы с металлических деталей | |
SU1127477A1 (ru) | Травитель дл химического полировани монокристаллов фосфида галли | |
Wermke et al. | Comprehensive characterization of CdTe and (Cd, Zn) Te single crystals by a chemical etchant | |
JPS62290135A (ja) | CdTeウェーハの鏡面研磨液ならびに鏡面研磨方法 | |
SU1660407A1 (ru) | Травитель дл ниобата бари -стронци | |
DE2237825C3 (de) | Verfahren zum Reinigen von gesägten Halbleiterscheiben und dessen Verwendung zum Reinigen von Siliciumscheiben | |
RU2051207C1 (ru) | Способ получения слоев гидроксидов металлов | |
EP0081831B1 (en) | Process for purifying elastase |