SU941434A1 - Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов - Google Patents

Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов Download PDF

Info

Publication number
SU941434A1
SU941434A1 SU803004608A SU3004608A SU941434A1 SU 941434 A1 SU941434 A1 SU 941434A1 SU 803004608 A SU803004608 A SU 803004608A SU 3004608 A SU3004608 A SU 3004608A SU 941434 A1 SU941434 A1 SU 941434A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
samples
composition
etching
cadmium
thiogallate
Prior art date
Application number
SU803004608A
Other languages
English (en)
Inventor
Михаил Иванович Головей
Владимир Васильевич Мудрый
Ирина Михайловна Некрасова
Иван Михайлович Тешнеровский
Original Assignee
Предприятие П/Я Р-6496
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Р-6496 filed Critical Предприятие П/Я Р-6496
Priority to SU803004608A priority Critical patent/SU941434A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU941434A1 publication Critical patent/SU941434A1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

Изобретение относится к мёталлографин, в частности к составам для выявления дислокаций, и может быть использовано при исследовании структурного совершенства монокристаллов тиогаллата кадмия и для контроля плотности дислокаций в тиогаллате кадмия при его промышленном произ- ; водстве.
Известен состав для выявления дислокаций в монокристаллах прустита, содержащий серную кислоту и окислитель. В качестве окислителя используют Bi (N0?)j , KjiCr^O? и Сго.ОуШ.,5
Этот состав эффективно действует при комнатной температуре в течение 3-25 мин. Таким составом проводят травление обработанной поверхности монокристаллов. Время травления зависит от кристаллографической плоскости, на которой проводят выявление дислокаций.
.
Однако' данный состав не выявляет дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадмия.
Известен также состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту t?2 J.
Добавка КдСг^О t в соотношении 20 вес.ч. Κχβ^+Ο,δ вес.ч. К^Сг^О^ выявляет дислокации в течение 5“ 30 мин при 100-12Q°C.
Этим составом выявляют дислокации 8 монокристаллах прустита и пираргирита на плоскостях (0001), (0110), (2110),
Однако использование известного состава не позволяет выявлять дислокации в монокристаллах тиогаллата кадмия, поскольку его структура не подвергается воздействию этих составов из-за их низкой травильной способности. Травление кристаллов тиогаллата кадмия при повышенных/тем пературах приводит к их растрескиванию.
Целью изобретения является выявление дислокаций в тиогаллате кадмия на плоскостях (ί12).
Указанная цель достигается тем, ιчто состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту, дополнительно содержит азотнокислый аммоний,при следующем соотношении компонентов, вес.%: Азотнокислый аммоний Двухромовокислый калий
Серная кислота
3-8
0,02-0,5 Остальное
Процесс выявления дислокаций с помощью предлагаемого состава прово дят на естественных сколах и на об·4 разцах, вырезанных из монокристаллов рюгаллата кадмия по плоскости (112). Отклонение исследуемой плоскости от кристаллографической плоскости (112) не должно превышать +0,2*. Перед травлением поверхность вырезанных образцов шлифуют й полируют по стандартным методикам до обеспечения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Все образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте. Процесс травления проводят в кварцевых тиглях.
Ямки травления образуются в том случае, если нормальная (перпендикулярно к поверхности кристалла) скорость травления выше тангенциальной (параллельно поверхности). Наличие в составе травильного раствора двухромовокислого калия замедляет тангенциальную скорость травления, а нормальная скорость травления задается концентрацией азотнокислого аммония. Данный состав травителя обуславливает оптимальное соотношение
- 45 нормальной и тангенциальной скоростей травления, приводящее к образованию ямок травления. Для составов, содержащих 3*8 вес.% азотнокислого аммония, 0,02-0,5 вес.% двухромовокислого калия, остальное - серная кис- 50 лота, нормальная скорость травления превышает тангенциальную и наблюдается образование ямок травления.
При концентрации азотнокислого аммония более 8.вес.% скорость трав- 55 ления увеличивается и продукты реакции, не успевая paciворяться, осаждаются на поверхности кристалла, пас10 сивируя ее. При концентрации азотнокислого аммония ниже 3 вес.% травления поверхности не происходит.
Концентрация двухромовокислого калия менее 0,02 вес.% не оказывает влияния на тангенциальную скорость травления. При концентрации двухромовокислого калия более 0,5 вес.% происходит пассивация поверхности кристалла .
Растворы для травления образцов готовят следующим образом.
В серной кислоте при непрерывном перемешивании растворяют навеску двухромовокислого калия, после его полного растворения добавляют при перемешивании навеску азотнокислого аммония и температуру полученного раствора доводят до 20°С. Используют реактивы марки Х4.
П р и м е р 1. Для приготовления состава берут компоненты в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний 3
Двухромовокислый калий 0,02
Серная кислота Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112 ) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2(f С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.
П р и м е р 2. Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний .8 Двухромовокислый калий 0,5
Серная кислота Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают^в растворе в' течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной во5 дой, просушивают и исследуют проОбразцы монокристалла тиогаллата травленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах выявляются дислокационные ямки в виде треугольников. ПримерЗ. Для приготовления состава компоненты берут щем соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний Двухромовокислый калий
Серная кислота в следую5
0,2 Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, 15 полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (.112) шлифуют, полируют до дстижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 20°С Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление происходит на поверхности обнаруживается осадок солей. Ямки травления в виде треугольников проявляются на сколе не четко, на срезе вообще не проявспирте и погружают в приготовлен- ' 20 ный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 20° С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлогра- 25 фическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах выявляются дислокационные ямки в виде четких ограниченных треугольников.
П р и м е р 4. Для приготовления зо состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний 2,5
Двухромовокислый
калий 0,01 35
Серная кислота Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата
кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают^ в приготовленный раствор. Образцы выдерживают^в растворе в течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление не происходит и ямки травления не обнаруживаются.
П р и м е р 5. Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний 8-5
Д вухромовоки слый 0,6
калий
Серная кислота Остальное
ляются.
Как видно из приведенных примеров, применение предлагаемого состава для выявления дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадмия обеспечивает выявление четкой дислокационной картины в монокристаллах тиогаллата кадмия на плоскостях (112).
Изобретение может быть использовано при разработке технологии получения высококачественных монокристаллов тиогаллата кадмия для исследования структурного совершенства полученных кристаллов и для контроля плотности дислокаций (как одного из параметров готовой продукции) при промышленном производстве тиогаллата кадмия.

