SU941434A1 - Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов - Google Patents
Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов Download PDFInfo
- Publication number
- SU941434A1 SU941434A1 SU803004608A SU3004608A SU941434A1 SU 941434 A1 SU941434 A1 SU 941434A1 SU 803004608 A SU803004608 A SU 803004608A SU 3004608 A SU3004608 A SU 3004608A SU 941434 A1 SU941434 A1 SU 941434A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- samples
- composition
- etching
- cadmium
- thiogallate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к мёталлографин, в частности к составам для выявления дислокаций, и может быть использовано при исследовании структурного совершенства монокристаллов тиогаллата кадмия и для контроля плотности дислокаций в тиогаллате кадмия при его промышленном произ- ; водстве.
Известен состав для выявления дислокаций в монокристаллах прустита, содержащий серную кислоту и окислитель. В качестве окислителя используют Bi (N0?)j , KjiCr^O? и Сго.ОуШ.,5
Этот состав эффективно действует при комнатной температуре в течение 3-25 мин. Таким составом проводят травление обработанной поверхности монокристаллов. Время травления зависит от кристаллографической плоскости, на которой проводят выявление дислокаций.
.
Однако' данный состав не выявляет дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадмия.
Известен также состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту t?2 J.
Добавка КдСг^О t в соотношении 20 вес.ч. Κχβ^+Ο,δ вес.ч. К^Сг^О^ выявляет дислокации в течение 5“ 30 мин при 100-12Q°C.
Этим составом выявляют дислокации 8 монокристаллах прустита и пираргирита на плоскостях (0001), (0110), (2110),
Однако использование известного состава не позволяет выявлять дислокации в монокристаллах тиогаллата кадмия, поскольку его структура не подвергается воздействию этих составов из-за их низкой травильной способности. Травление кристаллов тиогаллата кадмия при повышенных/тем пературах приводит к их растрескиванию.
Целью изобретения является выявление дислокаций в тиогаллате кадмия на плоскостях (ί12).
Указанная цель достигается тем, ιчто состав для выявления дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту, дополнительно содержит азотнокислый аммоний,при следующем соотношении компонентов, вес.%: Азотнокислый аммоний Двухромовокислый калий
Серная кислота
3-8
0,02-0,5 Остальное
Процесс выявления дислокаций с помощью предлагаемого состава прово дят на естественных сколах и на об·4 разцах, вырезанных из монокристаллов рюгаллата кадмия по плоскости (112). Отклонение исследуемой плоскости от кристаллографической плоскости (112) не должно превышать +0,2*. Перед травлением поверхность вырезанных образцов шлифуют й полируют по стандартным методикам до обеспечения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Все образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте. Процесс травления проводят в кварцевых тиглях.
Ямки травления образуются в том случае, если нормальная (перпендикулярно к поверхности кристалла) скорость травления выше тангенциальной (параллельно поверхности). Наличие в составе травильного раствора двухромовокислого калия замедляет тангенциальную скорость травления, а нормальная скорость травления задается концентрацией азотнокислого аммония. Данный состав травителя обуславливает оптимальное соотношение
- 45 нормальной и тангенциальной скоростей травления, приводящее к образованию ямок травления. Для составов, содержащих 3*8 вес.% азотнокислого аммония, 0,02-0,5 вес.% двухромовокислого калия, остальное - серная кис- 50 лота, нормальная скорость травления превышает тангенциальную и наблюдается образование ямок травления.
При концентрации азотнокислого аммония более 8.вес.% скорость трав- 55 ления увеличивается и продукты реакции, не успевая paciворяться, осаждаются на поверхности кристалла, пас10 сивируя ее. При концентрации азотнокислого аммония ниже 3 вес.% травления поверхности не происходит.
Концентрация двухромовокислого калия менее 0,02 вес.% не оказывает влияния на тангенциальную скорость травления. При концентрации двухромовокислого калия более 0,5 вес.% происходит пассивация поверхности кристалла .
Растворы для травления образцов готовят следующим образом.
