SU1710605A1 - Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи - Google Patents
Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи Download PDFInfo
- Publication number
- SU1710605A1 SU1710605A1 SU894750628A SU4750628A SU1710605A1 SU 1710605 A1 SU1710605 A1 SU 1710605A1 SU 894750628 A SU894750628 A SU 894750628A SU 4750628 A SU4750628 A SU 4750628A SU 1710605 A1 SU1710605 A1 SU 1710605A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- single crystals
- microdefects
- etchant
- germanium
- structural defects
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области металлографических методов вы влени дефектов структуры и может быть ис-'пользовано дл контрол структурного совершенства монокристаллов германи . Обеспечивает одновременно и воспроизводимое вы вление дислокаций и микродефектов и уменьшение загр знений. Способ включает обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и НЫОз, а затем в селективном травителе следующего состава, об.ч.: HF (48%-на ) 4,5-5,5; НМОз(70%- на ) 4,5-5,5; СНзСООН (99,8%-на ) 4,0-6,0; KB г 0,019-0,037. Обработку травителем ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой' водой. Картины травлени дают дислокационные мки конусообразной формы, а микродефекты - в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном. 1 табл.
Description
Изобретение относитс к области металлографических методов вы влени дефектов структуры и может быть использовано дл контрол структурного
совершенства монокристаллов германи .
Цель изобретени - одновременное и воспроизводимое вы вление дислокаций и микродефектов в монокристаллах и уменьшение их загр знений медью, что позвол ет в дальнейшем использовать протравленные монокристаллы в полупроводниковых приборах .
Пример 1. Образец (пластина) нелегированного монокристаллического германи толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), шлифуют механически на порошке М-14, промывают водой и сушат фильтром. Затем образец погружают при помощи фторопластового держател в полирующий травитель состава
HF(OC448%)25 мл (1 об.ч.)
HN03 (ОСЧ 70%)75 мл (3 об.ч.)
Травитель находитс во фторопластовом сосуде диаметром 100 мм.
Полировку провод т при перемешивании раствора до получени зеркальной поверхности . По окончании полировки образец промывают водой и оставл ют в емкости с водой.
Готов т селективный травитель, дл чего берут 225 мл HF (ОСЧ 48%) (4,5 об.ч.), приливают к ней 225 мл НМОз (ОСЧ 70%) (4,5 об.ч.) и 200 мл СНзСООН (ОСЧ 99,8°/) (4 об.ч.). В полученный раствор засыпают
2,6 г порошка КВг (ТУ 6-09-476-76) (0,019 об,ч.), Выдерживают раствор 30 мин,
Извлеченный из сосуда с водой образец погружают в селективный травитель. После 30 с выдержки в травителе (при перемешивании ) образец извлекают и промывают в проточной воде. Затем образец погружают вновь в тот же травитель, оп ть выдерживают 30 с при перемешивании, извлекают образец и промывают водой. Этапы травление - промывка повтор ют 5 раз. Общее врем травлени составл ет 150 с. На картине травлени образца дислокационные мки четкой конусообразной формы, микродефекты в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном, На спектре поверхности образца, полученном методом лазерной микрозондовой масс-спектрометрии , линии ионов меди отсутствуют.
Пример 2. Образец (пластину) налегированного монокристаллического германи толщиной 5 мм и диаметром 40 мм, ориентированный по плоскости (100), обрабатывают как в примере 1, зй исключением того, что селективный травитель содержит 275 мл HF (ОСЧ 48%)(5,5 об.ч.), 275 мл HNOa (ОСЧ 70%) (5,5 об.ч.), 300 мл СНзСООНС (ОСЧ 99,8%) (6 об.ч.) и 5,1 г КВг (ТУ 6-09476-76 ) (0,037 об.ч.).
На картине травлени образца дислокационные мки четкой конусообразной формы , микродефекты в виде четких ограненных и круглых мок с плоским дном. На спектре поверхности образца линии ионов меди отсутствуют.
В таблице приведены данные, харак-. теризующие вы вление структурных дефектов по известному и предложенному способам.
Claims (1)
- Формула изобретениСпособ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи , ориентирован ных по плоскости (100), включающий их обработку сначала в полирующем растворе, содержащем HF и HNOs, а затем в селективном травителе, содержащем HF и HNOs и добавку, отличающийс тем, что, с целью одновременного и воспроизводимого вы влени дислокаций и микродефектов и уменьшени загр знений, в качестве добавки в селективный травитель ввод т СНзСООН и КВг при следующем соотношении компонентов, об.ч.:НР(48%)4,5-5,5HN03(70%)4,5-5,5СНзСООН (99,8%)4,0-6,0КВг0,019-0,037и обработку им ведут поэтапно в течение 120-180 с и не более 30 с на каждом этапе с промежуточной промывкой водой.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894750628A SU1710605A1 (ru) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU894750628A SU1710605A1 (ru) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1710605A1 true SU1710605A1 (ru) | 1992-02-07 |
Family
ID=21475298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU894750628A SU1710605A1 (ru) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1710605A1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534434C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине |
CN105937052A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-09-14 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法 |
-
1989
- 1989-09-18 SU SU894750628A patent/SU1710605A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1251594, кл. С 30 В 33/00, 1984. * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534434C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине |
CN105937052A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-09-14 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法 |
CN105937052B (zh) * | 2016-06-20 | 2018-06-05 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Strasberg | Onset of ultrasonic cavitation in tap water | |
WO2002099394A1 (en) | Methods and systems for monitoring process fluids | |
SU1710605A1 (ru) | Способ вы влени дефектов структуры в монокристаллах германи | |
JPH0697251A (ja) | シリコン単結晶の品質評価方法 | |
US2705192A (en) | Etching solutions and process for etching members therewith | |
US3992288A (en) | Method of separating articles having different specific gravities | |
US3143447A (en) | Chemical etches for lead telluride crystals | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
SU1075600A1 (ru) | Способ химического травлени монокристаллов пентабората кали | |
KR0180799B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 내부 결함의 측정 방법 | |
SU1738878A1 (ru) | Состав дл травлени монокристаллов германата свинца Р @ G @ О @ | |
US4713145A (en) | Method of etching etch-resistant materials | |
RU2051207C1 (ru) | Способ получения слоев гидроксидов металлов | |
SU1142532A1 (ru) | Травитель дл полировки монокристаллов висмута | |
SU1465739A1 (ru) | Способ приготовлени образцов пленок, нанесенных на поверхность кремниевой подложки,дл электронно-микроскопических исследований | |
JPS55122874A (en) | Etching method for copper base alloy | |
SU914656A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов корундаi | |
JPH07130808A (ja) | ウェーハ表面の不純物の分析方法 | |
SU1675747A1 (ru) | Способ определени неионогенных поверхностно-активных веществ | |
RU2105286C1 (ru) | Способ определения полярных граней полупроводниковых соединений | |
JPH04125946A (ja) | 半導体基板の評価方法 | |
CS214254B1 (en) | Method of etching for determination of crystalline grains of gallium arsenide crystalls | |
SU1733517A1 (ru) | Травитель дл вы влени структуры в оксиде алюмини | |
RU1455572C (ru) | Раствор для обработки оптических деталей | |
SU1387915A1 (ru) | Способ оценки качества плодов |