Claims (3)

  1. Изобретение относитс  к мёталлогра (, в частности k составам дл  вы влени  дислокаций, и может быть использовано при исследовании струк турного совэршенства монокристаллов тиогаЛлата кадми  и дл  контрол  плотности дислокаций в тиогаллате кадми  при его промышленном производстве . Известен состав дл  вы влени  дислокаций в монокристаллах прустита , содержащий серную кислоту и оки слитель. В качестве окислител  используют В I (NOj)} , KjiCp O и Этот состав эффективно действует при комнатной температуре в течение 3-25 мин. Таким составом провод т травление обработанной поверх ности монокристаллов. Врем  травлени  зависит от кристаллогра(|)ической плоскости, на которой провод т вы вление дислокаций. Однако данный состав не вы вл ет дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадми . Известен также состав дл  вы влени  дислокаций в монокристаллах троиных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий , и серную кислоту tZj. Добавка f в соотношении 20 вес.ч. ,5 вес.ч. вы вл ет дислокации в течение 5 30 мин при 100-120 с. Этим составом вы вл ют дислОсации в монокристаллах прустита и пираргирита на плоскост х (0001), (0110), (2110), Однако использование известного состава не позвол ет вы вл ть дислокации в монокристаллах тиогаллата кадми , поскольку его структура не подвергаетс  воздействию этих составов из-за их низкой травильной способности. Травление кристаллов тиогаллата кадми  при повышенных-температурах приводит к их растрескиванию . Целью изобретени   вл етс  вы вление дислокаций в тиогаллате кадми  на плоскост х (112). Указанна  цель достигаетс  тем, что состав дл  вы влени  дислокаций в монокристаллах тройных халькогенид ных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту, дополнительно содержит азотнокислый аммоний,при следующем соотношении компонентов, вес.: Азотнокислый аммоний3 8 Двухромовокислый калий0,02-0,5 Серна  кислотаОстальное Процесс вы влени  дислокаций с помощью предлагаемого состава провод т на естественных сколах и на об разцах, вырезанных из монокристаллов иогаллата кадми  по плоскости (112) Отклонение исследуемой плоскости от кристаллографической плоскости (112V не должно превышать +0,2. Перед травлением поверхность вырезанных образцов шлифуют и полируют по стандартным методикам до (Обеспечени  шероховатости поверхности }ka класса и класса чистоты Р1У, Все образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте. Процесс травлени  провод т в кварцевых тигл х. траблени  образуютс  в том случае, если нормальна  (перпендикул рно к поверхности кристалла) скорость травлени  выше тангенциальной (параллельно поверхности). Наличие в составе травильного раствора двухромовокислого кали  замедл ет тангенциальную скорость травлени , а нормальна  скорость травлени  зада етс  концентрацией азотнокислого аммони . Данный состав травител  обуславливает оптимальное соотношение нормальной и тангенциальной скоросте травлени , привод щее к образованию  мок травлени . Дл  составов, содержащих 3-8 аес. азотнокис;лого ам мони , 0,02-0,5 вес. двухромовокислого кали , остальное - серна  кис .лота , нормальна  скорость травлени  превышает тангенциальную и наблюдаетс  образование  мок травлени . При концентрации азотнокислого аммони  более 8.вес. скорость травлени  увеличиваетс  и продукты реакции , не успева  раствор тьс , осаж даютс  на поверхности кристалла, пас сивиру  ее. При концентрации азотнокислого аммони  ниже 3 вес. травлени  поверхности не происходит. Концентраци  двухромовокислого кали  менее 0,02 вес. не оказывает вли ни  на тангенциальную скорость травлени . При концентрации двухромовокислого кали  более 0,5 вес. происходит пассиваци  поверхности кристалла . Растворы дл  травлени  образцов готов т следующим образом. В серной кислоте при непрерывном перемешивании раствор ют навеску двухромовокислого кали , после его полного растворени  добавл ют при перемешивании навеску азотнокислого аммони  и температуру полученного раствора довод т до . Используют реактивы марки Х. Пример. Дл  приготовлени  состава берут компоненты в следующем соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний 3 Двухромовокислый калий 0,02 Серна  кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми  с естественным сколом и вырезанные по плоскости {112 шлифуют, полируют до достижени  шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2(f С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На образцах четко вы вл ютс  дислокационные  мки травлени . П р и м е р
