SU990892A1 - Способ травлени монокристаллов метаниобата лити - Google Patents

Способ травлени монокристаллов метаниобата лити Download PDF

Info

Publication number
SU990892A1
SU990892A1 SU813338572A SU3338572A SU990892A1 SU 990892 A1 SU990892 A1 SU 990892A1 SU 813338572 A SU813338572 A SU 813338572A SU 3338572 A SU3338572 A SU 3338572A SU 990892 A1 SU990892 A1 SU 990892A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
etching
sample
crystals
lithium
room temperature
Prior art date
Application number
SU813338572A
Other languages
English (en)
Inventor
Нина Федоровна Евланова
Original Assignee
Московский Ордена Ленина,Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Московский Ордена Ленина,Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова filed Critical Московский Ордена Ленина,Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.М.В.Ломоносова
Priority to SU813338572A priority Critical patent/SU990892A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU990892A1 publication Critical patent/SU990892A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МШОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОВАТА ЛИТИЯ
. : I - .
Изобретение относитс  к области вы влени  внутренней доменной и локационной структуры кристаллов метаниобата лити  и может быть использовано при изготовлении материалов дл  квантовой электроники.
Известен способ травлени  кристаллов ниобата лити  в смеси 2 ч. 30%-ной перекиси водорода и 1 ч. гидроокиси натри  при 1.
Недостатком этого способа  вл етс  нечетка .картина травлени .
Известен также способ травлени  ниобата лити  в расплаве гидроокиси кали  при 1.
К недостатксил этого способа также можно отнести не очень четкую картину травлени . Кроме того, бУДУчи высокотемпературным , этот способ не может, примен тьс  к крупным (около 5 млУ кристаллам из-за возникновени  разрушакхцих -термических напр жений,
Наиболее близким к изобретению  вл етс  способ травлени  кристаллов метаниобата лити  в смеси 1 об.ч. плавиковой кислоты и 2 об. ч. азотной кислоты при температуре кипени , смеси. Этот способ дает четкую картину травлени  11.
Однако вследствие достаточно высокой температуры процесса этот способ также .неприменим к крупным кристаллам . Осуществление -известного спосо ба требует использовани  тиглей из платины или ириди .
Целью изобретени   вл етс  травление крупных кристаллов и исключение
f. возникновени  термических напр жений.
Поставленна  цель достигаетс  способом травлени  монокристаллов метаниобата лити  в смеси плавиковой и азотной кислот, при этом процесс ведут в смеси, содержащей 1 об.ч. плат
15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислот при комнатной температуре в течение 18-20 ч.
Травление в течение времени менее 18 ч дает менее четкую картину трав20 лени , а при травлении более 20 ч четкость картины травлени  также падает из-за по влени  вуалирующего сло .
25 Пример. Образец,с полированными поверхност ми размером 5x5x2 мм погружают в травитеЛь состава 1 об.ч. HF и 3,2 об.ч. HNOj при комнатной температуре на 18 ч.

Claims (2)

  1. 30 По окончании процесса образец прокывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой, В результате травлени  достаточно четко вы вл етс  доменна  структура образца. П р и м е р
  2. 2. Образец с полированными поверхност ми размером 5х5х х2 мм погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 3,5 об. ч, HNOy при ком натной температуре на 20 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травлени  четко вы вл етс  Домент на  структура образца. Примерз. O6pasteu с полированными поверхност ми погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 4,0 об.ч. HNO при комнатной темпера туре на 19 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой i В результате травлени  доменна  структура образца вы вл етс  нечетко особенно на поверхност х X и У-среза Преимущества предлагаемого способа химического травлени  монокристал лов метаниобата лити  заключаетс  в том, что возникает возможность травлени  больших монокристаллов, размером более 2x5x5 мм (кристаллы не растрескиваютс  при травлении), а также отпадает необходимость употреблени  дорогосто щих неактивных температуроустойчивых материалов, таких как платина,иридий.Травление можно; проводить в сосудах из пластмассы. Формула изобретени  Способ травлени  монокристаллов метаниобата лити  в смеси плавиковой и азотной кислот, отличающийс  тем, что, с целью обеспечени  травлени  крупных кристаллов и исключени  возникновени-  термических напр жений, процесс ведут в смеси, содержащей 1 об; ч. плавиковой и 3,24 об,ч. азотной кислоты, при комнатной температуре в течение 18-20 ч. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Nassau К. at alL. Ferroelectric lithium hiobate.l. Growth domain structure, dislocations and etching.- J . Phys. Cham. Solids , 1966, 27, 6/7(прототип).
SU813338572A 1981-09-17 1981-09-17 Способ травлени монокристаллов метаниобата лити SU990892A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813338572A SU990892A1 (ru) 1981-09-17 1981-09-17 Способ травлени монокристаллов метаниобата лити

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813338572A SU990892A1 (ru) 1981-09-17 1981-09-17 Способ травлени монокристаллов метаниобата лити

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU990892A1 true SU990892A1 (ru) 1983-01-23

Family

ID=20976969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813338572A SU990892A1 (ru) 1981-09-17 1981-09-17 Способ травлени монокристаллов метаниобата лити

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU990892A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2558898C1 (ru) * 2014-06-23 2015-08-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2558898C1 (ru) * 2014-06-23 2015-08-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Grabmaier et al. Growth and investigation of MgO-doped LiNbO3
Epelboin et al. Corrosion inhibition and hydrogen adsorption in the case of iron in a sulfuric aqueous medium
Austerman et al. Polar properties of BeO single crystals
DE69208359D1 (de) Ätzverfahren
ATE18261T1 (de) Verfahren zur hydrothermal-kristallzuechtung und vorrichtung.
SU990892A1 (ru) Способ травлени монокристаллов метаниобата лити
Koffyberg Etch pits and dislocations in SnO2 crystals
Sangwal et al. Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals
George et al. Dislocation and indentation studies on potassium acid phthalate crystals
DE3777748D1 (de) Verfahren zur passivierung von kristalldefekten in einem wasserstoffplasma.
Nakatani Ferroelectric domain structure of PbHPO4
JPS55109300A (en) Evaluation of insb single crystal
SU941434A1 (ru) Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов
JPS5456763A (en) Resistivity measuring method for semiconductor silicon single-crystal
SU816331A1 (ru) Полирующий травитель дл иодида ртути
RU2039134C1 (ru) Способ травления монокристаллов метаниобата лития
RU2040601C1 (ru) Способ травления монокристаллов танталата лития
SU637420A1 (ru) Травитель фарфора
RU2093616C1 (ru) Способ получения монокристаллов силиката калия и ниобия k*002(nbo)*002si*004o*001*002
Somaiah Growth and dissolution of BaFCl crystals
SU1528820A1 (ru) Электролит дл анодного полировани ниоби
Mehta Chemical Etching of Calcite Cleavages by Diluted Solutions
RU2052546C1 (ru) Способ травления монокристаллов лангасита
SU428485A1 (ru) Состав дл полировки полупроводниковых материалов
George et al. Growth and perfection of phthalic anhydride single crystals