В серной кислоте при непрерывном перемешивании растворяют навеску двухромовокислого калия, после его полного растворения добавляют при перемешивании навеску азотнокислого аммония и температуру полученного раствора доводят до 20°С. Используют реактивы марки Х4.
П р и м е р 1. Для приготовления состава берут компоненты в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний 3
Двухромовокислый калий 0,02
Серная кислота Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112 ) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2(f С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.
П р и м е р 2. Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний .8 Двухромовокислый калий 0,5
Серная кислота Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают^в растворе в' течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной во5 дой, просушивают и исследуют проОбразцы монокристалла тиогаллата травленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах выявляются дислокационные ямки в виде треугольников. ПримерЗ. Для приготовления состава компоненты берут щем соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний Двухромовокислый калий
Серная кислота в следую5
0,2 Остальное
Образцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, 15 полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (.112) шлифуют, полируют до дстижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 20°С Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление происходит на поверхности обнаруживается осадок солей. Ямки травления в виде треугольников проявляются на сколе не четко, на срезе вообще не проявспирте и погружают в приготовлен- ' 20 ный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 20° С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлогра- 25 фическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах выявляются дислокационные ямки в виде четких ограниченных треугольников.
П р и м е р 4. Для приготовления зо состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний | 2,5 |
Двухромовокислый | |
калий | 0,01 35 |
Серная кислота | Остальное |
Образцы монокристалла | тиогаллата |
кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают^ в приготовленный раствор. Образцы выдерживают^в растворе в течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление не происходит и ямки травления не обнаруживаются.
П р и м е р 5. Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.%:
Азотнокислый аммоний | 8-5 |
Д вухромовоки слый | 0,6 |
калий | |
Серная кислота | Остальное |
ляются.
Как видно из приведенных примеров, применение предлагаемого состава для выявления дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадмия обеспечивает выявление четкой дислокационной картины в монокристаллах тиогаллата кадмия на плоскостях (112).
Изобретение может быть использовано при разработке технологии получения высококачественных монокристаллов тиогаллата кадмия для исследования структурного совершенства полученных кристаллов и для контроля плотности дислокаций (как одного из параметров готовой продукции) при промышленном производстве тиогаллата кадмия.
Claims (3)
- Изобретение относитс к мёталлогра (, в частности k составам дл вы влени дислокаций, и может быть использовано при исследовании струк турного совэршенства монокристаллов тиогаЛлата кадми и дл контрол плотности дислокаций в тиогаллате кадми при его промышленном производстве . Известен состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах прустита , содержащий серную кислоту и оки слитель. В качестве окислител используют В I (NOj)} , KjiCp O и Этот состав эффективно действует при комнатной температуре в течение 3-25 мин. Таким составом провод т травление обработанной поверх ности монокристаллов. Врем травлени зависит от кристаллогра(|)ической плоскости, на которой провод т вы вление дислокаций. Однако данный состав не вы вл ет дислокаций в монокристаллах тиогаллата кадми . Известен также состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах троиных халькогенидных материалов, содержащий двухромовокислый калий , и серную кислоту tZj. Добавка f в соотношении 20 вес.ч. ,5 вес.