SU1710605A1

SU1710605A1 - Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи

Info

Publication number: SU1710605A1
Application number: SU894750628A
Authority: SU
Inventors: Игорь Николаевич Воронов; Наталия Викторовна Ганина; Джаханкир Аждарович Зейналов
Priority date: 1989-09-18
Filing date: 1989-09-18
Publication date: 1992-02-07

Abstract

Изобретение относитс к области металлографических методов вы влени дефектов структуры и может быть ис-'пользовано дл контрол структурного совершенства монокристаллов германи . Обеспечивает одновременно и воспроизводимое вы вление дислокаций и микродефектов и уменьшение загр знений. Способ включает обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и НЫОз, а затем в селективном травителе следующего состава, об.ч.: HF (48%-на ) 4,5-5,5; НМОз(70%- на ) 4,5-5,5; СНзСООН (99,8%-на ) 4,0-6,0; KB г 0,019-0,037. Обработку травителем ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой' водой. Картины травлени дают дислокационные мки конусообразной формы, а микродефекты - в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном. 1 табл.

Description

Изобретение относитс к области металлографических методов вы влени дефектов структуры и может быть использовано дл контрол структурного

совершенства монокристаллов германи .

Цель изобретени - одновременное и воспроизводимое вы вление дислокаций и микродефектов в монокристаллах и уменьшение их загр знений медью, что позвол ет в дальнейшем использовать протравленные монокристаллы в полупроводниковых приборах .

Пример 1. Образец (пластина) нелегированного монокристаллического германи толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), шлифуют механически на порошке М-14, промывают водой и сушат фильтром. Затем образец погружают при помощи фторопластового держател в полирующий травитель состава

HF(OC448%)25 мл (1 об.ч.)

HN03 (ОСЧ 70%)75 мл (3 об.ч.)

Травитель находитс во фторопластовом сосуде диаметром 100 мм.

Полировку провод т при перемешивании раствора до получени зеркальной поверхности . По окончании полировки образец промывают водой и оставл ют в емкости с водой.

Готов т селективный травитель, дл чего берут 225 мл HF (ОСЧ 48%) (4,5 об.ч.), приливают к ней 225 мл НМОз (ОСЧ 70%) (4,5 об.ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ 99,8°/) (4 об.ч.). В полученный раствор засыпают

2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76) (0,019 об,ч.), Выдерживают раствор 30 мин,

Извлеченный из сосуда с водой образец погружают в селективный травитель. После 30 с выдержки в травителе (при перемешивании ) образец извлекают и промывают в проточной воде. Затем образец погружают вновь в тот же травитель, оп ть выдерживают 30 с при перемешивании, извлекают образец и промывают водой. Этапы травление - промывка повтор ют 5 раз. Общее врем травлени составл ет 150 с. На картине травлени образца дислокационные мки четкой конусообразной формы, микродефекты в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном, На спектре поверхности образца, полученном методом лазерной микрозондовой масс-спектрометрии , линии ионов меди отсутствуют.

Пример 2. Образец (пластину) налегированного монокристаллического германи толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), обрабатывают как в примере 1, зй исключением того, что селективный травитель содержит 275 мл HF (ОСЧ 48%)(5,5 об.ч.), 275 мл HNOa (ОСЧ 70%) (5,5 об.ч.), 300 мл СНзСООНС (ОСЧ 99,8%) (6 об.ч.) и 5,1 г КВг (ТУ 6-09476-76 ) (0,037 об.ч.).

На картине травлени образца дислокационные мки четкой конусообразной формы , микродефекты в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном. На спектре поверхности образца линии ионов меди отсутствуют.

В таблице приведены данные, харак-. теризующие вы вление структурных дефектов по известному и предложенному способам.

Claims

Формула изобретени

Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи , ориентирован ных по плоскости (100), включающий их обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и HNOs, а затем в селективном травителе, содержащем HF и HNOs и добавку, отличающийс тем, что, с целью одновременного и воспроизводимого вы влени дислокаций и микродефектов и уменьшени загр знений, в качестве добавки в селективный травитель ввод т СНзСООН и КВг при следующем соотношении компонентов, об.ч.:

НР(48%)4,5-5,5

HN03(70%)4,5-5,5

СНзСООН (99,8%)4,0-6,0

КВг0,019-0,037

и обработку им ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой водой.