  2. 2. Дл  приготовлени  состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.: Азотнокислый аммоний .8 Двухромовокислый калий0,5 Серна  кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми  с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижени  шероховатости поверхности a класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный pactвор. Образцы выдерживают в растворе в- течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной во5 дои, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7, На протр ленных образцах вы вл ютс  дислокационные  мки в виде треугольников. П р и м е р
  3. 3. Дл  приготовлени  состава компоненты берут в следуюАзотнокислый аммоний 5 Двухромовокислый калий0,2 Серна  кислота Остально Образцы монокристалла тиогаллата кадми  с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112 шлифуют полируют до достижени  шероховатост поверхности 1Аа класса и класса чистоты РТУ. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этилобо спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдермшвают в растворе в течение 10 мин при . Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах вы вл ютс  дислокационные в виде четких ограниченных треугольников. Пример. Дл  приготовлени  состава компоненты берут в следующе соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний . 2,5 Двухромовокислый калий.0,01 Серна  кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми  с естественным сколом,и выре занные по плоскости (112 шлифуют, полируют до достижени  шероховатост поверхности класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в раст воре в течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной водой , просушивают и исследуют протравленную плоскость на микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление не происходит и  мки трав лени  не обнаруживаютс . П р и м е р 5. Дл  приготовлени  состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.: Азотнокислый аммонии Двухромовокислый 0,6 калий . Остальное Серна  кислота Образцы монокристалла тиогаллата кадми  с естественным сколом и вы .резанные по плоскости 012 шлифуют , полируют до дстижени  шероховатости поверхности Tta класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при Затем промывают дистиллированной водой , просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление происходит на поверхности обнаруживаетс  осадок солей. Ямки травлени  а виде треугольников про вл ютс  на сколе не четко, на срезе вообще не про вл ютс . Как видно из приведенных примеров , применение предлагаемого состава дл  вы влени  дислокаций а монокристаллах тиогаллата кадми  обеспечивает вы вление четкой дислокаци; онной картины в монокристаллах тиогаллата кадми  на плоскост х (112). Изобретение может быть использоаано при разработке технологии получени  высококачественных монокристаллов тиогаллата кадми  дл  исследоаани  структурного совершенства полученных кристаллов и дл  контрол  плотности дислокаций (как одного из параметроа готовой продукции) при промышленном производстве тиогаллата кадми . Формула изобретени  Состав дл  вы влени  дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий даухромовокислый калий и серную кислоту , отличающийс  тем, что, с целью вы влени  дислокаций в тиогаллате кадми  на плоскост х (.112 он дополнительно содержит азотнокисг лый аммоний при следушцен соотношении компонентов, вес.%: Азотнокислый аммоний 3-8 Даухромоаокислый калий 0,02-0,5 Серна  кислотаОстальное,
    Источники информации,2. Гурзан М.И. и др. Характер
    прин тые во внимание при экспертизетравлени  прустита и пирзргирита.
    1 .Гурзан М.И. и лр.МсжокристаллыиИзвести  АН СССР, Неорганические
    сцинтил ционные материалы.Харьков,материалы, 1975. т. 11, №2, с. 207ВНИИ монокристаллов, 1978,№2,с.. 5 212 (прототип).
SU803004608A 1980-11-13 1980-11-13 Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов SU941434A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803004608A SU941434A1 (ru) 1980-11-13 1980-11-13 Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803004608A SU941434A1 (ru) 1980-11-13 1980-11-13 Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU941434A1 true SU941434A1 (ru) 1982-07-07

