SU816331A1 - Полирующий травитель дл иодида ртути - Google Patents

Abstract

ПОЛИРУКЯЦИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ИОДИДА РТУТИ, включающий галогенсо- держащий компонент и воду, о.т л и -. чающийс  тем, что, с целью увеличени  скорости травлени , получени  зеркально-глащкой поверхности и сохранени  ее плоско-параллельнос- ти, в качестве галогенсодержаще- го компонента используют10-20 мас.% иодипа аммони .(Л С

Description

3

:о :о Изобретение относитс  к технике травлени  полупроводников. Дл  использовани  свойств полупроводникового материала Нодида рт ти (HgJg) и дл  изготовлени  детек торных структур из негр требуютс  пластины толщиной от Юидб 500 мк Изготовление необходимых пластин H осушествл ют путем раскалывани  кристалла по плоскости спайности COOl J на пластины толщиной 8001000мкм . При этом за счет механического воздействи  нарушаетс  целостность поверхностного сло  образца , возникают добавочные напр жени  на сколе, структурные дефекты . Устранение поверхностных нарушений и доведение (бездефектное ) пластин ngJ2 до требуемой тол щины производитс  путем химического травлени  образца. Известен травитель дл  йодида ртути, содержащий метанол l. Растворимость йодида ртути в метаноле при составл ет 3,4%. Главным недостатком указанного травител   вл етс  его высока  ток сичность и токсичность образующихс при травлении органических соедине ний ртути. Это требует дополнитель ных мер безопасности при использов нии и хранении травител , что создает определенные трудности в его применейии и удорожает обработку :кристаллов. Поэтому в качестве мас сового широкоиспользуемого травител  метанол рассмотрен быть не мо жет. Кроме того, скорость травлени образцов HgJ2 метанолом составл ет не более 0,9 мкм/с, а на стравленной поверхности остаютс  четкие фигуры роста кристалла в виде пира мид, вершины которых со временем постепенно растравливаютс . Наиболее близким техническим ре шением  вл етс  полирующий травитель дл  йодида ртути, включающий галогенсодержащий компонент и воДУ 2. В качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас.% водного раство;ра йодистого кали . Недостатками известного травите л   вл ютс : . 1.Скорость травлени  Ъбраэцов HgJjL 20%-ным раствором йодистого ка ли  составл ет 5,6 мкм/с. 2.На протравленной поверхности образца остаютс  четко вы вленные дислокации в виде  мок травлени , имеющих форму четырехугольников.По мере стравливани  поверхности число  мок травлени  уменьшаетс , одн .ако даже после 60 сек травлени  число ИИ значительно. Дл  получени  полированой поверхности образца необходимо снимать по нескольку СОТ микрон материала, и приведенна  скорость травлени  представл етс  невысокой, а 20%-ный водг ный раствор KJ очевидно мож.ет быть использован лищь дл  селективного травлени . Целью изобретени   вл етс  увеличение скорости травлени , получение зеркальнее-гладкой поверхности и сохранение ее плоскопараллельности. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в травителе дл  йодида ртути, включающем галогенсодержаспий компонент и воду, в качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас.% йодида аммони . Растворимость йодида ртути в воде при 25с составл ет 0,006%. Действие предлагаемого травител  основано на образовании промежуточного химического соединени  ртути ( (NH)2HgJ, имеющего высокую растворимость в воде. Пример .% Травитель получают следующим образом: навеску йодида аммони  10 или 20 г раствор ют в деиЬнизованной воде, довод  общий объем раствора до 100 мл. Способ травлени  заключаетс .в следующем. Образец HgJ2погружают в тефлоновый стакан с раствором травител . В стаканчике имеетс  решетка, предотвращающа  опускание образца на дно емкости. Раствор тщательно перемешивают в течение определенного времени , после чего образец тщательно промывают деионизованной водой, извлекаюту сушат на фильтре на воздухе, обработанную поверхность изучают под микроскопом МБИ-6. Режимы полирующего травлени  при-. ведены в таблице. При использовании более концентрированных по составов травител  скорость травлени  возрастает до 15-16 мкм/с, а малое врем  (10-15 с) вызывает практические затруднени  в выполнении операций травлени  при небольших ргазмерах образцов 3-3, 4«4 и др. Обработка образцов HgJ2 в травителе с меньшей, чем 10S концентрацией нецелесообраз-на из-за увеличени  времени травлени  более, чем 60 сек: При использовании данного состава травителей и режима травлени  обработанный образец HgJ2 имеет гладкую, зеркальную поверхность, плоско-паралельность стравленных слоев сохран тс  полностью, что дает возможность олучить равномерное электрическое оле при дальнейшем применении образа в качестве детектора.

80

20

85 90

15 10

10,5

Гладка , зеркальна 

8,2

То же 11

6,6

Claims (1)

1. (5.7) ПОЛИРУЮЩИЙ ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ИОДИДА РТУТИ, включающий галогенсодержащий компонент и воду, от л и чающийся тем, что, с целью увеличения скорости травления, получения зеркально-гладкой поверхности и сохранения ее плоско-параллельности, в качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас.% иодида аммония.