SU990892A1 - Способ травлени монокристаллов метаниобата лити - Google Patents
Способ травлени монокристаллов метаниобата лити Download PDFInfo
- Publication number
- SU990892A1 SU990892A1 SU813338572A SU3338572A SU990892A1 SU 990892 A1 SU990892 A1 SU 990892A1 SU 813338572 A SU813338572 A SU 813338572A SU 3338572 A SU3338572 A SU 3338572A SU 990892 A1 SU990892 A1 SU 990892A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- etching
- sample
- crystals
- lithium
- room temperature
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
(54) СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ МШОКРИСТАЛЛОВ МЕТАНИОВАТА ЛИТИЯ
. : I - .
Изобретение относитс к области вы влени внутренней доменной и локационной структуры кристаллов метаниобата лити и может быть использовано при изготовлении материалов дл квантовой электроники.
Известен способ травлени кристаллов ниобата лити в смеси 2 ч. 30%-ной перекиси водорода и 1 ч. гидроокиси натри при 1.
Недостатком этого способа вл етс нечетка .картина травлени .
Известен также способ травлени ниобата лити в расплаве гидроокиси кали при 1.
К недостатксил этого способа также можно отнести не очень четкую картину травлени . Кроме того, бУДУчи высокотемпературным , этот способ не может, примен тьс к крупным (около 5 млУ кристаллам из-за возникновени разрушакхцих -термических напр жений,
Наиболее близким к изобретению вл етс способ травлени кристаллов метаниобата лити в смеси 1 об.ч. плавиковой кислоты и 2 об. ч. азотной кислоты при температуре кипени , смеси. Этот способ дает четкую картину травлени 11.
Однако вследствие достаточно высокой температуры процесса этот способ также .неприменим к крупным кристаллам . Осуществление -известного спосо ба требует использовани тиглей из платины или ириди .
Целью изобретени вл етс травление крупных кристаллов и исключение
f. возникновени термических напр жений.
Поставленна цель достигаетс способом травлени монокристаллов метаниобата лити в смеси плавиковой и азотной кислот, при этом процесс ведут в смеси, содержащей 1 об.ч. плат
15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислот при комнатной температуре в течение 18-20 ч.
Травление в течение времени менее 18 ч дает менее четкую картину трав20 лени , а при травлении более 20 ч четкость картины травлени также падает из-за по влени вуалирующего сло .
25 Пример. Образец,с полированными поверхност ми размером 5x5x2 мм погружают в травитеЛь состава 1 об.ч. HF и 3,2 об.ч. HNOj при комнатной температуре на 18 ч.
Claims (2)
- 30 По окончании процесса образец прокывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой, В результате травлени достаточно четко вы вл етс доменна структура образца. П р и м е р
- 2. Образец с полированными поверхност ми размером 5х5х х2 мм погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 3,5 об. ч, HNOy при ком натной температуре на 20 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой. В результате травлени четко вы вл етс Домент на структура образца. Примерз. O6pasteu с полированными поверхност ми погружают в травитель состава 1 об.ч. HF и 4,0 об.ч. HNO при комнатной темпера туре на 19 ч. По окончании процесса образец промывают дистиллированной водой и осушают фильтровальной бумагой i В результате травлени доменна структура образца вы вл етс нечетко особенно на поверхност х X и У-среза Преимущества предлагаемого способа химического травлени монокристал лов метаниобата лити заключаетс в том, что возникает возможность травлени больших монокристаллов, размером более 2x5x5 мм (кристаллы не растрескиваютс при травлении), а также отпадает необходимость употреблени дорогосто щих неактивных температуроустойчивых материалов, таких как платина,иридий.Травление можно; проводить в сосудах из пластмассы. Формула изобретени Способ травлени монокристаллов метаниобата лити в смеси плавиковой и азотной кислот, отличающийс тем, что, с целью обеспечени травлени крупных кристаллов и исключени возникновени- термических напр жений, процесс ведут в смеси, содержащей 1 об; ч. плавиковой и 3,24 об,ч. азотной кислоты, при комнатной температуре в течение 18-20 ч. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1. Nassau К. at alL. Ferroelectric lithium hiobate.l. Growth domain structure, dislocations and etching.- J . Phys. Cham. Solids , 1966, 27, 6/7(прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813338572A SU990892A1 (ru) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU813338572A SU990892A1 (ru) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU990892A1 true SU990892A1 (ru) | 1983-01-23 |
Family
ID=20976969
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU813338572A SU990892A1 (ru) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU990892A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2558898C1 (ru) * | 2014-06-23 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов |
-
1981
- 1981-09-17 SU SU813338572A patent/SU990892A1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2558898C1 (ru) * | 2014-06-23 | 2015-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" | Способ травления оксидных нелинейных диэлектрических и оптических монокристаллов |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Grabmaier et al. | Growth and investigation of MgO-doped LiNbO3 | |
Epelboin et al. | Corrosion inhibition and hydrogen adsorption in the case of iron in a sulfuric aqueous medium | |
Austerman et al. | Polar properties of BeO single crystals | |
DE69208359D1 (de) | Ätzverfahren | |
ATE18261T1 (de) | Verfahren zur hydrothermal-kristallzuechtung und vorrichtung. | |
SU990892A1 (ru) | Способ травлени монокристаллов метаниобата лити | |
Koffyberg | Etch pits and dislocations in SnO2 crystals | |
Sangwal et al. | Etching studies on potassium dichromate (KBC) crystals | |
George et al. | Dislocation and indentation studies on potassium acid phthalate crystals | |
DE3777748D1 (de) | Verfahren zur passivierung von kristalldefekten in einem wasserstoffplasma. | |
Nakatani | Ferroelectric domain structure of PbHPO4 | |
JPS55109300A (en) | Evaluation of insb single crystal | |
SU941434A1 (ru) | Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов | |
JPS5456763A (en) | Resistivity measuring method for semiconductor silicon single-crystal | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
RU2039134C1 (ru) | Способ травления монокристаллов метаниобата лития | |
RU2040601C1 (ru) | Способ травления монокристаллов танталата лития | |
SU637420A1 (ru) | Травитель фарфора | |
RU2093616C1 (ru) | Способ получения монокристаллов силиката калия и ниобия k*002(nbo)*002si*004o*001*002 | |
Somaiah | Growth and dissolution of BaFCl crystals | |
SU1528820A1 (ru) | Электролит дл анодного полировани ниоби | |
Mehta | Chemical Etching of Calcite Cleavages by Diluted Solutions | |
RU2052546C1 (ru) | Способ травления монокристаллов лангасита | |
SU428485A1 (ru) | Состав дл полировки полупроводниковых материалов | |
George et al. | Growth and perfection of phthalic anhydride single crystals |