Family

ID=20926179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803004608A SU941434A1 (ru) 1980-11-13 1980-11-13 Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU941434A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Massey [122] Fumarase: Fumarate+ Water⇆ l-Malate
Weyher et al. Selective etching and photoetching of GaAs in CrO3-HF aqueous solutions: III. Interpretation of defect-related etch figures
DE68912351T2 (de) Ätzlösung für metallschicht mit photolackstruktur.
Shintani et al. Etching of GaN using phosphoric acid
US5843322A (en) Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers
CA1040987A (en) Process for stripping nickel from articles and composition utilized therein
DE69013631T2 (de) Einkristallsilizium.
SU941434A1 (ru) Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов
US3650960A (en) Etching solutions
JPS6056289B2 (ja) 半導体シリコンの結晶欠陥検出方法および検出液
JPS5588322A (en) Treatment of semiconductor substrate
Wenwer et al. Two-Stage Diffusion Profiles of Cobalt in Niobium: Evidence for the Dissociative Mechanism/Zweistufige Diffusionsprofile von Kobalt in Niob: Evidenz für den dissoziativen Mechanismus
GB808973A (en) Improvements in semiconductor devices and methods for their manufacture
Hergt et al. Investigation of the growth mechanism in high‐temperature solutions by the induced striation method. I. Dissolution striations
Kapusta et al. Generation of dislocations in iron single crystals by hydrogen-induced stresses
Raju Evidence of edge and screw dislocations in gypsum single crystals
JP3629694B2 (ja) シリコンウェーハの評価方法
Mrowczynski et al. Electrochemical and eclipsometric study of iron corrosion inhibition in sodium sulphate solutions containing aliphatic acids
Seiter Integrational etching methods
Raju Dendritic structures in gel grown Gypsum
Babu et al. Formation of Beaks at Dislocation Sites in Sodium Chloride Crystals
SU816331A1 (ru) Полирующий травитель дл иодида ртути
SU1082875A1 (ru) Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца
JP2626715B2 (ja) CdTe結晶用エッチング液
WO2004112122A1 (en) Semiconductor crystal defect etch