ч. вы вл ет дислокации в течение 5 30 мин при 100-120 с. Этим составом вы вл ют дислОсации в монокристаллах прустита и пираргирита на плоскост х (0001), (0110), (2110), Однако использование известного состава не позвол ет вы вл ть дислокации в монокристаллах тиогаллата кадми , поскольку его структура не подвергаетс воздействию этих составов из-за их низкой травильной способности. Травление кристаллов тиогаллата кадми при повышенных-температурах приводит к их растрескиванию . Целью изобретени вл етс вы вление дислокаций в тиогаллате кадми на плоскост х (112). Указанна цель достигаетс тем, что состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенид ных материалов, содержащий двухромовокислый калий и серную кислоту, дополнительно содержит азотнокислый аммоний,при следующем соотношении компонентов, вес.: Азотнокислый аммоний3 8 Двухромовокислый калий0,02-0,5 Серна кислотаОстальное Процесс вы влени дислокаций с помощью предлагаемого состава провод т на естественных сколах и на об разцах, вырезанных из монокристаллов иогаллата кадми по плоскости (112) Отклонение исследуемой плоскости от кристаллографической плоскости (112V не должно превышать +0,2. Перед травлением поверхность вырезанных образцов шлифуют и полируют по стандартным методикам до (Обеспечени шероховатости поверхности }ka класса и класса чистоты Р1У, Все образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте. Процесс травлени провод т в кварцевых тигл х. траблени образуютс в том случае, если нормальна (перпендикул рно к поверхности кристалла) скорость травлени выше тангенциальной (параллельно поверхности). Наличие в составе травильного раствора двухромовокислого кали замедл ет тангенциальную скорость травлени , а нормальна скорость травлени зада етс концентрацией азотнокислого аммони . Данный состав травител обуславливает оптимальное соотношение нормальной и тангенциальной скоросте травлени , привод щее к образованию мок травлени . Дл составов, содержащих 3-8 аес. азотнокис;лого ам мони , 0,02-0,5 вес. двухромовокислого кали , остальное - серна кис .лота , нормальна скорость травлени превышает тангенциальную и наблюдаетс образование мок травлени . При концентрации азотнокислого аммони более 8.вес. скорость травлени увеличиваетс и продукты реакции , не успева раствор тьс , осаж даютс на поверхности кристалла, пас сивиру ее. При концентрации азотнокислого аммони ниже 3 вес. травлени поверхности не происходит. Концентраци двухромовокислого кали менее 0,02 вес. не оказывает вли ни на тангенциальную скорость травлени . При концентрации двухромовокислого кали более 0,5 вес. происходит пассиваци поверхности кристалла . Растворы дл травлени образцов готов т следующим образом. В серной кислоте при непрерывном перемешивании раствор ют навеску двухромовокислого кали , после его полного растворени добавл ют при перемешивании навеску азотнокислого аммони и температуру полученного раствора довод т до . Используют реактивы марки Х. Пример. Дл приготовлени состава берут компоненты в следующем соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний 3 Двухромовокислый калий 0,02 Серна кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми с естественным сколом и вырезанные по плоскости {112 шлифуют, полируют до достижени шероховатости поверхности 14а класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2(f С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На образцах четко вы вл ютс дислокационные мки травлени . П р и м е р
- 2. Дл приготовлени состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.: Азотнокислый аммоний .8 Двухромовокислый калий0,5 Серна кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112) шлифуют, полируют до достижени шероховатости поверхности a класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный pactвор. Образцы выдерживают в растворе в- течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной во5 дои, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7, На протр ленных образцах вы вл ютс дислокационные мки в виде треугольников. П р и м е р
- 3. Дл приготовлени состава компоненты берут в следуюАзотнокислый аммоний 5 Двухромовокислый калий0,2 Серна кислота Остально Образцы монокристалла тиогаллата кадми с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112 шлифуют полируют до достижени шероховатост поверхности 1Аа класса и класса чистоты РТУ. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этилобо спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдермшвают в растворе в течение 10 мин при . Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На протравленных образцах вы вл ютс дислокационные в виде четких ограниченных треугольников. Пример. Дл приготовлени состава компоненты берут в следующе соотношении, вес.%: Азотнокислый аммоний . 2,5 Двухромовокислый калий.0,01 Серна кислота Остальное Образцы монокристалла тиогаллата кадми с естественным сколом,и выре занные по плоскости (112 шлифуют, полируют до достижени шероховатост поверхности класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в раст воре в течение 10 мин при 20 С. Затем промывают дистиллированной водой , просушивают и исследуют протравленную плоскость на микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление не происходит и мки трав лени не обнаруживаютс . П р и м е р 5. Дл приготовлени состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.: Азотнокислый аммонии Двухромовокислый 0,6 калий . Остальное Серна кислота Образцы монокристалла тиогаллата кадми с естественным сколом и вы .резанные по плоскости 012 шлифуют , полируют до дстижени шероховатости поверхности Tta класса и класса чистоты Р1У. Затем образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор. Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при Затем промывают дистиллированной водой , просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе МИМ-7. На исследованных образцах травление происходит на поверхности обнаруживаетс осадок солей. Ямки травлени а виде треугольников про вл ютс на сколе не четко, на срезе вообще не про вл ютс . Как видно из приведенных примеров , применение предлагаемого состава дл вы влени дислокаций а монокристаллах тиогаллата кадми обеспечивает вы вление четкой дислокаци; онной картины в монокристаллах тиогаллата кадми на плоскост х (112). Изобретение может быть использоаано при разработке технологии получени высококачественных монокристаллов тиогаллата кадми дл исследоаани структурного совершенства полученных кристаллов и дл контрол плотности дислокаций (как одного из параметроа готовой продукции) при промышленном производстве тиогаллата кадми . Формула изобретени Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов, содержащий даухромовокислый калий и серную кислоту , отличающийс тем, что, с целью вы влени дислокаций в тиогаллате кадми на плоскост х (.112 он дополнительно содержит азотнокисг лый аммоний при следушцен соотношении компонентов, вес.%: Азотнокислый аммоний 3-8 Даухромоаокислый калий 0,02-0,5 Серна кислотаОстальное,Источники информации,2. Гурзан М.И. и др. Характерприн тые во внимание при экспертизетравлени прустита и пирзргирита.1 .Гурзан М.И. и лр.МсжокристаллыиИзвести АН СССР, Неорганическиесцинтил ционные материалы.Харьков,материалы, 1975. т. 11, №2, с. 207ВНИИ монокристаллов, 1978,№2,с.. 5 212 (прототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803004608A SU941434A1 (ru) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803004608A SU941434A1 (ru) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU941434A1 true SU941434A1 (ru) | 1982-07-07 |
Family
ID=20926179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU803004608A SU941434A1 (ru) | 1980-11-13 | 1980-11-13 | Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU941434A1 (ru) |
-
1980
- 1980-11-13 SU SU803004608A patent/SU941434A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Massey | [122] Fumarase: Fumarate+ Water⇆ l-Malate | |
Weyher et al. | Selective etching and photoetching of GaAs in CrO3-HF aqueous solutions: III. Interpretation of defect-related etch figures | |
DE68912351T2 (de) | Ätzlösung für metallschicht mit photolackstruktur. | |
Shintani et al. | Etching of GaN using phosphoric acid | |
US5843322A (en) | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers | |
CA1040987A (en) | Process for stripping nickel from articles and composition utilized therein | |
DE69013631T2 (de) | Einkristallsilizium. | |
SU941434A1 (ru) | Состав дл вы влени дислокаций в монокристаллах тройных халькогенидных материалов | |
US3650960A (en) | Etching solutions | |
JPS6056289B2 (ja) | 半導体シリコンの結晶欠陥検出方法および検出液 | |
JPS5588322A (en) | Treatment of semiconductor substrate | |
Wenwer et al. | Two-Stage Diffusion Profiles of Cobalt in Niobium: Evidence for the Dissociative Mechanism/Zweistufige Diffusionsprofile von Kobalt in Niob: Evidenz für den dissoziativen Mechanismus | |
GB808973A (en) | Improvements in semiconductor devices and methods for their manufacture | |
Hergt et al. | Investigation of the growth mechanism in high‐temperature solutions by the induced striation method. I. Dissolution striations | |
Kapusta et al. | Generation of dislocations in iron single crystals by hydrogen-induced stresses | |
Raju | Evidence of edge and screw dislocations in gypsum single crystals | |
JP3629694B2 (ja) | シリコンウェーハの評価方法 | |
Mrowczynski et al. | Electrochemical and eclipsometric study of iron corrosion inhibition in sodium sulphate solutions containing aliphatic acids | |
Seiter | Integrational etching methods | |
Raju | Dendritic structures in gel grown Gypsum | |
Babu et al. | Formation of Beaks at Dislocation Sites in Sodium Chloride Crystals | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
SU1082875A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов молибдата свинца | |
JP2626715B2 (ja) | CdTe結晶用エッチング液 | |
WO2004112122A1 (en) | Semiconductor crystal defect etch |